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封装：TO-252-2L

该PNP型三极管具备3A集电极电流（IC）与100V集电极-发射极耐压（VCEO），适合中高功率信号放大及开关应用。其直流电流增益（HFE）在100至200之间，确保了较高的增益一致性与电路稳定性。器件适用于电源控制电路、便携式电子设备的负载切换、音频信号处理模块以及各类中等功率驱动电路。良好的热稳定性和响应特性使其在消费类电子产品与通信设备中表现出色，支持多种封装形式，便于集成于紧凑型电路板设计中。

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￥1.381965 ￥1.4547
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￥1.094685 ￥1.1523
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￥0.971565 ￥1.0227
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￥0.81795 ￥0.861
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￥0.74955 ￥0.789
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￥0.70851 ￥0.7458

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型号：TIP122D 编号：C50269811

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具备5A的集电极电流（IC）和100V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中高功率的放大与开关应用。其直流电流放大系数（HFE）高达2000至8000，表现出优异的增益特性，有利于提升信号控制的灵敏度与效率。器件具备良好的饱和特性和开关响应能力，适合用于电源调节、电机驱动、功率转换及高增益放大电路中，可广泛应用于各类消费类电子产品与通信设备中的核心控制与功率处理模块。

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￥1.79664 ￥1.8912
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￥1.4231 ￥1.498
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￥1.26312 ￥1.3296
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￥1.063335 ￥1.1193
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￥0.974415 ￥1.0257
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￥0.92112 ￥0.9696

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型号：CMDSH-3-HXY 编号：C52754582

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或开关场景，常见于便携式电子设备、电源管理模块及信号检测电路中。

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￥2.072995 ￥2.1821
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￥1.642075 ￥1.7285
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￥1.457395 ￥1.5341
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￥1.226925 ￥1.2915
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￥1.124325 ￥1.1835
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￥1.062765 ￥1.1187

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型号：HAT1047RJ-VB 编号：C878993

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.482 ￥2.92
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￥1.972 ￥2.32
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￥1.7595 ￥2.07
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￥1.4875 ￥1.75
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￥1.3515 ￥1.59
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￥1.275 ￥1.5

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型号：AO4407-VB 编号：C557948

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.5075 ￥2.95
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￥1.989 ￥2.34
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￥1.768 ￥2.08
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￥1.496 ￥1.76
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￥1.3685 ￥1.61
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￥1.3005 ￥1.53

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型号：SI4441EY-T1-E3-VB 编号：C7463618

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.55 ￥3
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￥2.04 ￥2.4
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￥1.8275 ￥2.15
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￥1.2325 ￥1.45

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型号：BD13716STU-HXY 编号：C50269831

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具有1.5A的集电极电流（IC）和60V的集电极-发射极耐压（VCEO），适用于中等功率放大与开关电路。其直流电流放大系数（HFE）在100至300之间，具备良好的增益一致性与稳定性。器件响应速度快，可靠性高，常用于电源管理模块、信号切换电路、音频设备、家用电器控制以及消费类电子产品中的驱动与通断应用，适合在常规工作条件下实现有效的电流放大与负载控制功能。

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￥3.002 ￥3.16
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￥2.375 ￥2.5
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￥2.109 ￥2.22
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￥1.7765 ￥1.87
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￥1.6245 ￥1.71
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￥1.539 ￥1.62

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型号：FDS89161LZ-VB 编号：C7463424

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款一款双N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。SOP8；2个N—Channel沟道,100V；5.8A；RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；

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￥3.2775 ￥3.45
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￥2.5745 ￥2.71
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￥2.28 ￥2.4
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￥1.9 ￥2
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￥1.729 ￥1.82
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￥1.634 ￥1.72

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型号：NJW4832KH1-B-TE3 编号：C3655699

封装：DFN-6(2x2)

品牌：Nisshinbo

是单高端开关，可提供0.2A电流。Pch MOS FET内置有源钳位电路、过流和热关断功能。可直接输入逻辑信号（3V/5V）。特别适用于各种PNP型传感器输出模块。FLT逻辑有两种版本：高电平有效（A版本）和低电平有效（B版本）。

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￥4.27
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￥3.45
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￥3.04
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￥2.64
500+
￥2.39
1000+
￥2.27

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型号：JL7018F8 编号：C22440784

封装：QFN-40(5x5)

品牌：JL(杰理)

