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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002LT1G-VB 编号：C7428937

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.312715 ￥0.3679
100+
￥0.251515 ￥0.2959
300+
￥0.220915 ￥0.2599
3000+
￥0.185215 ￥0.2179
6000+
￥0.166855 ￥0.1963
9000+
￥0.157675 ￥0.1855

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：BSS138N-T1-PF-VB 编号：C7494444

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.320535 ￥0.3771
100+
￥0.259335 ￥0.3051
300+
￥0.228735 ￥0.2691
3000+
￥0.185215 ￥0.2179
6000+
￥0.166855 ￥0.1963
9000+
￥0.157675 ￥0.1855

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：ZVN4106FTA-VB 编号：C879172

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.326515 ￥0.3437
100+
￥0.258115 ￥0.2717
300+
￥0.223915 ￥0.2357
3000+
￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：2N7002F-VB 编号：C7568787

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.349505 ￥0.3679
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￥0.281105 ￥0.2959
300+
￥0.246905 ￥0.2599
3000+
￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

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电流:600mA 电压:150V

型号：NSVMMBT5401LT3G-HXY 编号：C46682408

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流（IC）和高达150V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），非常适合需要高电压处理能力的应用。其直流电流增益（HFE）范围为100至200，确保了信号放大的稳定性和效率。过渡频率（FT）达到100MHz，使得它在中高频段应用中表现出色。该三极管适用于无线通信设备、电源管理模块以及各类消费电子产品中的信号放大与开关电路，保证了在多种电子设计中的灵活性和可靠性。

10+
￥0.36099 ￥0.4011
100+
￥0.28755 ￥0.3195
300+
￥0.25083 ￥0.2787
3000+
￥0.22329 ￥0.2481
6000+
￥0.20124 ￥0.2236
9000+
￥0.19026 ￥0.2114

有货

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电流:500mA 电压:80V

型号：CMPTA56-HXY 编号：C47506897

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）拥有0.5A的集电极电流（IC），适用于需要中等功率处理能力的电路设计。其集电极-发射极电压（VCEO）高达80V，为高电压应用提供了可靠保障。直流电流增益（HFE）范围在100至400之间，使其成为放大和开关应用的理想选择，特别适合于信号增强需求的场合。此外，该三极管的过渡频率（FT）为50MHz，表明它也能胜任一些基本的高频工作环境，如无线通信设备中的低噪声放大器或信号处理模块，确保了良好的性能与稳定性。

10+
￥0.36522 ￥0.4058
100+
￥0.29088 ￥0.3232
300+
￥0.2538 ￥0.282
3000+
￥0.2259 ￥0.251
6000+
￥0.20358 ￥0.2262
9000+
￥0.19242 ￥0.2138

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N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：XP262N7002TR-G-HXY 编号：C48972134

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备60V的漏源击穿电压（VDSS），可持续通过0.3A的漏极电流（ID），导通电阻为1000mΩ（RDON），适用于对功率要求适中的电路设计。该器件常用于小型电源模块、电池供电设备及信号切换电路中，具有良好的开关特性和稳定性，适合多种通用电子产品的应用需求。

10+
￥0.401185 ￥0.4223
100+
￥0.31958 ￥0.3364
300+
￥0.27873 ￥0.2934
3000+
￥0.24814 ￥0.2612
6000+
￥0.22363 ￥0.2354
9000+
￥0.211375 ￥0.2225

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电流:600mA 电压:40V

型号：SST4403T116-HXY 编号：C46682494

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流(IC)能力，以及40V的集电极-发射极电压(VCEO)，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间，表明它在放大信号方面表现出色，能够提供稳定的增益效果。此外，该三极管的过渡频率(FT)高达200MHz，确保了在高频应用中的高效性能。这些特性使其成为音频设备、通信模块及各种消费电子产品中理想的放大和开关元件。

