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封装：SMB

这款肖特基二极管具有2A的正向电流（IF）和40V的反向击穿电压（VR），其正向电压降（VF）仅为0.55V，这使得它在导通状态下的能量损失较低。在反向偏置条件下，二极管的漏电流（IR）为500微安，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态条件下的最大雪崩电流（IFSM）可达50A，适合用于需要快速开关特性的高频电路中，如电子设备内的电源管理模块或通信装置的信号整流部分。

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￥1.06632 ￥1.3329
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￥0.83728 ￥1.0466
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￥0.73912 ￥0.9239
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￥0.61664 ￥0.7708
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￥0.56216 ￥0.7027
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￥0.52944 ￥0.6618

有货

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型号：BD681 编号：C50269813

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该达林顿管采用NPN型结构，集电极电流可达4A，集射极耐压为100V，适用于中等功率开关与放大电路。其直流电流增益（HFE）范围为2000至8000，具备较高的电流放大能力，适合需要高灵敏度驱动的场景。器件常用于电源管理模块、继电器驱动、LED照明控制及消费类电子产品中的信号放大与开关应用，具有响应速度快、驱动能力强的特点，可有效简化前置驱动电路设计。

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￥1.08262 ￥1.1396
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￥0.857565 ￥0.9027
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￥0.76114 ￥0.8012
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￥0.640775 ￥0.6745
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￥0.587195 ￥0.6181
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￥0.555085 ￥0.5843

有货

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型号：BD682 编号：C50269815

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具有4A的集电极电流和100V的集射极耐压，适用于中高功率的模拟与开关应用。其直流电流放大系数（HFE）在2000至8000之间，具备较高的增益性能，有利于提升信号放大精度与驱动效率。器件适用于电源管理电路、音频输出级、直流电机控制及家用电子设备中的开关调节模块，支持稳定可靠的电流控制，适合对导通损耗和响应速度有一定要求的场景。

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￥1.08262 ￥1.1396
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￥0.857565 ￥0.9027
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￥0.76114 ￥0.8012
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￥0.640775 ￥0.6745
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￥0.587195 ￥0.6181
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￥0.555085 ￥0.5843

有货

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型号：NTGS4111PT1G-VB 编号：C5878832

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.206405 ￥1.4193
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￥0.953615 ￥1.1219
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￥0.845325 ￥0.9945
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￥0.710175 ￥0.8355
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￥0.649995 ￥0.7647
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￥0.61387 ￥0.7222

有货

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型号：AP2615GY-HF-VB 编号：C18212524

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.864025 ￥1.0165
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￥0.728875 ￥0.8575
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￥0.668695 ￥0.7867
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￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：SMDJ8.0CA 编号：C49363583

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向静电和浪涌保护器件专为高性能电子系统设计，适用于信号线路及敏感电路的过压防护。其反向截止电压VRWM为8V，确保在正常工作条件下不影响电路运行；击穿电压VBR范围为8.89~9.83V，响应速度快且稳定性高；在测试电流下钳位电压VC为13.6V，有效抑制瞬态过电压。最大通流能力IPP可达220.6A，具备优异的抗静电与浪涌防护性能，广泛应用于通信设备、消费类电子产品及精密控制模块中，提供稳定可靠的电路保护支持。

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￥1.262265 ￥1.3287
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￥0.999875 ￥1.0525
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￥0.887395 ￥0.9341
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￥0.74708 ￥0.7864
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￥0.684665 ￥0.7207
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￥0.64714 ￥0.6812

有货

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型号：IRLTS2242TRPBF-VB 编号：C5878825

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
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￥1.032745 ￥1.0871
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￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：IRF5800TRPBF-VB 编号：C20754984

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.315275 ￥1.3845
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￥1.032745 ￥1.0871
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￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：SM2605PSC-VB 编号：C20755591

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.315275 ￥1.3845
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￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：SI3477DV-T1-GE3-VB 编号：C558263

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.315275 ￥1.3845
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￥1.032745 ￥1.0871
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￥0.911715 ￥0.9597
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￥0.760665 ￥0.8007
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￥0.693405 ￥0.7299
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￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：SMDJ85A 编号：C49363576

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为单向TVS/ESD保护器件，适用于电路中对静电和浪涌干扰敏感的场合。其主要参数包括：峰值脉冲电流IPP为21.9A，反向工作电压VRWM为85V，击穿电压VBR范围为94.40~104.00V，钳位电压VC为137V。该器件具备快速响应和高可靠性，可广泛应用于通信模块、便携式电子设备及信号接口等场景，为电路提供稳定高效的过压保护功能。

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￥1.32677 ￥1.3966
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￥1.050985 ￥1.1063
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￥0.93271 ￥0.9818
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￥0.78527 ￥0.8266
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￥0.719625 ￥0.7575
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￥0.6802 ￥0.716

