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封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.349505 ￥0.3679
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￥0.281105 ￥0.2959
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￥0.198265 ￥0.2087
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￥0.177745 ￥0.1871
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：2N7002K-T1-E3-VB 编号：C19188188

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.349505 ￥0.3679
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￥0.281105 ￥0.2959
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￥0.246905 ￥0.2599
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￥0.198265 ￥0.2087
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型号：2N7002T-VB 编号：C724944

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

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￥0.35112 ￥0.3696
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￥0.283195 ￥0.2981
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￥0.249185 ￥0.2623
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￥0.17822 ￥0.1876
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￥0.168055 ￥0.1769

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型号：BD140 编号：C50269829

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具有1.5A的集电极电流（IC）和80V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率的信号放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）在100至200之间，具备良好的电流控制能力与稳定性。器件可用于电源管理模块、信号转换电路及负载驱动等场景，支持在通用电子设备中实现可靠的电流反向导通与电平切换功能，满足模拟与数字电路中对PNP型晶体管的基本性能要求，适用于多种基础级电路设计。

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￥0.51034 ￥0.5372
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￥0.49913 ￥0.5254
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￥0.491625 ￥0.5175
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￥0.484215 ￥0.5097

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型号：HFMMT720QTA 编号：C42389321

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款三极管（BJT）属于PNP型，具备稳定的电流放大特性，集电极最大允许电流IC为1.5A，能够承受最高40V的集电极-发射极电压VCEO。其电流增益HFE范围在300至480之间，提供了可靠的放大能力。此外，该三极管拥有150MHz的特征频率FT，适用于高频信号处理与放大场合，如音频设备中的信号放大模块或是通信设备中的高频电路等。

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￥0.55 ￥0.625
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￥0.537944 ￥0.6113
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￥0.529848 ￥0.6021
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￥0.52184 ￥0.593

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型号：CC6211ETST 编号：C19724224

封装：TSOT-23-3

品牌：CrossChip(成都芯进)

CC6211E是一颗微功耗、高灵敏度单极性的霍尔开关传感装置。内部电路包含了霍尔薄片、电压稳压模块、信号放大处理模块、动态失调消除模块、锁存模块以及CMOS输出级。由于使用先进的Bi-CMOS工艺，整体优化了的线路结构，使得产品获得极低的输入误差反馈。产品采用了动态失调消除技术，该技术能够消除由封装应力，热应力，以及温度梯度所造成的失调电压，提高器件的一致性。

5+
￥0.5541
50+
￥0.4341
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￥0.3741
500+
￥0.3291

有货

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型号：HSS24HE3AH 编号：C42389385

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有2A的正向电流（IF）和40V的反向击穿电压（VR），其正向电压降（VF）仅为0.55V，这使得它在导通状态下的能量损失较低。在反向偏置条件下，二极管的漏电流（IR）为500微安，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态条件下的最大雪崩电流（IFSM）可达50A，适合用于需要快速开关特性的高频电路中，如电子设备内的电源管理模块或通信装置的信号整流部分。

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￥0.59536 ￥0.7442
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￥0.58232 ￥0.7279
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￥0.5736 ￥0.717
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￥0.56488 ￥0.7061

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型号：SI3441DV-T1-E3-VB 编号：C20754960

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
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￥0.58429 ￥0.6874

有货

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型号：WS2815B-MINI-4P 编号：C22371531

封装：SMD-4P,3.5x3.5mm

品牌：worldsemi

WS2815B是一个集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。其外型与一个3535 LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。

5+
￥0.6415
50+
￥0.5071
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￥0.4399
500+
￥0.3895

有货

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型号：KTD882-Y-U/PH-HXY 编号：C50269823

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具有3A的集电极电流（IC）和30V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率放大与开关场景。其直流电流增益（HFE）范围为200至300，具备良好的电流放大能力，工作稳定。器件适用于电源管理、信号切换、驱动电路及通用放大电路，可满足多种电子设备对可靠晶体管的需求，适合在消费类电子产品、通信模块及嵌入式系统中作为关键开关或放大元件使用。

