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1个P沟道耐压:30V

型号：FDC606P-VB 编号：C7568934

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.69887 ￥0.8222
50+
￥0.68442 ￥0.8052
150+
￥0.674815 ￥0.7939
500+
￥0.66521 ￥0.7826

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：FDC610PZ-VB 编号：C7568935

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.69887 ￥0.8222
50+
￥0.68442 ￥0.8052
150+
￥0.674815 ￥0.7939
500+
￥0.66521 ￥0.7826

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：SI3441BDV-T1-GE3-VB 编号：C7568910

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.69887 ￥0.8222
50+
￥0.68442 ￥0.8052
150+
￥0.674815 ￥0.7939
500+
￥0.66521 ￥0.7826

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：AO6409-VB 编号：C693415

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.70839 ￥0.8334
50+
￥0.69394 ￥0.8164
150+
￥0.684335 ￥0.8051
500+
￥0.67473 ￥0.7938

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：MDS3753EURH&30V-VB 编号：C19711372

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.775115 ￥0.9119
50+
￥0.75701 ￥0.8906
150+
￥0.74494 ￥0.8764
500+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：UT9435G-S08-R-VB 编号：C19711374

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.775115 ￥0.9119
50+
￥0.75701 ￥0.8906
150+
￥0.74494 ￥0.8764
500+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：9435SC-VB 编号：C20417585

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.775115 ￥0.9119
50+
￥0.75701 ￥0.8906
150+
￥0.74494 ￥0.8764
500+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：PHP109-VB 编号：C20417703

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.775115 ￥0.9119
50+
￥0.75701 ￥0.8906
150+
￥0.74494 ￥0.8764
500+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：NTMS3P03R2G-VB 编号：C20755305

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.775115 ￥0.9119
50+
￥0.75701 ￥0.8906
150+
￥0.74494 ￥0.8764
500+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：FDS9435-NL-VB 编号：C5441224

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.775115 ￥0.9119
50+
￥0.75701 ￥0.8906
150+
￥0.74494 ￥0.8764
500+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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P沟道,电流:-5.8A,耐压:-30V

型号：SI9435ADY-T1-E3-VB 编号：C2680783

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.775115 ￥0.9119
50+
￥0.75701 ￥0.8906
150+
￥0.74494 ￥0.8764
500+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：HM9435-VB 编号：C20417503

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.775115 ￥0.9119
50+
￥0.75701 ￥0.8906
150+
￥0.74494 ￥0.8764
500+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：SI4447ADY-T1-GE3&30V-VB 编号：C20417485

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.775115 ￥0.9119
50+
￥0.75701 ￥0.8906
150+
￥0.74494 ￥0.8764
500+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：IRF7205TRPBF-VB 编号：C7463682

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.78149 ￥0.9194
50+
￥0.763385 ￥0.8981
150+
￥0.751315 ￥0.8839
500+
￥0.739245 ￥0.8697

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：HAT1020R-VB 编号：C7524955

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.800955 ￥0.9423
50+
￥0.78285 ￥0.921
150+
￥0.77078 ￥0.9068
500+
￥0.758625 ￥0.8925

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：SI9803DY-T1-E3-VB 编号：C7524937

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.800955 ￥0.9423
50+
￥0.78285 ￥0.921
150+
￥0.77078 ￥0.9068
500+
￥0.758625 ￥0.8925

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AP9435GM-HF-VB 编号：C7463671

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.812175 ￥0.9555
50+
￥0.79407 ￥0.9342
150+
￥0.782 ￥0.92
500+
￥0.76993 ￥0.9058

有货

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P沟道,电流:-5.8A,耐压:-30V

型号：UPA1717G-VB 编号：C2680832

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.812175 ￥0.9555
50+
￥0.79407 ￥0.9342
150+
￥0.782 ￥0.92
500+
￥0.76993 ￥0.9058

有货

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P沟道,电流:5.8A,耐压:30V

型号：MMSF3P03HDR2G-VB 编号：C2680748

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.812175 ￥0.9555
50+
￥0.79407 ￥0.9342
150+
￥0.782 ￥0.92
500+
￥0.76993 ￥0.9058

有货

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PC354NJ0000F-HXY

型号：PC354NJ0000F-HXY 编号：C52260340

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦的输入为直流信号，驱动发光二极管产生光信号，输出端集成光电三极管用于接收并转换光信号为电信号。典型正向压降为1.2V，适用于低电压供电环境。最大允许输出电流达50mA，可支持多数中小功率负载的间接控制。电流传输比（CTR）范围为20%至300%，确保在不同老化阶段和工作条件下具备稳定的信号传递性能。广泛应用于开关电源反馈、微处理器接口隔离、通信模块信号耦合及高噪声环境下的电路隔离设计，实现安全可靠的电平匹配与干扰抑制。

5+
￥0.834575 ￥0.8785
50+
￥0.815955 ￥0.8589
150+
￥0.803605 ￥0.8459
500+
￥0.79116 ￥0.8328

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：SEM9435-VB 编号：C5137418

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.86564 ￥1.0184
50+
￥0.847535 ￥0.9971
150+
￥0.835465 ￥0.9829
500+
￥0.823395 ￥0.9687

有货

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P沟道,电流:-5.8A,耐压:-30V

型号：SM9435PSKC-TRG-VB 编号：C3040328

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.87193 ￥1.0258
50+
￥0.853825 ￥1.0045
150+
￥0.841755 ￥0.9903
500+
￥0.829685 ￥0.9761

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：DTM9435-VB 编号：C4355136

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.87193 ￥1.0258
50+
￥0.853825 ￥1.0045
150+
￥0.841755 ￥0.9903
500+
￥0.829685 ￥0.9761

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AO4449-VB 编号：C878868

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.872185 ￥1.0261
50+
￥0.85408 ￥1.0048
150+
￥0.84201 ￥0.9906
500+
￥0.82994 ￥0.9764

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：HM9435B-VB 编号：C19188189

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.87652 ￥1.0312
50+
￥0.858415 ￥1.0099
150+
￥0.846345 ￥0.9957
500+
￥0.834275 ￥0.9815

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：DMP3037LSS-13-F-VB 编号：C19188136

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.87652 ￥1.0312
50+
￥0.858415 ￥1.0099
150+
￥0.846345 ￥0.9957
500+
￥0.834275 ￥0.9815

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AM4841P-T1-PF&30V-VB 编号：C18795054

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.87652 ￥1.0312
50+
￥0.858415 ￥1.0099
150+
￥0.846345 ￥0.9957
500+
￥0.834275 ￥0.9815

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AF9435PSLA-VB 编号：C19188099

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.87652 ￥1.0312
50+
￥0.858415 ￥1.0099
150+
￥0.846345 ￥0.9957
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￥0.834275 ￥0.9815

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：GSC9435SC-VB 编号：C7568841

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.87652 ￥1.0312
50+
￥0.858415 ￥1.0099
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￥0.846345 ￥0.9957
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：IRF9335TRPBF-VB 编号：C558154

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.89233 ￥1.0498
50+
￥0.874225 ￥1.0285
150+
￥0.862155 ￥1.0143
500+
￥0.850085 ￥1.0001

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