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型号：SI3447DV-T1-E3-VB 编号：C7524970

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.339215 ￥1.4097
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￥1.056685 ￥1.1123
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￥0.935655 ￥0.9849
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￥0.784605 ￥0.8259
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￥0.693405 ￥0.7299
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￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：NTGS3455T1G-VB 编号：C5137394

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.348905 ￥1.4199
50+
￥1.066375 ￥1.1225
150+
￥0.945345 ￥0.9951
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￥0.794295 ￥0.8361
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￥0.693405 ￥0.7299
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￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：HTPSMB16CA 编号：C42402041

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），专为电路中可能出现的瞬态过电压提供快速、可靠的抑制方案。其最大峰值脉冲电流（IPP）高达27.1A，具备优异的能量吸收能力，可有效防止静电放电及外部浪涌对后级元件造成的损害。反向工作电压（VRWM）为13.6V，适用于多种低至中压电路应用场景。单通道（LINE:1通道）、双向（TYPE:Bi双向）设计，使其能够响应正负两个方向的电压冲击，增强电路兼容性与防护完整性。该器件广泛应用于便携式电子设备、通信模块及信号接口等场景，为敏感电路提供稳定、高效的保护机制。

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￥1.3648 ￥1.706
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￥1.07168 ￥1.3396
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￥0.946 ￥1.1825
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￥0.78928 ￥0.9866
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￥0.71952 ￥0.8994
6000+
￥0.6776 ￥0.847

有货

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型号：BSP32-HXY 编号：C46682432

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）适用于多种电路设计，具备1A的集电极电流（IC）能力，最大集电极-发射极电压（VCEO）可达80V，确保在高压场景下的稳定表现。其直流电流增益（HFE）范围为100至250，显示出优秀的信号放大性能；同时，特征频率（FT）达到100MHz，保证了高速开关应用的可靠性。该三极管适合用于需要精确控制与高效能的小型电子设备中，如无线通讯模块、家用电器控制器等，是提升产品效能的理想选择。

5+
￥1.37475 ￥1.5275
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￥1.089 ￥1.21
150+
￥0.96651 ￥1.0739
1000+
￥0.81369 ￥0.9041
2000+
￥0.74565 ￥0.8285
5000+
￥0.70479 ￥0.7831

有货

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型号：SMDJ15CA 编号：C49363588

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），适用于各类高精度电子系统中的电路保护。其峰值脉冲电流IPP为123A，反向工作电压VRWM为15V，击穿电压VBR范围为16.70~18.50V，钳位电压VC为24.4V，支持Bi双向保护，可有效抑制正负方向的瞬态过电压。该器件常用于通信模块、便携式设备及信号接口等场景，为电路提供稳定防护，保障设备在复杂电磁环境下的安全与稳定运行。

5+
￥1.381965 ￥1.4547
50+
￥1.094685 ￥1.1523
150+
￥0.971565 ￥1.0227
500+
￥0.81795 ￥0.861
3000+
￥0.74955 ￥0.789
6000+
￥0.70851 ￥0.7458

有货

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型号：SI3443DVTRPBF-VB 编号：C7568844

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.405715 ￥1.4797
50+
￥1.123185 ￥1.1823
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￥1.002155 ￥1.0549
500+
￥0.851105 ￥0.8959
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：HDMT36M1LPS13 编号：C42401193

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有150A的最大连续排水电流（ID/A），能够在30V的最大工作电压（VDSS/V）下运作。其导通电阻（RDSON/mR）为3毫欧姆，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下表现出色。此MOSFET适合应用于需要高效电流处理能力的场合，例如高性能计算设备中的电源管理模块、消费类电子产品的负载开关以及高速信号处理设备中的电流调节等，确保系统在大电流下的稳定性和效率。

5+
￥1.427012 ￥1.5511
50+
￥1.12056 ￥1.218
150+
￥0.989184 ￥1.0752
500+
￥0.82524 ￥0.897
2500+
￥0.752284 ￥0.8177
5000+
￥0.708492 ￥0.7701

有货

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型号：SPP9435AS8RG-VB 编号：C878964

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥1.502375 ￥1.7675
50+
￥1.18541 ￥1.3946
150+
￥1.049495 ￥1.2347
500+
￥0.880005 ￥1.0353
2500+
￥0.77809 ￥0.9154
4000+
￥0.732785 ￥0.8621

有货

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型号：WPM9435-8/TR-VB 编号：C19190181

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥1.649675 ￥1.7365
50+
￥1.295325 ￥1.3635
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￥1.143515 ￥1.2037
500+
￥0.95399 ￥1.0042
2500+
￥0.86963 ￥0.9154
4000+
￥0.818995 ￥0.8621