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￥0.64391 ￥0.6778
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￥0.628805 ￥0.6619
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￥0.61883 ￥0.6514
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￥0.60876 ￥0.6408

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型号：WS2815C-2020-4P 编号：C22371529

封装：SMD-4P,2.2x2mm

品牌：worldsemi

WS2815C是一个集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。其外型与一个2020 LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。

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￥0.6529
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￥0.5089
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￥0.4369
500+
￥0.3829

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型号：HSM6T33A 编号：C42401984

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为单向TVS/ESD保护器件，专用于电子电路中的静电和浪涌防护。其反向工作电压（VRWM）为28.2V，适用于中低压电路的稳定保护需求。器件可承受最高达13.3A的峰值脉冲电流（IPP），具备出色的瞬态能量吸收能力，有效保障后级电路免受损坏。采用单通道结构（LINE:1通道），适合应用于通信设备、便携式电子产品及精密控制模块中的信号线或电源线路保护，具有响应迅速、性能可靠的特点。

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￥0.681785 ￥0.8021
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￥0.543065 ￥0.6389
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￥0.473705 ￥0.5573
500+
￥0.421685 ￥0.4961
3000+
￥0.364225 ￥0.4285
6000+
￥0.3434 ￥0.404

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型号：IRF5800TRPBF-VB 编号：C20754984

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.69065 ￥0.727
50+
￥0.674595 ￥0.7101
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￥0.663765 ￥0.6987
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￥0.65303 ￥0.6874

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型号：SK9822-A 编号：C5378730

封装：SMD-6P,5x5mm

品牌：欧思科光电

SK9822-A是一款双线传输三通道（RGB)驱动控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。产品内含有信号解码模块、数据缓存器、内置恒流电路及RC振荡器；CMOS制程，低压、低耗电；256级PWM灰度调整及32级亮度调整；采用双线输出方式，DATA数据及同步的CLK讯号，使串接各晶片之输出动作同步。

数据手册

5+
￥0.693
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￥0.549
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￥0.477
1000+
￥0.4009
2000+
￥0.3577
5000+
￥0.336

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型号：AO6403-VB 编号：C724964

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.745705 ￥0.8773
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￥0.731085 ￥0.8601
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￥0.72131 ￥0.8486
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￥0.71162 ￥0.8372

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型号：MJD42C 编号：C50269817

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具备3A集电极电流（IC）与100V集电极-发射极耐压（VCEO），适合中高功率信号放大及开关应用。其直流电流增益（HFE）在100至200之间，确保了较高的增益一致性与电路稳定性。器件适用于电源控制电路、便携式电子设备的负载切换、音频信号处理模块以及各类中等功率驱动电路。良好的热稳定性和响应特性使其在消费类电子产品与通信设备中表现出色，支持多种封装形式，便于集成于紧凑型电路板设计中。

5+
￥0.74689 ￥0.7862
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￥0.730455 ￥0.7689
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￥0.71953 ￥0.7574
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￥0.70851 ￥0.7458

有货

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型号：SMDJ15CA 编号：C49363588

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），适用于各类高精度电子系统中的电路保护。其峰值脉冲电流IPP为123A，反向工作电压VRWM为15V，击穿电压VBR范围为16.70~18.50V，钳位电压VC为24.4V，支持Bi双向保护，可有效抑制正负方向的瞬态过电压。该器件常用于通信模块、便携式设备及信号接口等场景，为电路提供稳定防护，保障设备在复杂电磁环境下的安全与稳定运行。

5+
￥0.74689 ￥0.7862
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￥0.730455 ￥0.7689
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￥0.71953 ￥0.7574
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￥0.70851 ￥0.7458

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型号：SPP9435AS8RG-VB 编号：C878964

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.801465 ￥0.9429
50+
￥0.78336 ￥0.9216
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￥0.77129 ￥0.9074
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￥0.75922 ￥0.8932

有货

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型号：TSM4415CS RL-VB 编号：C5456614

