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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：MMBT7002K-VB 编号：C7494577

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.30311 ￥0.3566
100+
￥0.24191 ￥0.2846
300+
￥0.21131 ￥0.2486
3000+
￥0.18836 ￥0.2216
6000+
￥0.17 ￥0.2
9000+
￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：MMFTN170-VB 编号：C693270

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.30311 ￥0.3566
100+
￥0.24191 ￥0.2846
300+
￥0.21131 ￥0.2486
3000+
￥0.18836 ￥0.2216
6000+
￥0.17 ￥0.2
9000+
￥0.16082 ￥0.1892

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：QM2N7002E3K1-VB 编号：C7525088

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.30311 ￥0.3566
100+
￥0.24191 ￥0.2846
300+
￥0.21131 ￥0.2486
3000+
￥0.18836 ￥0.2216
6000+
￥0.17 ￥0.2
9000+
￥0.16082 ￥0.1892

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002K-13-VB 编号：C20417484

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.18836 ￥0.2216
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￥0.17 ￥0.2
9000+
￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2V7002LT1G-VB 编号：C19188238

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.30311 ￥0.3566
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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：DMN601K-7-VB 编号：C20755154

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.18836 ￥0.2216
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￥0.17 ￥0.2
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￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：BSH101-VB 编号：C20755147

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.18836 ￥0.2216
6000+
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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002Q-7-F-VB 编号：C7525052

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.18836 ￥0.2216
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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：5LN01C-TB-E-VB 编号：C20755117

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.18836 ￥0.2216
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￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：BSS7728N-VB 编号：C20755038

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.18836 ￥0.2216
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￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：AP2N7002K-HF-VB 编号：C19190131

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.21131 ￥0.2486
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￥0.18836 ￥0.2216
6000+
￥0.17 ￥0.2
9000+
￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：SSM3K7002F-VB 编号：C693210

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.30311 ￥0.3566
100+
￥0.24191 ￥0.2846
300+
￥0.21131 ￥0.2486
3000+
￥0.16728 ￥0.1968
6000+
￥0.14892 ￥0.1752
9000+
￥0.139655 ￥0.1643

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：PMBF170-VB 编号：C7525038

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.30311 ￥0.3566
100+
￥0.24191 ￥0.2846
300+
￥0.21131 ￥0.2486
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￥0.18836 ￥0.2216
6000+
￥0.17 ￥0.2
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￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2SK1590A-T1B-A-VB 编号：C20417638

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.18836 ￥0.2216
6000+
￥0.17 ￥0.2
9000+
￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002A-7-F-VB 编号：C7524923

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.30311 ￥0.3566
100+
￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.18836 ￥0.2216
6000+
￥0.17 ￥0.2
9000+
￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：L2SK801LT1G-VB 编号：C20754951

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.21131 ￥0.2486
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￥0.18836 ￥0.2216
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￥0.17 ￥0.2
9000+
￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：BF1107-VB 编号：C558097

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

100+
￥0.2025
1000+
￥0.195
3000+
￥0.1875
6000+
￥0.1725
10000+
￥0.168

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：MMBF170LT1G-VB 编号：C558195

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.30328 ￥0.3568
100+
￥0.24208 ￥0.2848
300+
￥0.21148 ￥0.2488
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￥0.18853 ￥0.2218
6000+
￥0.170085 ￥0.2001
9000+
￥0.160905 ￥0.1893

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：UK3018G-AE2-R-VB 编号：C5179563

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.31076 ￥0.3656
100+
￥0.24956 ￥0.2936
300+
￥0.21896 ￥0.2576
3000+
￥0.18836 ￥0.2216
6000+
￥0.17 ￥0.2
9000+
￥0.16082 ￥0.1892

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002KB-VB 编号：C879131

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.31369 ￥0.3302
100+
￥0.24529 ￥0.2582
300+
￥0.21109 ￥0.2222
3000+
￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002T-VB 编号：C724944

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.31416 ￥0.3696
100+
￥0.253385 ￥0.2981
300+
￥0.222955 ￥0.2623
3000+
￥0.177735 ￥0.2091
6000+
￥0.15946 ￥0.1876
9000+
￥0.150365 ￥0.1769

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：BVSS138LT1G-VB 编号：C7428946

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.31858 ￥0.3748
100+
￥0.25738 ￥0.3028
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￥0.22678 ￥0.2668
3000+
￥0.185215 ￥0.2179
6000+
￥0.166855 ￥0.1963
9000+
￥0.157675 ￥0.1855

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：ELM2N7002K-S-VB 编号：C7494446

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.320535 ￥0.3771
100+
￥0.259335 ￥0.3051
300+
￥0.228735 ￥0.2691
3000+
￥0.185215 ￥0.2179
6000+
￥0.166855 ￥0.1963
9000+
￥0.157675 ￥0.1855

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002ET1G-VB 编号：C7494520

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.320535 ￥0.3771
100+
￥0.259335 ￥0.3051
300+
￥0.228735 ￥0.2691
3000+
￥0.185215 ￥0.2179
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￥0.166855 ￥0.1963
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￥0.157675 ￥0.1855

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002P-VB 编号：C20417469

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：TN2106K-VB 编号：C7494568

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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1个N沟道耐压:60V 电流:700mA

型号：VB162KX 编号：C516876

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：SSM3K15F-VB 编号：C20754938

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002-7-F-VB 编号：C7524943

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：BSS138P-VB 编号：C7525014

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.332595 ￥0.3501
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