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封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.3685 ￥1.61
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￥1.343 ￥1.58
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型号：XP132A11A1SR-VB 编号：C878990

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥1.39111 ￥1.6366
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￥0.93823 ￥1.1038
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￥0.768655 ￥0.9043
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型号：AOD425A-VB 编号：C557965

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.4195 ￥1.67
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￥1.3855 ￥1.63
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￥1.343 ￥1.58

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型号：SI4441EY-T1-E3-VB 编号：C7463618

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥1.428 ￥1.68
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型号：TPC8126-VB 编号：C7429131

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.4365 ￥1.69
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￥1.411 ￥1.66
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￥1.3685 ￥1.61

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型号：NTMS4177PR2G-VB 编号：C7429087

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥1.4365 ￥1.69
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￥1.411 ￥1.66
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￥1.3855 ￥1.63
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型号：VBZE40P03 编号：C700643

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.4875 ￥1.75
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￥1.4535 ￥1.71
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￥1.4365 ￥1.69
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型号：9435-VB 编号：C20417493

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥1.507475 ￥1.7735
50+
￥1.190425 ￥1.4005
150+
￥1.054595 ￥1.2407
500+
￥0.88502 ￥1.0412
2500+
￥0.77809 ￥0.9154
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￥0.732785 ￥0.8621

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型号：FDS9400A-NL-VB 编号：C5441223

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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5+
￥1.538925 ￥1.8105
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￥1.221875 ￥1.4375
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￥1.086045 ￥1.2777
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￥0.91647 ￥1.0782
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￥0.77809 ￥0.9154
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￥0.732785 ￥0.8621

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型号：VBE2317 编号：C416263

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.547 ￥1.82
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￥1.513 ￥1.78
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￥1.496 ￥1.76
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型号：AP4407GM-VB 编号：C558079

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.5865 ￥1.67
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型号：VBA3108N 编号：C7429143

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款一款双N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。SOP8；2个N—Channel沟道,100V；5.8A；RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；

1+
￥1.615 ￥1.9
10+
￥1.581 ￥1.86
30+
￥1.5555 ￥1.83
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￥1.53 ￥1.8

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型号：SI4413DY-T1-E3-VB 编号：C5878840

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥1.615 ￥1.9
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￥1.581 ￥1.86
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￥1.53 ￥1.8

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型号：IRF7424TRPBF-VB 编号：C558153

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.6625 ￥1.75
10+
￥1.634 ￥1.72
30+
￥1.615 ￥1.7
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￥1.5865 ￥1.67

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型号：AP9435M-VB 编号：C18795073

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.76301 ￥1.8558
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￥1.408755 ￥1.4829
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￥1.06742 ￥1.1236
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￥0.818995 ￥0.8621

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型号：BSO072N03S-VB 编号：C693191

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥1.84807 ￥2.1742
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￥1.46676 ￥1.7256
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￥1.30339 ￥1.5334
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￥1.099475 ￥1.2935
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￥0.95421 ￥1.1226

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型号：IRF7475TRPBF-VB 编号：C5456509

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.98398 ￥2.0884
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￥1.557905 ￥1.6399
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￥1.37522 ￥1.4476
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￥1.14741 ￥1.2078
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型号：IRF7463TRPBF-VB 编号：C5456508

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥1.98398 ￥2.0884
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￥1.37522 ￥1.4476
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￥1.14741 ￥1.2078
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￥1.04595 ￥1.101
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￥0.985055 ￥1.0369

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型号：IRF5803D2TRPBF-VB 编号：C7568805

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.1505 ￥2.53
10+
￥2.0995 ￥2.47
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￥2.0655 ￥2.43
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￥2.0315 ￥2.39

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型号：STS3DPFS45-VB 编号：C19711189

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.1505 ￥2.53
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￥2.0995 ￥2.47
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￥2.0655 ￥2.43
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￥2.0315 ￥2.39

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型号：RSC6105S 编号：C19674323

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

1+
￥2.337 ￥2.46
10+
￥2.28 ￥2.4
30+
￥2.242 ￥2.36
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￥2.204 ￥2.32

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型号：HAT1038R-VB 编号：C4355144

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.9865 ￥4.69
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￥3.23 ￥3.8
30+
￥2.856 ￥3.36
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￥2.482 ￥2.92
500+
￥2.1505 ￥2.53
1000+
￥2.0315 ￥2.39

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型号：FSV9523 编号：C5336461

封装：QFN-32(5x5)

品牌：Forsinve(福芯微)

FSV9523 是一个高度集成的无接触读写器，用于 13.56 MHz 的无接触通信。FSV9523 支持 ISO/IEC 14443 A/MIFARE 模式。内部发射器能够驱动无需额外有源电路即可与 ISO/IEC 14443 A/MIFARE 卡和应答器通信的读写器天线。接收模块提供了一个强大的和高效的解调和解码实现，用于从 ISO/IEC 14443 A/MIFARE 兼容卡和应答器解调和解码信号。数字模块管理完整的 ISO/IEC 14443 A 帧和错误检测（奇偶校验和 CRC）功能。