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.812175 ￥0.9555
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￥0.79407 ￥0.9342
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￥0.782 ￥0.92
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￥0.76993 ￥0.9058

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型号：AO4459-VB 编号：C724962

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.8854 ￥0.932
50+
￥0.865165 ￥0.9107
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￥0.851675 ￥0.8965
500+
￥0.838185 ￥0.8823

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型号：PXT4401-HXY 编号：C47506896

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流（IC），适用于需要中等功率处理能力的电路。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为40V，确保在多种供电条件下稳定工作。直流电流增益（HFE）范围从100到300，使其成为放大器设计中的理想选择，尤其适合对信号放大倍数有特定要求的应用。此外，该三极管的特征频率（FT）高达300MHz，表明它非常适合于高频应用，如通信设备和射频模块，能够有效提升系统的响应速度与性能。

5+
￥0.94338 ￥1.0482
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￥0.92268 ￥1.0252
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￥0.90882 ￥1.0098
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￥0.89496 ￥0.9944

有货

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型号：SMDJ48A 编号：C49363571

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），具备优异的瞬态电压抑制性能。其最大峰值脉冲电流IPP为38.8A，反向工作电压VRWM为48V，击穿电压范围VBR为53.30~58.90V，钳位电压VC为77.4V，采用单向（Uni）设计，能够在短时间内有效吸收高能量脉冲，降低对后级电路的冲击。该器件适用于通信模块、便携式电子设备及各类精密电子系统中的电源与信号线路保护，提供快速响应和稳定可靠的防护能力。

5+
￥0.9709 ￥1.022
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￥0.949525 ￥0.9995
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￥0.93537 ￥0.9846
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￥0.92112 ￥0.9696

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型号：VBA1311 编号：C416225

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥0.990335 ￥1.1651
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￥0.968235 ￥1.1391
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￥0.95353 ￥1.1218
500+
￥0.93874 ￥1.1044

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型号：VBA2333 编号：C416234

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.99104 ￥1.0432
50+
￥0.970805 ￥1.0219
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￥0.957315 ￥1.0077
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￥0.94373 ￥0.9934

有货

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型号：FDC365P-VB 编号：C5179519

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.348905 ￥1.4199
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￥1.066375 ￥1.1225
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￥0.945345 ￥0.9951
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￥0.794295 ￥0.8361
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￥0.693405 ￥0.7299
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￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：AO4007-VB 编号：C18795032

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.387 ￥1.46
10+
￥1.3585 ￥1.43
30+
￥1.33 ￥1.4
100+
￥1.311 ￥1.38

有货

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型号：IRF9332TRPBF-VB 编号：C5441228

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.387 ￥1.46
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￥1.3585 ￥1.43
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￥1.33 ￥1.4
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￥1.311 ￥1.38

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型号：HTPSMB16CA 编号：C42402041

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），专为电路中可能出现的瞬态过电压提供快速、可靠的抑制方案。其最大峰值脉冲电流（IPP）高达27.1A，具备优异的能量吸收能力，可有效防止静电放电及外部浪涌对后级元件造成的损害。反向工作电压（VRWM）为13.6V，适用于多种低至中压电路应用场景。单通道（LINE:1通道）、双向（TYPE:Bi双向）设计，使其能够响应正负两个方向的电压冲击，增强电路兼容性与防护完整性。该器件广泛应用于便携式电子设备、通信模块及信号接口等场景，为敏感电路提供稳定、高效的保护机制。

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￥1.41016 ￥1.7627
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￥1.11696 ￥1.3962
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￥0.99136 ￥1.2392
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￥0.83464 ￥1.0433
3000+
￥0.7648 ￥0.956
6000+
￥0.72296 ￥0.9037

有货

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型号：IRF9393TRPBF-VB 编号：C7429028

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.4365 ￥1.69
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￥1.411 ￥1.66
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￥1.3855 ￥1.63
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￥1.3685 ￥1.61

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型号：IRF8714TRPBF-VB 编号：C7429022

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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