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封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.332595 ￥0.3501
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型号：2SK3018-VB 编号：C5179523

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

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￥0.335065 ￥0.3527
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型号：2N7002K-VB 编号：C3040191

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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型号：2SK1062-VB 编号：C5179514

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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型号：MMZ2012Y301BT000 编号：C275473

封装：0805

品牌：TDK

特性：通用信号线的降噪解决方案。采用4种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从通用信号到高速信号的各种情况。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和记录仪、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

数据手册

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￥0.338
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￥0.2121

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型号：2N7002-VB 编号：C4355058

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.34067 ￥0.3586
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型号：2N7002KT1G-VB 编号：C7428936

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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型号：2N7002BK-VB 编号：C693211

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

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￥0.349315 ￥0.3677
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型号：DMN5L06K-7-VB 编号：C19188203

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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型号：2N7002K-T1-E3-VB 编号：C19188188

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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型号：BSS138-VB 编号：C724995

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.362805 ￥0.3819
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型号：BVSS84LT1G-VB 编号：C7524913

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.3638 ￥0.428
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￥0.29036 ￥0.3416
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￥0.25364 ￥0.2984
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￥0.2261 ￥0.266
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￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

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型号：BAS70-06Q-13-F-HXY 编号：C52754624

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达70V。其正向压降（VF）为1.25V，反向漏电流（IR）低至2.5μA，具备良好的导通与阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要双路整流或信号钳位功能的紧凑型电子电路，常见于消费类电子产品及电源转换模块中。

10+
￥0.401185 ￥0.4223
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￥0.31958 ￥0.3364
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￥0.27873 ￥0.2934
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￥0.24814 ￥0.2612
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￥0.22363 ￥0.2354
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￥0.211375 ￥0.2225

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型号：BAS70-05Q-13-F-HXY 编号：C52754625

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为70V。其正向压降（VF）为1.25V，反向漏电流（IR）低至2.5μA，展现出优良的导通效率与关断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要双路同步整流或电平钳位的紧凑型电路结构，常见于便携设备、电源管理单元及信号处理模块中。

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￥0.401185 ￥0.4223
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￥0.31958 ￥0.3364
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￥0.27873 ￥0.2934
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￥0.24814 ￥0.2612
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￥0.22363 ￥0.2354
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￥0.211375 ￥0.2225

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型号：HL1019 编号：C48783747

封装：LSOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款晶体管输出光耦采用直流输入电压，输出端为光电三极管结构，正向压降（Vf）为1.2V，电流传输比（CTR）范围达200%-400%，具备较强的信号转换与隔离能力。器件响应速度快、一致性好，适用于开关电源、通信模块、测量仪器及各类信号隔离电路中。通过实现输入与输出电路的电气隔离，提升系统安全性与抗干扰能力，适合多种高性能电子设备应用需求。

10+
￥0.4682
100+
￥0.3722
300+
￥0.3242

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型号：CC6211ETST 编号：C19724224

封装：TSOT-23-3

品牌：CrossChip(成都芯进)

CC6211E是一颗微功耗、高灵敏度单极性的霍尔开关传感装置。内部电路包含了霍尔薄片、电压稳压模块、信号放大处理模块、动态失调消除模块、锁存模块以及CMOS输出级。由于使用先进的Bi-CMOS工艺，整体优化了的线路结构，使得产品获得极低的输入误差反馈。产品采用了动态失调消除技术，该技术能够消除由封装应力，热应力，以及温度梯度所造成的失调电压，提高器件的一致性。

5+
￥0.5541
50+
￥0.4341
150+
￥0.3741
500+
￥0.3291

有货

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型号：HSM6T33A 编号：C42401984

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为单向TVS/ESD保护器件，专用于电子电路中的静电和浪涌防护。其反向工作电压（VRWM）为28.2V，适用于中低压电路的稳定保护需求。器件可承受最高达13.3A的峰值脉冲电流（IPP），具备出色的瞬态能量吸收能力，有效保障后级电路免受损坏。采用单通道结构（LINE:1通道），适合应用于通信设备、便携式电子产品及精密控制模块中的信号线或电源线路保护，具有响应迅速、性能可靠的特点。

