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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

DC 3.75kV

型号：HL3H7B 编号：C48783748

封装：SSOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

晶体管输出光耦是一种常用的光电隔离器件，适用于多种电子设备中的信号传输与隔离需求。该器件输入侧采用直流电压驱动，正向压降为1.2V，确保了较低的功耗和稳定的输入特性。输出端为光电三极管结构，具备良好的线性响应能力，电流传输比（CTR）范围为130-260%，支持高效的信号转换。该参数组合使其适用于各类通用控制电路、电源管理模块、通信接口以及家电设备中的电气隔离与信号耦合场景。

10+
￥0.2584
100+
￥0.2527
300+
￥0.2488
1000+
￥0.245

有货

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单路 0805磁珠阻抗80Ω@100MHz

型号：MMZ2012S800AT000 编号：C275471

封装：0805

特性：噪音降低解决方案，适用于一般信号线。具有4种不同特性的材料，提供多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪音去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪音去除

数据手册

10+
￥0.296305 ￥0.3119
100+
￥0.237025 ￥0.2495
300+
￥0.207385 ￥0.2183
1000+
￥0.185155 ￥0.1949
4000+
￥0.16739 ￥0.1762
8000+
￥0.158555 ￥0.1669

有货

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P沟道耐压:40V 电流:3.6A

型号：VB2470 编号：C42412383

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

SOT23；P—Channel沟道,-40V；-3.6A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于便携式电子产品、电池保护电路、信号开关和小型电源逆变器等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。

5+
￥0.436715 ￥0.4597
50+
￥0.42655 ￥0.449
150+
￥0.419805 ￥0.4419
500+
￥0.41306 ￥0.4348

有货

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WP61300B

型号：WP61300B 编号：C7436964

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：WPMtek(维攀)

该器件专门设计用于保护 1 条低压或信号线以及传统 RS - 485 接口，使其免受瞬态过电压影响。静电放电（ESD）电压由 2 个瞬态电压抑制（TVS）二极管钳位。浪涌由 2 个晶闸管抑制，其击穿电压接近 25V，漏电流低至 1μA。该器件不会老化，并且在短路时提供故障安全模式，以实现更好的保护。浪涌保护模块（WPM）用于帮助设备符合各种标准，如 IEC950 / CSA C22.2 和 FCC 第 68 部分。

5+
￥0.5728
50+
￥0.4528
150+
￥0.3928
500+
￥0.3478
3000+
￥0.3118
6000+
￥0.2938

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3457DV-T1-E3-VB 编号：C7494505

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.617865 ￥0.7269
50+
￥0.6035 ￥0.71
150+
￥0.59381 ￥0.6986
500+
￥0.584205 ￥0.6873

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3455ADV-T1-GE3-VB 编号：C19632037

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：IRF5806TRPBF-VB 编号：C20417603

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3457BDV-T1-GE3-VB 编号：C7524971

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC634P-VB 编号：C20626369

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：AO6401A-VB 编号：C20754972

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UT3443L-AG6-R-VB 编号：C20755271

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3469DV-T1-GE3-VB 编号：C20755242

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UPA1914TE-VB 编号：C20755128

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：ZXM62P03E6TA-VB 编号：C20755323

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：DMP3056LDM-7-VB 编号：C20755155

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UPA1919TE-VB 编号：C20754976

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：IRLMS5703TRPBF-VB 编号：C20755080

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：TPC6108-VB 编号：C20755404

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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微功耗霍尔开关

型号：CC6211ETO 编号：C19724221

封装：TO-92S

品牌：CrossChip(成都芯进)

CC6211E是一颗微功耗、高灵敏度单极性的霍尔开关传感装置。内部电路包含了霍尔薄片、电压稳压模块、信号放大处理模块、动态失调消除模块、锁存模块以及CMOS输出级。由于使用先进的Bi-CMOS工艺，整体优化了的线路结构，使得产品获得极低的输入误差反馈。产品采用了动态失调消除技术，该技术能够消除由封装应力，热应力，以及温度梯度所造成的失调电压，提高器件的一致性。

5+
￥0.6205
50+
￥0.4861
150+
￥0.4189

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：IRF5803GTRPBF-VB 编号：C7524958

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.63937 ￥0.7522
50+
￥0.62492 ￥0.7352
150+
￥0.615315 ￥0.7239
500+
￥0.60571 ￥0.7126

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：HAT1044M-EL-E-VB 编号：C7524956

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.63937 ￥0.7522
50+
￥0.62492 ￥0.7352
150+
￥0.615315 ￥0.7239
500+
￥0.60571 ￥0.7126

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：IRF5803TRPBF-VB 编号：C558144

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.64294 ￥0.7564
50+
￥0.62849 ￥0.7394
150+
￥0.618885 ￥0.7281
500+
￥0.60928 ￥0.7168

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：NTGS4111PT1G-VB 编号：C5878832

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.647615 ￥0.7619
50+
￥0.633165 ￥0.7449
150+
￥0.623475 ￥0.7335
500+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UPA1917TE-VB 编号：C5355734

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.647615 ￥0.7619
50+
￥0.633165 ￥0.7449
150+
￥0.623475 ￥0.7335
500+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：ZXMP4A57E6-VB 编号：C19626749

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.666315 ￥0.7839
50+
￥0.651865 ￥0.7669
150+
￥0.642175 ￥0.7555
500+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：CPH6355-VB 编号：C5179577

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.6902 ￥0.812
50+
￥0.67575 ￥0.795
150+
￥0.666145 ￥0.7837
500+
￥0.65654 ￥0.7724

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SM2605PSC-VB 编号：C20755591

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.69065 ￥0.727
50+
￥0.674595 ￥0.7101
150+
￥0.663765 ￥0.6987
500+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3477DV-T1-GE3-VB 编号：C558263

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3433CDV-T1-GE3-VB 编号：C18212519

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.69887 ￥0.8222
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￥0.674815 ￥0.7939
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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：AP2615GY-HF-VB 编号：C18212524

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.69887 ￥0.8222
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