特性：32位双核DSP，最高速度160MHz，32KB ICache和16KB DCache，IEEE754单精度FPU，数学加速引擎，8级优先级中断。片上640KB SRAM，支持MMU，内置闪存。片上16MHz时钟振荡器，片上200kHz低温漂时钟振荡器，24MHz晶体振荡器。支持SBC、AAC音频解码用于蓝牙音频，支持mSBC语音编解码器用于蓝牙电话，支持MP2、MP3、WMA、APE、FLAC、AAC、MP4、M4A、WAV、AIF、AIFC音频解码，语音处理的丢包隐藏（PLC），单/双麦克风环境噪声消除（ENC），多频段DRC限幅器，多频段EQ配置用于语音效果。两个通道24位DAC，SNR ≥ 104dB；四个通道24位ADC，SNR ≥ 95dB；支持音频DAC采样率8kHz/11.025kHz/16kHz/22.05kHz/24kHz/32kHz/44.1kHz/48kHz/64kHz/88.2kHz/96kHz；支持音频ADC采样率8kHz/11.025kHz/16kHz/22.05kHz/24kHz/32kHz/44.1kHz/48kHz；支持四个数字/模拟麦克风输入，四个通道模拟音频输入；音频DAC支持差分无电容模式或单端模式，直接驱动16ohm/32ohm扬声器负载。 ANC处理引擎高达750kHz采样率，7.5μs模拟到模拟延迟，支持4个差分或单端模拟输入、4个数字麦克风输入用于ANC，支持2通道前馈、反馈、混合ANC，ANC模块包括20个双精度双二阶滤波器用于每个FF/FB/音乐补偿控制。应用：蓝牙立体声耳机。蓝牙立体声ANC耳机

1+
￥6.95
10+
￥5.69
30+
￥5
100+
￥4.22

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型号：TSOP38438 编号：C145271

封装：SIP-3-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

这些产品是用于红外遥控系统的小型化红外接收器模块。PIN二极管和前置放大器组装在引线框架上，环氧封装包含红外滤光片。解调后的输出信号可以直接连接到微处理器进行解码。TSOP384系列器件经过优化，可抑制来自节能灯具（如CFL）的几乎所有杂散脉冲。TSOP384中使用的AGC4可能会抑制一些数据信号。TSOP382系列主要用于与旧的AGC2设计兼容。新设计应优先选择包含较新AGC4的TSOP384系列。

数据手册

1+
￥7.98
10+
￥6.53
30+
￥5.74
250+
￥4.84
500+
￥4.44
1000+
￥4.26

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型号：HLK-LD101V 编号：C38964830

封装：-

品牌：HI-LINK(海凌科)

是一款工作在10.525GHz的X波段雷达模组。基于多普勒效应，本设计采用定频、定向发射和接收天线，使用芯片集成技术和微波天线结合而成。具备抗干扰、体积小、不穿墙、稳定性高、一致性好、杂波和高次谐波抑制效果好等特点。板载集成中频解调，信号放大，数字处理，光强度检测，定时等功能于模组上，同时开放串口功能，便于用户调节相关参数。采用脉冲供电模式，平均功耗可以降低到7mA。

1+
￥10.43
10+
￥8.66
50+
￥7.69

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型号：ATMEGA168PA-MU 编号：C1337182

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一种基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计者能够优化功耗与处理速度之间的平衡。AVR核心结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现了比传统的CISC微控制器快十倍的吞吐量。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P提供以下特性：具有读写同时功能的4K/8K字节在系统可编程闪存、256/512/512/1K字节EEPROM、512/1K/1K/2K字节SRAM、23个通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个带有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、面向字节的两线制串行接口、一个SPI串行端口、一个6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中有8个通道）、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及五种软件可选的节能模式。空闲模式会停止CPU运行，但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线制串行接口、SPI端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于休眠状态时保持定时基准。ADC降噪模式会停止CPU和除异步定时器和ADC外的所有I/O模块，以减少ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备的其余部分处于睡眠状态。这允许快速启动并结合低功耗。Microchip提供了QTouch库，用于将电容触摸按钮、滑块和轮盘功能嵌入到AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供了鲁棒的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，还包括相邻键抑制（AKS）技术，以实现按键事件的明确检测。易于使用的QTouch套件工具链允许您探索、开发和调试自己的触摸应用程序。该设备采用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、传统非易失性存储器编程器或运行在AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行在系统重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用Flash存储器中的应用程序。当应用Flash部分被更新时，Boot Flash部分的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与片上自编程Flash集成在单片芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P是一款功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR得到了完整的程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

