信号模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.7455 ￥2.89
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￥2.185 ￥2.3
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￥1.938 ￥2.04
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￥1.634 ￥1.72
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￥1.387 ￥1.46
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￥1.311 ￥1.38

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型号：VBZA4407 编号：C416341

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.7455 ￥3.23
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￥2.176 ￥2.56
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￥1.9295 ￥2.27
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￥1.4875 ￥1.75
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￥1.411 ￥1.66

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型号：TPC8103-VB 编号：C725227

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.8025 ￥2.95
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￥2.242 ￥2.36
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￥1.995 ￥2.1
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￥1.691 ￥1.78
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￥1.387 ￥1.46
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￥1.311 ￥1.38

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型号：PHKD3NQ10T-VB 编号：C19632146

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款一款双N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。SOP8；2个N—Channel沟道,100V；5.8A；RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；

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￥2.9325 ￥3.45
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型号：STU417S-VB 编号：C558293

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.337 ￥2.46
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￥1.4725 ￥1.55

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型号：SI4413DY-T1-E3-VB 编号：C5878840

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥3.009 ￥3.54
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￥2.38 ￥2.8
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￥1.7765 ￥2.09
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￥1.53 ￥1.8

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型号：TPC8214-H-VB 编号：C20755115

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款一款双N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。SOP8；2个N—Channel沟道,100V；5.8A；RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；

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￥3.06 ￥3.6
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￥1.666 ￥1.96
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￥1.581 ￥1.86

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型号：AOD425-VB 编号：C879027

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥3.2585 ￥3.43
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￥2.6125 ￥2.75
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￥1.6055 ￥1.69

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型号：MAC3030-8G 编号：C184145

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

主要设计用于全波交流控制应用，如调光器、电机控制、加热控制和电源；或任何需要全波硅栅控固态器件的场合。三端双向可控硅型晶闸管在施加正或负门极触发信号时，对于任一极性的主端子电压，都能从阻断状态切换到导通状态。

数据手册

1+
￥3.6859 ￥8.99
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￥2.7249 ￥8.79
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￥1.8207 ￥8.67
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￥1.7934 ￥8.54

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型号：AP4951GM-VB 编号：C709914

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.8845 ￥4.57
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￥3.128 ￥3.68
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￥2.754 ￥3.24
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￥2.0315 ￥2.39

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型号：SI9948DY-T1-E3-VB 编号：C19711282

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥3.8845 ￥4.57
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￥3.128 ￥3.68
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￥2.754 ￥3.24
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￥2.3715 ￥2.79
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￥2.1505 ￥2.53
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￥2.0315 ￥2.39

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型号：IRF7342QTRPBF-VB 编号：C7463642

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥3.9185 ￥4.61
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￥3.162 ￥3.72
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￥2.788 ￥3.28
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￥2.414 ￥2.84
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￥2.1845 ￥2.57
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￥2.074 ￥2.44

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型号：FDS9948-NL-VB 编号：C20755499

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.046 ￥4.76
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￥3.2895 ￥3.87
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￥2.907 ￥3.42
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￥2.533 ￥2.98
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￥2.312 ￥2.72
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￥2.193 ￥2.58

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型号：IRF7342D2TRPBF-VB 编号：C19711371

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.046 ￥4.76
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￥3.2895 ￥3.87
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￥2.907 ￥3.42
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￥2.193 ￥2.58

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型号：ZXMP6A18DN8TC-VB 编号：C19711367

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.046 ￥4.76
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￥3.2895 ￥3.87
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￥2.907 ￥3.42
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￥2.533 ￥2.98
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￥2.193 ￥2.58

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型号：UPA1774G-VB 编号：C19188146

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.046 ￥4.76
10+
￥3.2895 ￥3.87
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￥2.907 ￥3.42
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型号：STS3DPFS45-VB 编号：C19711189

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.046 ￥4.76
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￥2.193 ￥2.58

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型号：ZXMP6A18DN8TA-VB 编号：C692976

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.046 ￥4.76
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￥2.193 ￥2.58

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型号：SQ4961EY-T1-GE3-VB 编号：C19711182

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.046 ￥4.76
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￥3.2895 ￥3.87
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￥2.193 ￥2.58