5+
￥0.678045 ￥0.7977
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￥0.539325 ￥0.6345
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￥0.469965 ￥0.5529
500+
￥0.417945 ￥0.4917
3000+
￥0.3604 ￥0.424
6000+
￥0.339575 ￥0.3995

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型号：CXT2222ATR-HXY 编号：C47506887

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流IC，适用于需要中等电流驱动的电路。其最大集电极-发射极电压VCEO为40V，能够适应多种电源电压的应用场景。直流电流增益HFE范围在100到300之间，确保了信号放大的稳定性和效率。特征频率FT达到300MHz，表明它在高频应用中同样表现出色。该三极管非常适合构建无线通信模块、音频处理以及需要快速响应和高精度的消费电子设备中。

5+
￥0.86382 ￥0.9598
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￥0.67824 ￥0.7536
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￥0.59877 ￥0.6653
1000+
￥0.49959 ￥0.5551
2000+
￥0.4554 ￥0.506
5000+
￥0.42885 ￥0.4765

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型号：74HC14MT/TR 编号：C5310770

封装：TSSOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

74HC14是一款高速硅栅CMOS电路，其引脚兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。该电路符合JEDEC标准no.7A。74HC14提供六路施密特倒相模块。它们能够将缓慢变化的输入信号转变成急剧变化的输出信号。

数据手册

5+
￥0.8874
50+
￥0.6969
150+
￥0.6017
500+
￥0.5302
2500+
￥0.4652
5000+
￥0.4366

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型号：BD237STU-HXY 编号：C50275334

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具有1.5A的集电极电流（IC）和80V的集电极-发射极耐压（VCEO），适用于中等功率放大与开关应用。其直流电流增益（HFE）在150至250之间，具备良好的线性放大特性和稳定性，适合用于信号放大、电源调节及驱动控制电路。较高的电压耐受能力使其可在较高电平的电路环境中可靠工作。广泛应用于消费类电子设备、家用电器控制模块、通信装置及嵌入式系统中的开关与放大功能设计。

5+
￥0.95817 ￥1.0086
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￥0.75905 ￥0.799
150+
￥0.673645 ￥0.7091
500+
￥0.56715 ￥0.597
2500+
￥0.519745 ￥0.5471
5000+
￥0.491245 ￥0.5171

有货

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型号：HFMMT720QTA 编号：C42389321

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款三极管（BJT）属于PNP型，具备稳定的电流放大特性，集电极最大允许电流IC为1.5A，能够承受最高40V的集电极-发射极电压VCEO。其电流增益HFE范围在300至480之间，提供了可靠的放大能力。此外，该三极管拥有150MHz的特征频率FT，适用于高频信号处理与放大场合，如音频设备中的信号放大模块或是通信设备中的高频电路等。

5+
￥0.984984 ￥1.1193
50+
￥0.773432 ￥0.8789
150+
￥0.682792 ￥0.7759
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￥0.569624 ￥0.6473
3000+
￥0.519288 ￥0.5901
6000+
￥0.489104 ￥0.5558

有货

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型号：HFTK3903Z 编号：C42401365

封装：DFN3X3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款55A额定电流的P沟道MOSFET，具有30V的漏源极断态电压（VDSS）和仅8毫欧的导通电阻（RDSON），确保了低损耗与高效能。其栅源极电压（VGS）范围为20V，适合用于需要精确控制的应用场合。这款场效应管适用于电源管理、信号切换及多种电子设备中的电流控制模块，能够提供稳定可靠的性能表现。

5+
￥1.039508 ￥1.1299
50+
￥0.816224 ￥0.8872
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￥0.720544 ￥0.7832
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￥0.60122 ￥0.6535
2500+
￥0.548044 ￥0.5957
5000+
￥0.51612 ￥0.561

