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封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。

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￥0.33877 ￥0.3566
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￥0.17974 ￥0.1892

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型号：VB2470 编号：C42412383

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

SOT23；P—Channel沟道,-40V；-3.6A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于便携式电子产品、电池保护电路、信号开关和小型电源逆变器等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。

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￥0.41306 ￥0.4348

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型号：UT3443L-AG6-R-VB 编号：C20755271

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：ZXM62P03E6TA-VB 编号：C20755323

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.176825 ￥1.3845
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￥0.924035 ￥1.0871
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型号：UPA1914TE-VB 编号：C20755128

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：DMP3056LDM-7-VB 编号：C20755155

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：UPA1919TE-VB 编号：C20754976

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：SI3441DV-T1-E3-VB 编号：C20754960

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：SI3469DV-T1-GE3-VB 编号：C20755242

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：IRLMS5703TRPBF-VB 编号：C20755080

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.176825 ￥1.3845
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型号：TPC6108-VB 编号：C20755404

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.176825 ￥1.3845
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型号：IRF5803GTRPBF-VB 编号：C7524958

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.198245 ￥1.4097
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￥0.945455 ￥1.1123
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型号：HAT1044M-EL-E-VB 编号：C7524956

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.198245 ￥1.4097
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￥0.945455 ￥1.1123
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￥0.702015 ￥0.8259
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￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

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型号：IRF5803TRPBF-VB 编号：C558144

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.20156 ￥1.4136
50+
￥0.94894 ￥1.1164
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￥0.84065 ￥0.989
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￥0.7055 ￥0.83
3000+
￥0.62016 ￥0.7296
6000+
￥0.584035 ￥0.6871

有货

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型号：NTGS3433T1G-VB 编号：C20755063

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.2019 ￥1.414
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￥0.94911 ￥1.1166
150+
￥0.84082 ￥0.9892
500+
￥0.70567 ￥0.8302
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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型号：HL3063 编号：C48783753

封装：DIP-6

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

可控硅输出光耦是一种实现电-光-电信号转换与电气隔离的关键元件，广泛应用于各类电子设备中。该器件采用双向可控硅结构，支持最大正向工作电流50mA，适用于多种负载控制场合。其正向压降为1.2V，有助于降低发热并提升系统能效。输入与输出端之间提供高达5kVrms的隔离电压，有效保障电路安全与抗干扰性能。此类光耦常用于通信模块、家电控制板及电源管理系统中，在实现精准控制的同时完成高压隔离，提升整体系统的稳定性和可靠性。

5+
￥1.2031
50+
￥0.9511
130+
￥0.8431
520+
￥0.7084

有货

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型号：UPA1917TE-VB 编号：C5355734

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.206405 ￥1.4193
50+
￥0.953615 ￥1.1219
150+
￥0.845325 ￥0.9945
500+
￥0.710175 ￥0.8355
3000+
￥0.649995 ￥0.7647
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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型号：IRLMS6802TRPBF-VB 编号：C558181

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.22434 ￥1.4404
50+
￥0.97172 ￥1.1432
150+
￥0.86343 ￥1.0158
500+
￥0.728365 ￥0.8569
3000+
￥0.66827 ￥0.7862
6000+
￥0.632145 ￥0.7437

有货

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型号：FDC658AP-VB 编号：C878861

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.22451 ￥1.4406
50+
￥0.97189 ￥1.1434
150+
￥0.8636 ￥1.016
500+
￥0.728535 ￥0.8571
3000+
￥0.668355 ￥0.7863
6000+
￥0.632315 ￥0.7439

有货

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型号：SI3457DV-T1-E3-VB 编号：C7494505

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.224935 ￥1.4411
50+
￥0.97223 ￥1.1438
150+
￥0.86394 ￥1.0164
500+
￥0.72879 ￥0.8574
3000+
￥0.66861 ￥0.7866
6000+
￥0.632485 ￥0.7441

有货

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型号：SI3455ADV-T1-GE3-VB 编号：C19632037

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.864025 ￥1.0165
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￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：SI3433CDV-T1-GE3-VB 编号：C18212519

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.864025 ￥1.0165
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￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：IRF5806TRPBF-VB 编号：C20417603

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：ZXMP4A57E6-VB 编号：C19626749

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.668695 ￥0.7867
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￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：FDC634P-VB 编号：C20626369

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.668695 ￥0.7867
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￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：AO6401A-VB 编号：C20754972

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：FDC606P-VB 编号：C7568934

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：FDC610PZ-VB 编号：C7568935

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：CPH6355-VB 编号：C5179577

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.249075 ￥1.4695
50+
￥0.996285 ￥1.1721
150+
￥0.887995 ￥1.0447
500+
￥0.75276 ￥0.8856
3000+
￥0.66249 ￥0.7794
6000+
￥0.62645 ￥0.737

有货

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型号：RT5047BGSP 编号：C2962577

封装：SOP-8-EP

品牌：RICHTEK(立锜)

RT5047B是一款高度集成的电压调节器和接口IC,专为向高级卫星接收器模块提供电源和控制信号而设计。它包括独立的电流模式升压控制器和低dropout线性稳压器,以及22kHz音调整形电路,支持DiSEqcTM1.x通信。

数据手册

1+
￥1.2936 ￥1.96
10+
￥0.9632 ￥1.72
30+
￥0.7452 ￥1.62
100+
￥0.6854 ￥1.49
500+
￥0.6624 ￥1.44
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