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型号：RSC6105S 编号：C19674323

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

1+
￥4.218 ￥4.44
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￥3.3915 ￥3.57
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￥2.983 ￥3.14
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￥2.5745 ￥2.71
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￥2.337 ￥2.46
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￥2.204 ￥2.32

有货

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型号：AUIRF7342QTRPBF-VB 编号：C20755125

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.3415 ￥4.57
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￥3.496 ￥3.68
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￥3.078 ￥3.24
100+
￥2.6505 ￥2.79
500+
￥2.4035 ￥2.53
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￥2.2705 ￥2.39

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型号：SI9948AEY-T1-GE3-VB 编号：C19711281

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.3415 ￥4.57
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￥3.496 ￥3.68
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￥3.078 ￥3.24
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￥2.6505 ￥2.79
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￥2.4035 ￥2.53
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￥2.2705 ￥2.39

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型号：CH552T 编号：C111367

封装：TSSOP-20

品牌：WCH(南京沁恒)

CH552芯片是一款兼容MCS51指令集的增强型E8051内核单片机，其79%的指令是单字节单周期指令，平均指令速度比标准MCS51快8-15倍。CH552支持最高24MHz系统主频，内置16K程序存储器ROM和256字节内部iRAM以及1K字节片内xRAM，xRAM支持DMA直接内存存取。CH552内置了ADC模数转换、触摸按键电容检测、3组定时器和信号捕捉及PWM、双异步串口、SPI、USB设备控制器和全速收发器等功能模块。CH551是CH552的简化版，程序存储器ROM为10K，片内xRAM为512字节，异步串口仅UART0，封装形式仅SOP16，触摸按键仅4通道，并且去掉了ADC模数转换模块和USB type-C模块，其它与CH552相同，可直接参考CH552手册和资料。

数据手册

1+
￥4.52
10+
￥3.62
30+
￥3.17
72+
￥2.63
504+
￥2.36
1008+
￥2.22

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型号：SPP15P10PL H-VB 编号：C7568920

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种领域和模块，可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。TO220；P—Channel沟道,-100V；-23A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥5.202 ￥6.12
10+
￥4.2245 ￥4.97
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￥3.74 ￥4.4
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￥3.2555 ￥3.83
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￥2.822 ￥3.32

有货

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型号：FQP17P10-VB 编号：C7494597

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种领域和模块，可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。TO220；P—Channel沟道,-100V；-23A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥5.586 ￥5.88
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￥4.4935 ￥4.73
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￥3.952 ￥4.16
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￥2.926 ￥3.08

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型号：RSC6107S 编号：C19674324

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

1+
￥5.6905 ￥5.99
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￥4.541 ￥4.78
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￥3.9615 ￥4.17
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￥3.3915 ￥3.57
500+
￥3.0495 ￥3.21
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￥2.8785 ￥3.03

有货

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型号：CH554P 编号：C5180450

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：WCH(南京沁恒)

CH554芯片是一款兼容MCS51指令集的增强型E8051内核单片机，其 79% 的指令是单字节单周期指令，平均指令速度比标准MCS51快 8-15 倍。CH554支持最高24MHz系统主频，内置16K程序存储器ROM和256字节内部iRAM以及1K字节片内xRAM，xRAM支持DMA直接内存存取。CH554内置了ADC模数转换、触摸按键电容检测、3组定时器和信号捕捉及PWM、双异步串口、SPI等功能模块，支持USB-Host主机模式和USB-Device设备模式。

1+
￥6.33
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￥5.17
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￥4.54
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￥3.83

有货

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型号：RSC6112S 编号：C19674325

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

1+
￥7.239 ￥7.62
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￥5.947 ￥6.26
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￥5.2345 ￥5.51
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￥4.427 ￥4.66
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型号：TSSP4P38 编号：C3742778

封装：SIP-3

品牌：VISHAY(威世)

是用于接近感应应用的紧凑型红外探测器模块。接收38kHz调制信号，峰值灵敏度为940nm。探测器输出脉冲的长度与被检测物体反射的光量成正比。

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型号：R6511KND3TL1-HXY 编号：C52098379

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，确保器件在驱动信号下的稳定关断与导通。依托碳化硅材料的高耐压与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具备优异的热稳定性和耐久性。典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、光伏逆变单元、高密度电源模块及高压直流变换装置，适用于对转换效率和功率密度有较高需求的电力电子设计场景。

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