有货

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型号：AO4401-VB 编号：C5137437

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥1.691855 ￥1.7809
50+
￥1.337505 ￥1.4079
150+
￥1.185695 ￥1.2481
500+
￥0.99617 ￥1.0486
2500+
￥0.86963 ￥0.9154
4000+
￥0.818995 ￥0.8621

有货

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型号：PXT4401-HXY 编号：C47506896

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流（IC），适用于需要中等功率处理能力的电路。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为40V，确保在多种供电条件下稳定工作。直流电流增益（HFE）范围从100到300，使其成为放大器设计中的理想选择，尤其适合对信号放大倍数有特定要求的应用。此外，该三极管的特征频率（FT）高达300MHz，表明它非常适合于高频应用，如通信设备和射频模块，能够有效提升系统的响应速度与性能。

5+
￥1.74564 ￥1.9396
50+
￥1.38276 ￥1.5364
150+
￥1.22724 ￥1.3636
1000+
￥1.0332 ￥1.148
2000+
￥0.9468 ￥1.052
5000+
￥0.89496 ￥0.9944

有货

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型号：VBA2333 编号：C416234

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥1.77441 ￥1.8678
50+
￥1.42006 ￥1.4948
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￥1.26825 ￥1.335
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￥1.078725 ￥1.1355
2500+
￥0.86963 ￥0.9154
4000+
￥0.818995 ￥0.8621

有货

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型号：SMDJ48A 编号：C49363571

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），具备优异的瞬态电压抑制性能。其最大峰值脉冲电流IPP为38.8A，反向工作电压VRWM为48V，击穿电压范围VBR为53.30~58.90V，钳位电压VC为77.4V，采用单向（Uni）设计，能够在短时间内有效吸收高能量脉冲，降低对后级电路的冲击。该器件适用于通信模块、便携式电子设备及各类精密电子系统中的电源与信号线路保护，提供快速响应和稳定可靠的防护能力。

5+
￥1.79664 ￥1.8912
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￥1.4231 ￥1.498
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￥1.26312 ￥1.3296
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￥1.063335 ￥1.1193
3000+
￥0.974415 ￥1.0257
6000+
￥0.92112 ￥0.9696

有货

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型号：BSP31-HXY 编号：C46682441

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC），适用于中等功率的信号放大和开关应用。其集电极-发射极电压（VCEO）高达80V，确保在不同电源条件下的稳定性和可靠性。直流电流增益（HFE）范围为100至250，适合于需要适中增益的应用场景。特征频率（FT）达到100MHz，表明它也具备处理高频信号的能力，非常适合用于音频设备及通信模块中的信号放大与切换功能。该三极管凭借其参数优势，在高效能电子电路设计中占有重要位置。

5+
￥2.13192 ￥2.3688
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￥1.68876 ￥1.8764
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￥1.49877 ￥1.6653
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￥1.2618 ￥1.402
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￥1.15632 ￥1.2848
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￥1.09296 ￥1.2144

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型号：AO4425-VB 编号：C5137426

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.6315 ￥2.77
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￥2.071 ￥2.18
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￥1.824 ￥1.92
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￥1.5295 ￥1.61
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￥1.311 ￥1.38

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型号：AO4007-VB 编号：C18795032

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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型号：AC7006F4 编号：C19946120

封装：QFN-32(4x4)

品牌：JL(杰理)