数据手册

1+
￥15.93
10+
￥13.16
30+
￥11.43
100+
￥9.65

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型号：ATMEGA328-PU 编号：C613508

封装：PDIP-28

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一款基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计者能够在功耗和处理速度之间进行优化。AVR核心结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在单个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构在代码效率上更高，同时比传统的CISC微控制器快达十倍。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P提供了以下功能：具有读写同时能力的4K/8K字节的片上可编程Flash，256/512/512/1K字节EEPROM，512/1K/1K/2K字节SRAM，23条通用I/O线，32个通用工作寄存器，三个带比较模式的灵活定时器/计数器，内部和外部中断，一个串行可编程USART，面向字节的两线制串行接口，SPI串行端口，6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中有8个通道），带有内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线制串行接口、SPI端口和中断系统继续运作。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用其他所有芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在节能模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时维持一个定时基准。ADC降噪模式停止CPU和所有I/O模块，除了异步定时器和ADC，以减少ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行，而设备的其余部分处于睡眠状态。这使得快速启动与低功耗相结合成为可能。Microchip为将电容触摸按钮、滑块和转轮功能嵌入AVR微控制器提供了QTouch库。专利的电荷转移信号采集技术提供了强大的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，还包括相邻键抑制(AKS)技术，用于明确检测按键事件。易于使用的QTouch套件工具链让您能够探索、开发和调试自己的触摸应用。该设备使用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行于AVR核心上的片上引导程序来对程序存储器进行片上重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用程序到应用程序Flash存储器中。当应用程序Flash部分被更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与片上自编程Flash结合在同一芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P是一款强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR得到了一套完整的程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

数据手册

1+
￥22.13
10+
￥18.95
30+
￥17.06

有货

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型号：ATMEGA164A-AU 编号：C1337270

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega164A/PA/324A/PA/644A/PA/1284/P 是一种基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。该器件为40/49引脚设备，闪存容量从16 KB到128 KB不等，SRAM容量从1 KB到16 KB，EEPROM容量从512字节到4 KB。通过单时钟周期执行指令，这些设备实现了接近每兆赫兹一百万条指令（MIPS）的CPU吞吐量，允许系统设计者优化功耗与处理速度之间的平衡。ATmega164A/164PA/324A/324PA/644A/644PA/1284/1284P 提供以下特性：16/32/64/128KB的具有读写同时进行能力的在系统可编程闪存，512/1K/2K/4K字节的EEPROM，1/2/4/16KB的SRAM，32个通用I/O线，32个通用工作寄存器，实时时钟（RTC），三个（对于ATmega1284/1284P是四个）带有比较模式和PWM功能的灵活定时器/计数器，两个USART，一个面向字节的两线串行接口，一个8通道、10位ADC，具有可选差分输入级和可编程增益，带内部振荡器的可编程看门狗定时器，一个SPI串行端口，符合IEEE std. 1149.1标准的JTAG测试接口（也用于访问片上调试系统和编程），以及六种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行但允许SRAM、定时器/计数器、SPI端口和中断系统继续运作。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于休眠状态时维持定时基准。ADC降噪模式停止CPU及除异步定时器和ADC之外的所有I/O模块以减少ADC转换期间的开关噪声。待机模式下，晶振/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于休眠状态，这允许快速启动的同时保持低功耗。扩展待机模式中，主振荡器和异步定时器都继续运行。Microchip提供QTouch库，用于将电容触摸按钮、滑块和滚轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供了强大的感应性能，并包括完全去抖动的触摸键报告，并采用了相邻键抑制（AKS）技术来实现按键事件的明确检测。易于使用的QTouch套件工具链允许您探索、开发并调试自己的触摸应用。该设备采用高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、传统的非易失性存储器编程器或运行于AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行在系统重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用程序至应用程序Flash存储器。当应用程序Flash部分更新时，Boot Flash部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与片上在系统自编程Flash结合在一个单片上，ATmega164A/164PA/324A/324PA/644A/644PA/1284/1284P成为一款功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。