5+
￥0.44586 ￥0.4954
50+
￥0.35514 ￥0.3946
150+
￥0.30978 ￥0.3442
500+
￥0.27576 ￥0.3064
3000+
￥0.24858 ￥0.2762
6000+
￥0.23499 ￥0.2611

有货

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电流:600mA 电压:40V

型号：KN4403S-HXY 编号：C46682475

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP型三极管（BJT）专为中等功率电路设计，集电极电流（IC）可达0.6A，集电极-发射极电压（VCEO）最高支持40V，适合于多种电子设备应用。其直流电流增益（HFE）在100到300之间，确保了信号放大的高效与稳定。此款三极管的过渡频率（FT）为200MHz，表现出卓越的高频操作性能。它适用于构建音频放大器、电源管理电路及无线通信模块，能够满足对元件性能和稳定性有较高要求的应用场景。

5+
￥0.4671 ￥0.519
50+
￥0.37206 ￥0.4134
150+
￥0.32454 ￥0.3606
500+
￥0.2889 ￥0.321
3000+
￥0.26037 ￥0.2893
6000+
￥0.24615 ￥0.2735

有货

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DC 3.75kV

型号：HL3H7B 编号：C48783748

封装：SSOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

晶体管输出光耦是一种常用的光电隔离器件，适用于多种电子设备中的信号传输与隔离需求。该器件输入侧采用直流电压驱动，正向压降为1.2V，确保了较低的功耗和稳定的输入特性。输出端为光电三极管结构，具备良好的线性响应能力，电流传输比（CTR）范围为130-260%，支持高效的信号转换。该参数组合使其适用于各类通用控制电路、电源管理模块、通信接口以及家电设备中的电气隔离与信号耦合场景。

10+
￥0.4682
100+
￥0.3722
300+
￥0.3242
3000+
￥0.2882
6000+
￥0.2594
9000+
￥0.245

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2SB649

型号：2SB649 编号：C50275340

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具有1.5A的集电极电流（IC）和150V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率的放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）范围为60至250，具备较宽的增益覆盖，适应不同信号控制需求。器件可在高电压条件下稳定工作，适合用于电源管理模块、信号转换电路及驱动级设计。广泛应用于消费类电子产品、通信设备、家用电器及嵌入式系统中的开关与放大功能，满足多种通用电路对性能与可靠性的要求。

5+
￥0.4691
50+
￥0.4588
150+
￥0.4519

有货

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NPN塑料封装晶体管

型号：2SD669 编号：C50275339

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具备1.5A的集电极电流（IC）和120V的集电极-发射极电压（VCEO），适合中等功率放大与开关电路应用。其直流电流增益（HFE）范围为60至250，具有较宽的电流放大能力，适应不同电路设计需求。器件可用于电源控制、信号转换及放大级联电路，适用于消费类电子产品、家用设备、通信模块及嵌入式控制系统中的驱动与开关功能，具备良好的可靠性和稳定性，满足多种通用模拟与数字电路的工作要求。

5+
￥0.4848
50+
￥0.4742
150+
￥0.4671

有货

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电流:0.1A 电压:65V

型号：SBC856ALT1G-HXY 编号：C47506884

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP三极管（BJT）适用于精细控制与高电压需求的电路设计，最大集电极电流IC为0.1A，集电极-发射极电压VCEO高达65V，确保在高压环境下的稳定操作。其直流电流增益HFE范围是125至250，能够提供有效的信号放大功能。此外，该三极管的过渡频率FT为100MHz，使其成为需要高速处理和精确放大的电子设备的理想选择，如无线通讯模块和家用音频设备，满足高效能与快速响应的需求。

5+
￥0.49923 ￥0.5547
50+
￥0.39762 ￥0.4418
150+
￥0.34686 ￥0.3854
500+
￥0.30879 ￥0.3431
3000+
￥0.27828 ￥0.3092
6000+
￥0.26307 ￥0.2923