数据手册

1+
￥4.8
10+
￥4.35
30+
￥4.11
100+
￥3.83
490+
￥3.7

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型号：AT32F425K8T7 编号：C7420223

封装：LQFP32-7X7

品牌：ARTERY(雅特力)

特性：内核：ARM 32位Cortex-M4 CPU，最高96MHz工作频率，带存储器保护单元（MPU），内建单周期乘法和硬件除法，具有DSP指令集。存储器：32K字节到64K字节的闪存存储器，4K字节的启动程序代码区作启动加载程序用，可一次性配置成一般用户区，sLib可将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取，20K字节的SRAM。电源控制（PWC）：2.4V至3.6V供电，上电复位（POR）、低电压复位（LVR）、电源电压监测器（PVM），低功耗模式有睡眠、深睡眠和待机，6个WKUP引脚可唤醒待机模式，支持5个32位的电池供电寄存器（BPR）。时钟和复位管理（CRM）：4至25MHz晶体振荡器（HEXT），内置经出厂调校的48MHz高速时钟（HICK），25°C达1%精度，-40°C至 + 105°C达2%精度，带自动时钟校准（ACC）功能，PLL可灵活配置倍频和分频系数，32kHz晶振（LEXT），低速内部时钟（LICK）。模拟模块：1个12位2MSP A/D转换器，多达16个外部输入通道，硬件过采样最高达16位分辨率，内部参考电压（VINTRV）。 DMA：1个7通道DMA控制器，支持完全弹性映射。多达55个快速GPIO端口：所有GPIO口可以映像到16个外部中断（EXINT），几乎所有GPIO口可容忍5V输入信号。多达13个定时器（TMR）：1个16位7通道高级定时器，包括3对互补通道PWM输出，带死区控制和紧急刹车功能；多达6个16位和1个32位通用定时器，每个定时器最多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入；高级和通用定时器合计提供多达24通道PWM；2个16位基本定时器；2个看门狗定时器（一般型WDT和窗口型WWDT）；系统滴答定时器为24位递减计数器

1+
￥6.45
10+
￥5.34
30+
￥4.73
100+
￥4.04

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型号：TSOP2238 编号：C3000813

封装：SIP-3-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

用于红外遥控系统的小型红外接收模块。PIN二极管和前置放大器组装在引线框架上，环氧封装中包含一个红外滤波器。解调后的输出信号可直接连接到微处理器进行解码。TSOP24..、TSOP44..系列器件经过优化，可抑制几乎所有来自Wi-Fi和CFL源的杂散脉冲。如果连续传输，它们可能会抑制一些数据信号。TSOP22..、TSOP48..系列器件主要用于与旧的AGC2设计兼容。新设计应优先选择包含较新AGC4的TSOP24..、TSOP44..系列。这些组件未根据汽车规格进行鉴定。

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1+
￥7.12
10+
￥5.85
30+
￥5.15

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型号：ATSAMD10D14A-SSUT 编号：C2053154

封装：SOIC-20-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SMART™ SAM D10 是一系列低功耗微控制器，采用32位ARM Cortex -M0+处理器，引脚数从14到24不等，Flash容量最高可达16KB，SRAM容量为4KB。SAM D10设备的最大工作频率为48MHz，达到2.46 Coremark/MHz。它们设计用于简单直观的迁移，具有相同的外设模块、兼容的十六进制代码、相同的线性地址映射和所有产品系列之间的引脚兼容迁移路径。所有设备都包括智能灵活的外设、用于外设间信号传递的Atmel事件系统以及支持电容触摸按钮、滑块和轮子用户界面。SAM D10系列与SAM D家族中的其他产品系列兼容，可以轻松迁移到具有更多功能的更大设备。 SAM D10设备提供以下特性：可在线编程的Flash、六通道直接存储器访问（DMA）控制器、六通道事件系统、可编程中断控制器、最多22个可编程I/O引脚、32位实时时钟和日历、两个16位定时器/计数器（TC）和一个24位用于控制的定时器/计数器（TCC），每个TC可以配置为执行频率和波形生成、精确程序执行定时或输入捕获，并对数字信号进行时间和频率测量。TC可以以8位或16位模式运行，选定的TC可以级联形成32位TC，其中一个定时器/计数器具有针对电机、照明和其他控制应用优化的扩展功能。该系列提供多达三个串行通信模块（SERCOM），每个模块可以配置为USART、UART、SPI、I2C（最高3.4MHz）、SMBus、PMBus和LIN从机；最多10通道350ksps 12位ADC，具有可编程增益和可选过采样和抽取，支持高达16位分辨率，一个10位350ksps DAC，两个带窗口模式的模拟比较器，支持多达72个按钮、滑块、轮子和接近感应的外围触摸控制器；可编程看门狗定时器、掉电检测器和上电复位以及两引脚串行线调试（SWD）编程和调试接口。所有设备都具有准确且低功耗的外部和内部振荡器。所有振荡器都可以用作系统时钟的源。不同的时钟域可以独立配置为以不同的频率运行，从而通过使每个外设以其最佳时钟频率运行来节省功耗，同时保持高CPU频率并降低功耗。SAM D10设备有两种软件可选的睡眠模式：空闲和待机。在空闲模式下，CPU停止运行，而所有其他功能可以继续运行。在待机模式下，除了选择继续运行的功能外，所有时钟和功能都停止。设备支持SleepWalking功能。此功能允许外设基于预定义条件从睡眠中唤醒，从而使CPU仅在需要时唤醒，例如当阈值被超过或结果准备好时。事件系统支持同步和异步事件，允许外设即使在待机模式下也能接收、响应和发送事件。Flash程序存储器可以通过SWD接口在线重新编程。同一接口可用于非侵入式的片上调试和跟踪应用程序代码。运行在设备中的引导加载程序可以使用任何通信接口下载和升级Flash存储器中的应用程序程序。 SAM D10设备得到了全面的程序和系统开发工具的支持，包括C编译器、宏汇编器、程序调试器/仿真器、编程器和评估套件。

