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封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.907725 ￥0.9555
50+
￥0.88749 ￥0.9342
150+
￥0.874 ￥0.92
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￥0.86051 ￥0.9058

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型号：AO4401-VB 编号：C5137437

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.908485 ￥0.9563
50+
￥0.88825 ￥0.935
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￥0.87476 ￥0.9208
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￥0.861175 ￥0.9065

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型号：MDS1653URH-VB 编号：C20755372

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
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￥0.910435 ￥1.0711
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￥0.8959 ￥1.054
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￥0.881365 ￥1.0369

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型号：UPA1701AG-VB 编号：C20755311

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
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￥0.910435 ￥1.0711
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￥0.8959 ￥1.054
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￥0.881365 ￥1.0369

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型号：DMN4800LSS-13-VB 编号：C20755153

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥0.932195 ￥1.0967
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￥0.910435 ￥1.0711
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￥0.8959 ￥1.054
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￥0.881365 ￥1.0369

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型号：FDS8817NZ-NL-VB 编号：C19190268

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
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￥0.910435 ￥1.0711
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￥0.8959 ￥1.054
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￥0.881365 ￥1.0369

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型号：HAT2068RJ-VB 编号：C19711243

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
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￥0.910435 ￥1.0711
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￥0.8959 ￥1.054
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￥0.881365 ￥1.0369

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型号：STN4392S8RG-VB 编号：C2680809

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
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￥0.940525 ￥1.1065
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￥0.92599 ￥1.0894

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型号：AP4425GM-VB 编号：C2680871

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥0.97682 ￥1.1492
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￥0.95506 ￥1.1236
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￥0.940525 ￥1.1065
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￥0.92599 ￥1.0894

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型号：AFN4172WSS8RG-VB 编号：C5444616

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
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￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

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型号：PV600BA-VB 编号：C558229

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.028415 ￥1.2099
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￥1.006655 ￥1.1843
150+
￥0.99212 ￥1.1672
500+
￥0.977585 ￥1.1501

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型号：RSS125N03TB-VB 编号：C18794975

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.054255 ￥1.2403
50+
￥1.03241 ￥1.2146
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￥1.017875 ￥1.1975
500+
￥1.003425 ￥1.1805

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型号：MT6680-VB 编号：C710019

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.05808 ￥1.2448
50+
￥1.03632 ￥1.2192
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￥1.021785 ￥1.2021
500+
￥1.00725 ￥1.185

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型号：FDS6680-NL-VB 编号：C7525070

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.076825 ￥1.1335
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￥1.052505 ￥1.1079
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￥1.03626 ￥1.0908
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￥1.020015 ￥1.0737

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型号：FDC658AP-VB 编号：C878861

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.12863 ￥1.3278
50+
￥0.87601 ￥1.0306
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￥0.76772 ￥0.9032
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￥0.632655 ￥0.7443
3000+
￥0.612595 ￥0.7207
6000+
￥0.57647 ￥0.6782

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型号：SI4874DY-T1-E3-VB 编号：C18795029

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.178285 ￥1.2403
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￥1.15387 ￥1.2146
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￥1.137625 ￥1.1975
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￥1.121475 ￥1.1805

有货

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型号：NTGS3433T1G-VB 编号：C20755063

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.2019 ￥1.414
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￥0.94911 ￥1.1166
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￥0.84082 ￥0.9892
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￥0.70567 ￥0.8302
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￥0.620415 ￥0.7299
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型号：RRQ030P03TR-VB 编号：C558233

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.226975 ￥1.4435
50+
￥0.974185 ￥1.1461
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￥0.865895 ￥1.0187
500+
￥0.730745 ￥0.8597
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

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型号：AP4423GM-HF-VB 编号：C19632215

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.241 ￥1.46
10+
￥1.2155 ￥1.43
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￥1.19 ￥1.4
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￥1.173 ￥1.38

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型号：VBZA4420 编号：C700587

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.2835 ￥1.51
10+
￥1.258 ￥1.48
30+
￥1.2325 ￥1.45
100+
￥1.2155 ￥1.43

有货

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型号：AM4407P-T1-PF-VB 编号：C19188100

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.292 ￥1.52
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￥1.258 ￥1.48
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￥1.241 ￥1.46
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￥1.224 ￥1.44

有货

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型号：MMZ1005D121ET000 编号：C7303942

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。与MMZ系列相比，将自谐振频率（SRF）提高到GHz频段，单个元件可在较宽频率范围内应对噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。采用四种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

5+
￥1.29555 ￥1.4395
50+
￥1.0296 ￥1.144
150+
￥0.91566 ￥1.0174
500+
￥0.77346 ￥0.8594

有货

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型号：RSS090P03-TB-VB 编号：C5456589

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.3005 ￥1.53
10+
￥1.2665 ￥1.49
30+
￥1.2495 ￥1.47
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￥1.2325 ￥1.45

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型号：P4402FAG-VB 编号：C19626852

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
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￥0.760665 ￥0.8007
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￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：SI3443DV-T1-GE3-VB 编号：C7524969

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
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￥0.911715 ￥0.9597
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￥0.760665 ￥0.8007
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￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：BSL207SP-VB 编号：C20755474

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：TPC8108-VB 编号：C878965

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.3345 ￥1.57
10+
￥1.309 ￥1.54
30+
￥1.292 ￥1.52
100+
￥1.2665 ￥1.49

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型号：HAT1047RJ-VB 编号：C878993

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.3345 ￥1.57
10+
￥1.309 ￥1.54
30+
￥1.292 ￥1.52
100+
￥1.2665 ￥1.49

有货

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型号：CPH6341-TL-E-VB 编号：C7525064

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.339215 ￥1.4097
50+
￥1.056685 ￥1.1123
150+
￥0.935655 ￥0.9849
500+
￥0.784605 ￥0.8259
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￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

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型号：NLAS2750MUTAG-HXY 编号：C49108277

封装：QFN-14(1.4x1.8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该模拟开关/多路复用器采用单刀双掷（SPDT）拓扑结构，集成两个独立可控通道，适用于多种信号切换与路由控制场景。器件支持1.5V至5.5V宽电压工作范围，具备良好的电源适应性。导通电阻典型值为1.5Ω，可有效减少信号传输过程中的衰减与失真。凭借低功耗设计和高信号完整性表现，广泛用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的模拟或数字信号管理电路中。

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