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5A

型号：HIRLML6346TRPBF 编号：C42401173

封装：SOT-23-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备5.8A的连续排水电流（ID），以及30V的最大漏源电压（VDSS），能够在高达20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，使得在导通状态下电力损耗较小。此MOSFET适用于多种电子设备中作为开关或放大元件，尤其适合需要高效能转换的应用场合，如便携式电子产品中的电源管理模块，或者消费类电子产品内的信号处理单元。

5+
￥0.54624 ￥0.6828
50+
￥0.43176 ￥0.5397
150+
￥0.37456 ￥0.4682
500+
￥0.33168 ￥0.4146
3000+
￥0.29736 ￥0.3717
6000+
￥0.28016 ￥0.3502

有货

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NPN+PNP 电流:150mA 电压:50V

型号：CMKT5078TR-HXY 编号：C46682434

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN和PNP组合型三极管（BJT）系列，专为精细控制与高效能应用设计。NPN型元件支持最高0.15A的集电极电流（IC），集电极-发射极电压（VCEO）达50V；其直流电流增益（HFE）范围为120至560，确保了优秀的信号放大性能。特征频率（FT）高达180MHz，适合需要快速响应的应用场景。该系列产品适用于各种小型电子设备，如无线通信模块、便携式消费电子产品等，有助于实现设备的高效能运作与信号处理的精准度。

5+
￥0.65817 ￥0.7313
50+
￥0.52425 ￥0.5825
150+
￥0.45729 ￥0.5081
500+
￥0.40707 ￥0.4523
3000+
￥0.36693 ￥0.4077
6000+
￥0.34686 ￥0.3854

有货

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SMD灯珠,RGB三色

型号：WS2815C-2020-4P 编号：C22371529

封装：SMD-4P,2.2x2mm

品牌：worldsemi

WS2815C是一个集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。其外型与一个2020 LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。

5+
￥0.6746
50+
￥0.5258
150+
￥0.4514
500+
￥0.3956
2500+
￥0.351

有货

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电流:1A 电压:150V

型号：PBHV8115T-HXY 编号：C47506857

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC）和150V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于需要高耐压保护的电路设计。其直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，能够提供良好的信号放大效果，特别适合于低功耗应用。此外，该三极管的过渡频率（FT）高达100MHz，表明它具备处理高频信号的能力，使其成为音频设备及无线通信模块等需要高效能元件的理想选择。此款三极管为电路设计师提供了兼具稳定性和灵活性的解决方案。

5+
￥0.76014 ￥0.8446
50+
￥0.60543 ￥0.6727
150+
￥0.52812 ￥0.5868
500+
￥0.47016 ￥0.5224
3000+
￥0.42372 ￥0.4708
6000+
￥0.4005 ￥0.445

有货

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16V

型号：1SMB5930BT3G 编号：C50177011

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的标称稳压值（VR）为16V，正向导通电流（IF）为0.0234A，正向导通压降（VF）为1.5V，反向漏电流（IR）典型值仅为1μA，具有较低的漏电特性与良好的热稳定性。器件工作于反向击穿区时可提供稳定的电压钳位，适用于需要精确电压控制的电路。常用于电源电路中的过压保护、基准电压生成及信号调理模块，为高精度电子设备提供可靠的电压参考与电路保护功能。

5+
￥0.784415 ￥0.8257
50+
￥0.624815 ￥0.6577
150+
￥0.545015 ￥0.5737
500+
￥0.485165 ￥0.5107
3000+
￥0.437285 ￥0.4603
6000+
￥0.413345 ￥0.4351

有货

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NPN 塑料封装晶体管

型号：BD235 编号：C50275333

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具备2A的集电极电流（IC）和60V的集电极-发射极耐压（VCEO），适用于中高功率的放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）范围为100至300，确保了在不同工作条件下具有稳定的电流放大性能。器件可用于电源控制、电机驱动、LED驱动及信号切换等场景，适合对电流承载能力有一定要求的电路设计。广泛应用于消费类电子产品、家用设备及通信模块中的功率控制与信号处理环节。