数据手册

1+
￥8.4706 ￥20.66
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型号：ACS724LLCTR-30AB-T 编号：C22392332

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

ACS724是一款高性能霍尔效应电流传感器，可以更为有效地测量交流（AC）或者直流（DC）电流，可广泛应用于工业，消费类及通信类设备。ACS724系列内部集成了一颗高精度、低噪声的线性霍尔电路和一根低阻抗的主电流回路导线，当采样电流流经主电流回路时，其产生的磁场在霍尔电路上感应出相应的电信号，经过信号处理电路输出电压信号，使得产品输出严格地与被测电流值成比例。线性霍尔电路采用先进的BCDMOS制程生产，其中包含了高灵敏度霍尔传感器、霍尔信号预放大器、高精度霍尔温度补偿单元、振荡器、动态失调消除电路和放大器输出模块。在无磁场的情况下，电流传感器静态输出为 50% Vcc 。在电源电压5V条件下，传感器静态输出可以在 0.2~4.8V 之间随磁场线性变化，线性度可达 0.4% 。ACS724内部集成的动态失调消除电路使传感器的灵敏度不受外界压力和IC封装应力的影响。ACS724提供SOP8封装，工作温度范围 -40~150°C ，符合RoHS标准。

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型号：IPA60R250CPXKSA1-HXY 编号：C52098393

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为160mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，确保器件在驱动信号下的可靠关断与增强型开启。采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关能力，适用于高效率电源转换拓扑，如图腾柱PFC、同步整流及高功率密度开关电源模块，有助于提升系统能效并减小散热设计负担。

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型号：AT9880B 编号：C42371070

封装：QFN-40L-EP(5x5)

品牌：杭州中科微

AT9880B是一款高性能北斗单模卫星导航接收机SOC单芯片，芯片集成射频前端和数字基带、北斗多频卫星信号处理引擎、电源管理功能。芯片支持接收中国北斗二号和北斗三号，支持接收B1I、B1C、B2I、B3I、B2a和B2b等频点信号。

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型号：ATMEGA88-20AU 编号：C1339984

封装：TQFP-32(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AVR 内核结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现了比传统CISC微控制器快达十倍的吞吐量。ATmega48/V/ 88/V /168/V 提供以下功能：4K/8K/16K字节的具有读写同时能力的系统内可编程闪存、256/512/512字节的EEPROM、512/1K/1K字节的SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、实时时钟（RTC）、三个带有比较模式和PWM的灵活定时器/计数器、1个可编程串行USART、1个面向字节的两线串行接口（I2C）、一个6通道10位ADC（在TQFP和QFN/MLF封装中有8个通道）、带内部振荡器的可编程看门狗定时器、SPI串行端口以及六种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许SRAM、定时器/计数器、SPI端口和中断系统继续工作。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在节能模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU及除异步定时器和ADC外的所有I/O模块以最小化ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于睡眠状态。这使得快速启动与低功耗相结合成为可能。在扩展待机模式下，主振荡器和异步定时器均继续运行。Atmel提供了QTouch 库，用于将电容触摸按钮、滑块和转轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供了强大的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，还包括相邻按键抑制（AKS™）技术，以确保对按键事件的明确检测。易于使用的QTouch套件工具链允许您探索、开发并调试自己的触摸应用程序。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行在AVR核心上的片上引导程序重新编程程序存储器。引导程序可以使用任何接口下载应用程序至应用Flash存储器中。当应用Flash部分被更新时，Boot Flash部分中的软件将继续运行，提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与系统内自编程Flash结合在同一芯片上， ATmega48/V/ 88/V /168/V 成为一种功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48/V/ 88/V /168/V 得到了完整的程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

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