数据手册

1+
￥23.13
10+
￥19.93
30+
￥18.03
100+
￥16.11

有货

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型号：ENS001-A2 编号：C6284809

封装：QFN64L

品牌：NANOCHAP(暖芯迦)

ENS001-A2芯片是一款双通道神经刺激芯片，不仅能覆盖传统的正弦波/方波/三角波及各种调制波形，更是支持从DC到50kHz以上的任意电流波形输出。可应用于体外神经/肌肉电刺激等众多领域。该芯片集成了32MHz ARM处理器，多通道恒流源输出的刺激驱动电路、片上充电电路、可配置升压直流转换器、LCD屏幕驱动、12位AD信号采集以及温度传感器等模块。电压最高为单向60V 刺激脉宽 10μs~1s，量程：1~33mA，系统OSC：HSI_32M +-2%，产品FLASH空间：28KB，输出电流波形种类：所有波形

单价：
￥30 / 个

有货

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型号：LPC5516JBD64E 编号：C1012835

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

该产品是基于Arm Cortex-M33的微控制器，适用于嵌入式应用。包含CASPER Crypto引擎、多达256 KB片上闪存、多达96 KB片上SRAM、用于实时闪存加密/解密的PRINCE模块、代码看门狗、高速/全速USB主机和设备接口（全速运行时无需晶体）、CAN FD、五个通用定时器、一个SCTimer/PWM、一个RTC/报警定时器、一个24位多速率定时器（MRT）、一个窗口看门狗定时器（WWDT）、九个灵活的串行通信外设（可配置为USART、SPI、高速SPI、I²C或I²S接口）、可编程逻辑单元（PLU）、一个16位2.0 Msamples/sec ADC（能够进行同步转换）、比较器和温度传感器。Arm Cortex-M33提供安全基础，通过TrustZone技术提供隔离以保护宝贵的IP和数据。它通过集成的数字信号处理（DSP）指令简化了数字信号控制系统的设计和软件开发

数据手册

1+
￥39.54
10+
￥34.09
30+
￥30.97

有货

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型号：SPC563M64L5COAR 编号：C2971171

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

这些 32 位汽车微控制器是系统级芯片 (SoC) 设备家族，包含 SPC563Mxx 系列的所有功能和许多新功能，并结合了高性能 90 纳米 CMOS 技术，以大幅降低每个功能的成本并显著提高性能。该汽车控制器系列的先进且经济高效的主处理器核心基于 Power Architecture 技术。该系列包含增强功能，可改进架构在嵌入式应用中的适应性，包括对数字信号处理 (DSP) 的额外指令支持，并集成了增强型时间处理器单元、增强型排队模数转换器、控制器局域网以及增强型模块化输入/输出系统等技术，这些技术对于当今的低端动力总成应用至关重要。该器件具有单层内存层次结构，包括高达 94 KB 的片上 SRAM 和高达 1.5 MB 的内部闪存。该器件还具有外部总线接口 (EBI) 用于“校准”。该外部总线接口旨在支持 SPC564Axx 和 SPC563Mxx 系列使用的所有标准存储器。

数据手册

1+
￥48.47
10+
￥47.24
30+
￥46.41

有货

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型号：AD536AJQ 编号：C649661

封装：CDIP-14

品牌：ADI(亚德诺)

AD536A是一款完整的单片集成电路，能够执行真正的RMS到DC转换。它的性能与成本更高的混合或模块化单元相当甚至更优。AD536A可以直接计算包含交流和直流分量的任何复杂输入波形的真实RMS值。峰值因数补偿方案允许在高达7的峰值因数下以1%的误差进行测量。该器件的宽带宽将测量能力扩展到300 kHz，对于大于100 mV的信号电平，误差小于3 dB。AD536A的一个重要特性是具有辅助dB输出引脚，这是以前的RMS转换器所不具备的。RMS输出信号的对数被引出到一个单独的引脚，以便进行dB转换，其有用的动态范围为60 dB。使用外部提供的参考电流，可以方便地设置0 dB电平，使其对应于从0.1 V到2 V RMS的任意输入电平。AD536A通过激光微调来最小化输入和输出偏移电压，优化正负波形对称性（直流反转误差），并提供7 V RMS的满量程精度。因此，无需外部微调即可达到额定单位精度。输入和输出引脚完全受保护。输入电路可以承受远超供电电平的过载电压。即使在失去供电电压且输入连接到外部电路的情况下，也不会导致器件失效。输出端具有短路保护功能。AD536A有两个精度等级（J和K）适用于0℃至70℃的商业温度范围应用，以及一个适用于-55℃至+125℃扩展温度范围的等级（S）。AD536AK的最大总误差为±2 mV ±读数的0.2%，而AD536AJ和AD536AS的最大误差为±5 mV ±读数的0.5%。这三种版本均提供密封的14引脚DIP封装或10引脚TO-100金属头封装。AD536AS还提供20引脚无引线密封陶瓷芯片载体封装。AD536A能够计算复杂的交流（或交流加直流）输入信号的真实均方根水平，并提供等效的直流输出电平。波形的真实RMS值比平均整流值更有用，因为它直接关系到信号的功率。统计信号的RMS值也与其标准差相关。为了达到完全指定的精度，需要一个外部电容。这个电容的值决定了低频交流精度、纹波幅度和建立时间。AD536A既可以从双电源供电，也可以从单电源供电，总电源电平从5 V到36 V均可。由于静态供电电流仅为1 mA，该器件非常适合各种远程控制器和电池供电的仪器。

