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封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.16626 ￥0.1956
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￥0.157675 ￥0.1855

有货

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型号：SSM3K7002F-VB 编号：C693210

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.169405 ￥0.1993
100+
￥0.16575 ￥0.195
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￥0.163285 ￥0.1921
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￥0.16082 ￥0.1892

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型号：AP2N7002K-HF-VB 编号：C19190131

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.169405 ￥0.1993
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￥0.16575 ￥0.195
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￥0.163285 ￥0.1921
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￥0.16082 ￥0.1892

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型号：UK3018G-AE2-R-VB 编号：C5179563

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.177055 ￥0.2083
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￥0.1734 ￥0.204
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￥0.170935 ￥0.2011
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￥0.16847 ￥0.1982

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型号：TN2106K-VB 编号：C7494568

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.17708 ￥0.1864
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￥0.172995 ￥0.1821
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￥0.17024 ￥0.1792
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：SSM3K15F-VB 编号：C20754938

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.17708 ￥0.1864
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￥0.172995 ￥0.1821
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￥0.17024 ￥0.1792
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：MMBT7002K-VB 编号：C7494577

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.17901 ￥0.2106
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￥0.175355 ￥0.2063
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￥0.17289 ￥0.2034
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￥0.170425 ￥0.2005

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型号：2V7002LT1G-VB 编号：C19188238

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.17901 ￥0.2106
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￥0.175355 ￥0.2063
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￥0.17289 ￥0.2034
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￥0.170425 ￥0.2005

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型号：RK7002A-VB 编号：C19188159

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.2025
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6000+
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型号：BVSS138LT1G-VB 编号：C7428946

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.184875 ￥0.2175
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￥0.18122 ￥0.2132
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￥0.178755 ￥0.2103
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￥0.17629 ￥0.2074

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型号：2N7002PT-VB 编号：C7494524

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.17629 ￥0.2074

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型号：2SK1062-VB 编号：C5179514

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

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￥0.18563 ￥0.1954
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￥0.176035 ￥0.1853

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型号：ELM2N7002K-S-VB 编号：C7494446

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.18683 ￥0.2198
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￥0.183175 ￥0.2155
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型号：2N7002ET1G-VB 编号：C7494520

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.18683 ￥0.2198
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￥0.183175 ￥0.2155
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￥0.18071 ￥0.2126
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￥0.178245 ￥0.2097

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型号：BSS138N-T1-PF-VB 编号：C7494444

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.18683 ￥0.2198
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￥0.183175 ￥0.2155
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￥0.18071 ￥0.2126
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￥0.178245 ￥0.2097

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型号：DMN62D0U-7-VB 编号：C45662617

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。

10+
￥0.189335 ￥0.1993
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￥0.18525 ￥0.195
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￥0.182495 ￥0.1921
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￥0.17974 ￥0.1892

有货

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型号：BSH111BKR-VB 编号：C45662619

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。

10+
￥0.189335 ￥0.1993
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￥0.18525 ￥0.195
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￥0.182495 ￥0.1921
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￥0.17974 ￥0.1892

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型号：2N7002-T1-E3-VB 编号：C45662618

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。

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￥0.189335 ￥0.1993
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￥0.18525 ￥0.195
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￥0.182495 ￥0.1921
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￥0.17974 ￥0.1892

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型号：BF1107-VB 编号：C558097

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

100+
￥0.2025
1000+
￥0.195
3000+
￥0.1875
6000+
￥0.1725
10000+
￥0.168

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型号：2N7002-VB 编号：C4355058

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.19114 ￥0.2012
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￥0.187055 ￥0.1969
300+
￥0.1843 ￥0.194
1000+
￥0.18164 ￥0.1912

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型号：2N7002KT1G-VB 编号：C7428936

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.197885 ￥0.2083
100+
￥0.1938 ￥0.204
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￥0.191045 ￥0.2011
1000+
￥0.18829 ￥0.1982

有货

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型号：2N7002BK-VB 编号：C693211

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.19988 ￥0.2104
100+
￥0.195795 ￥0.2061
300+
￥0.19304 ￥0.2032
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￥0.190285 ￥0.2003

有货

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型号：BSS138-VB 编号：C724995

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.21337 ￥0.2246
100+
￥0.209285 ￥0.2203
300+
￥0.20653 ￥0.2174
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￥0.203775 ￥0.2145

有货

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型号：BVSS84LT1G-VB 编号：C7524913

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
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￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
1000+
￥0.20451 ￥0.2406

有货

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型号：MLF1608D68NMTA00 编号：C275352

封装：0603

品牌：TDK

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

数据手册

20+
￥0.21708 ￥0.2412
200+
￥0.17037 ￥0.1893
600+
￥0.14445 ￥0.1605
4000+
￥0.12888 ￥0.1432
8000+
￥0.11538 ￥0.1282
20000+
￥0.10809 ￥0.1201

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型号：2N7002KA-VB 编号：C7524887

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.297585 ￥0.3501
100+
￥0.236385 ￥0.2781
300+
￥0.205785 ￥0.2421
3000+
￥0.177395 ￥0.2087
6000+
￥0.159035 ￥0.1871
9000+
￥0.149855 ￥0.1763

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型号：2N7002KB-VB 编号：C879131

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.31369 ￥0.3302
100+
￥0.24529 ￥0.2582
300+
￥0.21109 ￥0.2222
3000+
￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

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型号：BSS670S2L-VB 编号：C20417443

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.326515 ￥0.3437
100+
￥0.258115 ￥0.2717
300+
￥0.223915 ￥0.2357
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￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

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型号：2N7002P-VB 编号：C20417469

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.326515 ￥0.3437
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￥0.258115 ￥0.2717
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￥0.223915 ￥0.2357
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￥0.198265 ￥0.2087
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：WS2815F 编号：C22371533

封装：SMD5050-6P

品牌：worldsemi

WS2815F是集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。外型与一个5050LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。实现双路信号传输，在单个像素点损坏的情况下，不影响整体色彩的显示。

10+
￥0.328
100+
￥0.256
300+
￥0.22
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￥0.193

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