有货

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型号：HSS24HE3AH 编号：C42389385

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2A的正向电流（IF）和40V的反向击穿电压（VR），其正向电压降（VF）仅为0.55V，这使得它在导通状态下的能量损失较低。在反向偏置条件下，二极管的漏电流（IR）为500微安，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态条件下的最大雪崩电流（IFSM）可达50A，适合用于需要快速开关特性的高频电路中，如电子设备内的电源管理模块或通信装置的信号整流部分。

5+
￥1.06632 ￥1.3329
50+
￥0.83728 ￥1.0466
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￥0.73912 ￥0.9239
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￥0.61664 ￥0.7708
3000+
￥0.56216 ￥0.7027
6000+
￥0.52944 ￥0.6618

有货

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型号：BD681 编号：C50269813

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该达林顿管采用NPN型结构，集电极电流可达4A，集射极耐压为100V，适用于中等功率开关与放大电路。其直流电流增益（HFE）范围为2000至8000，具备较高的电流放大能力，适合需要高灵敏度驱动的场景。器件常用于电源管理模块、继电器驱动、LED照明控制及消费类电子产品中的信号放大与开关应用，具有响应速度快、驱动能力强的特点，可有效简化前置驱动电路设计。

5+
￥1.08262 ￥1.1396
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￥0.857565 ￥0.9027
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￥0.76114 ￥0.8012
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￥0.640775 ￥0.6745
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￥0.587195 ￥0.6181
5000+
￥0.555085 ￥0.5843

有货

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型号：BD682 编号：C50269815

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具有4A的集电极电流和100V的集射极耐压，适用于中高功率的模拟与开关应用。其直流电流放大系数（HFE）在2000至8000之间，具备较高的增益性能，有利于提升信号放大精度与驱动效率。器件适用于电源管理电路、音频输出级、直流电机控制及家用电子设备中的开关调节模块，支持稳定可靠的电流控制，适合对导通损耗和响应速度有一定要求的场景。

5+
￥1.08262 ￥1.1396
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￥0.857565 ￥0.9027
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￥0.76114 ￥0.8012
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￥0.640775 ￥0.6745
2500+
￥0.587195 ￥0.6181
5000+
￥0.555085 ￥0.5843

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型号：AP2615GY-HF-VB 编号：C18212524

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.864025 ￥1.0165
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￥0.728875 ￥0.8575
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￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

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型号：SMDJ8.0CA 编号：C49363583

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向静电和浪涌保护器件专为高性能电子系统设计，适用于信号线路及敏感电路的过压防护。其反向截止电压VRWM为8V，确保在正常工作条件下不影响电路运行；击穿电压VBR范围为8.89~9.83V，响应速度快且稳定性高；在测试电流下钳位电压VC为13.6V，有效抑制瞬态过电压。最大通流能力IPP可达220.6A，具备优异的抗静电与浪涌防护性能，广泛应用于通信设备、消费类电子产品及精密控制模块中，提供稳定可靠的电路保护支持。

5+
￥1.262265 ￥1.3287
50+
￥0.999875 ￥1.0525
150+
￥0.887395 ￥0.9341
500+
￥0.74708 ￥0.7864
3000+
￥0.684665 ￥0.7207
6000+
￥0.64714 ￥0.6812

有货

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型号：RT5047BGSP 编号：C2962577

封装：SOP-8-EP

品牌：RICHTEK(立锜)

RT5047B是一款高度集成的电压调节器和接口IC,专为向高级卫星接收器模块提供电源和控制信号而设计。它包括独立的电流模式升压控制器和低dropout线性稳压器,以及22kHz音调整形电路,支持DiSEqcTM1.x通信。

数据手册

1+
￥1.2936 ￥1.96
10+
￥0.9632 ￥1.72
30+
￥0.7452 ￥1.62
100+
￥0.6854 ￥1.49
500+
￥0.6624 ￥1.44
1000+
￥0.644 ￥1.4

有货

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型号：IRLTS2242TRPBF-VB 编号：C5878825

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

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型号：SM2605PSC-VB 编号：C20755591

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.315275 ￥1.3845
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￥1.032745 ￥1.0871
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￥0.911715 ￥0.9597
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￥0.760665 ￥0.8007
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