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1+
￥257.07
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￥226.8
25+
￥216.01

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型号：DAQ216 编号：C51978912

封装：-

品牌：凌智电子

产品型号：DAQ216 系统支持：Windows/Linux 通信接口：USB3.0/千兆以太网采集通道：4通道 ADC位数：12bit 采样方式：同步采样采集速率：65MSPS Max，多档可调传输速率：千兆以太网:128Mbps(max),USB3.0:64Mbps(max) 输入信号范围：±1V/±10V两档可切换采样最小分辨率（LSB）：488uV@±1V档上位机工具：QT demo；二次开发：支持CPP、C#动态库、Python 应用领域：传感器网络采集；工业数据采集系统；仪器仪表系统；高速数据采集系统；

单价：
￥4393.3 / 个

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型号：MMZ0402S151CT000 编号：C275390

封装：01005

品牌：TDK

特性：通用信号线的降噪解决方案。具有4种不同特性的材料，提供各种频率特性，可应对从通用信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

数据手册

50+
￥0.0568
500+
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1500+
￥0.0544
5000+
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型号：MMZ1005Y121CT000 编号：C107324

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。具有多种频率特性，采用5种不同特性的材料，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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500+
￥0.0527
1500+
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型号：MPZ1608Y600BTA00 编号：C275490

封装：1608

品牌：TDK

特性：降噪解决方案，用于电源线。与MMZ系列相比，低直流电阻，适合大电流，低功耗。有5种不同特性的材料，具有各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的所有情况。在需要低直流电阻的信号线中也表现良好。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和记录仪、STB等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

50+
￥0.104215 ￥0.1097
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￥0.0817 ￥0.086
1500+
￥0.06916 ￥0.0728
4000+
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24000+
￥0.055195 ￥0.0581
48000+
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型号：MMZ1608S181ATA00 编号：C94265

封装：0603

品牌：TDK

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

数据手册

10+
￥0.1192
100+
￥0.093
300+
￥0.0784
1000+
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型号：2N7002CK-VB 编号：C7494523

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.17708 ￥0.1864
100+
￥0.172995 ￥0.1821
300+
￥0.17024 ￥0.1792
1000+
￥0.167485 ￥0.1763

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型号：BSS670S2L-VB 编号：C20417443

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.17708 ￥0.1864
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￥0.172995 ￥0.1821
300+
￥0.17024 ￥0.1792
1000+
￥0.167485 ￥0.1763

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型号：HM3018SR-VB 编号：C20755299

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.292145 ￥0.3437
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￥0.230945 ￥0.2717
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￥0.200345 ￥0.2357
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￥0.177395 ￥0.2087
6000+
￥0.159035 ￥0.1871
9000+
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型号：2N7002KA-VB 编号：C7524887

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.297585 ￥0.3501
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￥0.236385 ￥0.2781
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￥0.205785 ￥0.2421
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￥0.177395 ￥0.2087
6000+
￥0.159035 ￥0.1871
9000+
￥0.149855 ￥0.1763

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型号：2SK2158-T1B-A-VB 编号：C5456473

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.299965 ￥0.3529
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￥0.238765 ￥0.2809
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￥0.166855 ￥0.1963
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型号：SN7002N-VB 编号：C7524939

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.30311 ￥0.3566
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