特性：CPU：32 位双发射 DSP，高达 160MHz 可编程处理器，带有 IEEE754 单精度 FPU，带有 cordic 加速引擎，具有 8 个硬件断点/观察点的高级调试功能，高级系统异常捕获单元。中断：支持多达 64 个中断，具有 8 个优先级，支持 NMI，支持 SWI，优先级可配置，可通过轮询 12 个 IO 中断实现低功耗唤醒。DSP 音频处理：支持 SBC、AAC 蓝牙音频解码，支持 mSBC 蓝牙语音编解码，支持 MP2、MP3、WMA、APE、FLAC、AAC、MP4、M4A、WAV、AIF、AIFC 音频解码，支持语音处理的丢包隐藏（PLC），支持单/双麦克风环境噪声消除（ENC），支持多频段 DRC 限幅器，支持 20 频段 EQ 语音效果配置。音频编解码器：两个 24 位 DAC 通道，SNR >= 102dB，两个 24 位 DAC 通道，SNR >= 95dB，支持 8kHz/11.025kHz/16kHz/22.05kHz/24kHz/32kHz/44.1kHz/48kHz/64kHz/88.2kHz/96kHz 的 DAC 采样率，支持 8kHz/11.025kHz/16kHz/22.05kHz/24kHz/32kHz/44.1kHz/48kHz 的 ADC 采样率，两个模拟麦克风放大器，内置麦克风偏置发生器，支持四个 PDM 数字麦克风输入，两个模拟 AUX 通道，支持立体声，支持 DAC 路径的无电容、单端和双差分模式，支持 16 欧姆和 32 欧姆扬声器负载。ANC：ANC 处理引擎采样率高达 750kHz，7.5μs 模拟到模拟延迟，支持 4 个数字麦克风输入、2 个差分或单端模拟输入用于 ANC，支持 2 通道前馈、反馈、混合 ANC，ANC 模块为每个 FF/FB/音乐补偿控制包含 20 个双精度双二阶滤波器。蓝牙：符合蓝牙 V5.3+BR+EDR+BLE 规范，满足 2 类和 3 类发射功率要求，支持 GFSK 和 DQPSK 所有数据包类型，提供最大 +10dBm 发射功率，EDR 接收器最小灵敏度为 -94dBm，快速 AGC 增强动态范围，支持 a2dp\avctp\avdp\avrcp\hfp\ssp\samp\att\gap\gatt\rfcomm\sdp\l2cap 配置文件，a2dp 1.3.2\avctp 1.4\avdtp 1.3\ avrcp 1.6.2\hfp 1.8\spp 1.2\rfcomm 1.1\pnp 1.3\hid 1.1.1\sdp core5.3\l2cap core 5.3。应用：蓝牙立体声耳机。蓝牙立体声 ANC 耳机

1+
￥2.94
10+
￥2.6
30+
￥2.43
100+
￥2.26
500+
￥2.16

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型号：FUSB340TMX-HXY 编号：C49108285

封装：QFN-18(2x2.8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该USB转换芯片支持USB 3.1接口协议，提供两路独立通道，数据传输速率最高可达10Gbps，满足高速信号转换与传输需求。其工作电压范围为1.5V至5V，兼容多种低电压系统设计。芯片内部集成高性能电路，确保信号完整性与稳定性，降低传输延迟和误码率。适用于计算机外设、移动存储设备、通信模块及高性能数据采集装置等场景，为复杂信号路径管理提供高效、可靠的解决方案。

1+
￥3.7145 ￥3.91
10+
￥3.002 ￥3.16
30+
￥2.6505 ￥2.79
100+
￥2.299 ￥2.42
500+
￥2.09 ￥2.2
1000+
￥1.976 ￥2.08

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型号：LKS32MC087DM6S8 编号：C2798391

封装：SSOP-24

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS32MC08X系列MCU是32位内核的面向电机控制应用的专用处理器，集成了常用电机控制系统所需要的所有模块。具有96MHz 32位Cortex-M0内核，集成自主指令集电机控制专用DSP，超低功耗休眠模式，MCU低功耗休眠电流10uA，工业级工作温度范围，超强抗静电和群脉冲能力。工作在2.2V~5.5V电源供电（B版本芯片3.0V~5.5V电源供电），内部集成1个LDO为数字部分电路供电，工作温度为-40~105°C。内置4MHz高精度RC时钟，在-40~105°C范围内精度在±1%之内，内置低速32KHz低速时钟供低功耗模式使用，可外挂4MHz外部晶振，内部PLL可提供最高96MHz时钟。外设模块丰富，包括两路UART、一路SPI（支持主从模式）、一路IIC（支持主从模式）、一路CAN（部分型号不带CAN）、2个通用16位Timer、2个通用32位Timer、电机控制专用PWM模块、Hall信号专用接口、硬件看门狗、最多4组16bit GPIO等。模拟模块集成1路12bit SAR ADC、4路运算放大器、两路比较器、12bit DAC数模转换器、内置±2°C温度传感器、内置1.2V 0.8%精度电压基准源、内置1路低功耗LDO和电源监测电路、集成高精度低温飘高频RC时钟、集成晶体起振电路。高可靠性、高集成度、最终产品体积小、节约BOM成本；内部集成4路高速运放和两路比较器，可满足单电阻/双电阻/三电阻电流采样拓扑架构的不同需求；内部高速运放集成高压保护电路，可允许高电压共模信号直接输入芯片，可用最简单的电路拓扑实现MOSFET电阻直接电流采样模式；应用专利技术使ADC和高速运放达到最佳配合，可处理更宽的电流动态范围，同时兼顾高速小电流和低速大电流的采样精度；整体控制电路简洁高效，抗干扰能力强，稳定可靠；单电源供电，确保了系统供电的通用性；支持IEC/UL60730功能安全认证；适用于有感BLDC/无感BLDC/有感FOC/无感FOC及步进电机、永磁同步、异步电机等控制系统。

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单价：
￥3.79 / 个

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