5+
￥0.851675 ￥0.8965
50+
￥0.678395 ￥0.7141
150+
￥0.591755 ￥0.6229
500+
￥0.526775 ￥0.5545
2500+
￥0.474715 ￥0.4997
5000+
￥0.44878 ￥0.4724

有货

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电流:2A 电压:50V

型号：FMMT4240-HXY 编号：C47506871

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN三极管（BJT）专为高效能应用设计，集电极电流IC可达2A，确保了在高负载情况下的稳定操作。其集电极-发射极电压VCEO为50V，适合需要中等耐压的应用场景。拥有高达200的直流电流增益HFE，能够有效放大信号，提升电路性能。特征频率FT达到100MHz，表明它具备快速开关能力，适用于高频电路设计。该三极管广泛应用于各种电子设备中，如无线通信模块、音频放大器等，是实现高性能电路设计的理想选择。

5+
￥0.89028 ￥0.9892
50+
￥0.70524 ￥0.7836
150+
￥0.62595 ￥0.6955
500+
￥0.52695 ￥0.5855
3000+
￥0.48294 ￥0.5366
6000+
￥0.45648 ￥0.5072

有货

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PNP塑料封装晶体管

型号：BD140 编号：C50269829

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具有1.5A的集电极电流（IC）和80V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率的信号放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）在100至200之间，具备良好的电流控制能力与稳定性。器件可用于电源管理模块、信号转换电路及负载驱动等场景，支持在通用电子设备中实现可靠的电流反向导通与电平切换功能，满足模拟与数字电路中对PNP型晶体管的基本性能要求，适用于多种基础级电路设计。

5+
￥0.944395 ￥0.9941
50+
￥0.748125 ￥0.7875
150+
￥0.663955 ￥0.6989
500+
￥0.55898 ￥0.5884
2500+
￥0.51224 ￥0.5392
5000+
￥0.484215 ￥0.5097

有货

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PNP塑料封装晶体管

型号：BD680 编号：C50269814

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管额定集电极电流为4A，集射极击穿电压为80V，适用于中等功率的模拟与开关电路。其直流电流增益（HFE）范围宽，可达2000至15000，具备优异的信号放大能力与灵敏度，适合对增益稳定性要求较高的应用。常用于电源控制、音频放大电路、直流变换模块及消费类电子设备中的电流驱动与信号处理环节，支持高频响应与稳定导通，有助于提升系统能效与响应特性。

5+
￥1.1396
50+
￥0.9027
150+
￥0.8012

有货

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6.8V 10uA@4V

型号：SML4736-E3/61-HXY 编号：C50177009

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有6.8V的稳定电压（VR），在正向导通时电流为0.037A（IF），反向漏电流低至10μA（IR），表现出良好的反向阻断特性。器件在反向击穿区工作时能维持电压稳定，适用于需要精确电压参考的电路。常用于电源管理模块、模拟信号调理电路及电压检测单元中，为敏感电子组件提供可靠的电压钳位与保护，确保系统在波动环境中稳定运行。

5+
￥1.151685 ￥1.2123
50+
￥0.912285 ￥0.9603
150+
￥0.809685 ￥0.8523
500+
￥0.681625 ￥0.7175
2000+
￥0.624625 ￥0.6575
4000+
￥0.590425 ￥0.6215

有货

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NPN塑料封装晶体管

型号：MJD41C 编号：C50269816

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款NPN型三极管具有3A的集电极电流（IC）和100V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率放大与开关场景。其直流电流增益（HFE）范围为100至200，具备良好的信号放大线性度与稳定性。器件在高频响应与导通损耗之间实现了均衡优化，适合用于电源管理模块、消费类电子设备中的继电器驱动、LED调光电路以及各类中等负载的开关控制应用，支持多种常见的封装形式，便于在紧凑型电路设计中实现高效布局。

5+
￥1.174675 ￥1.2365
50+
￥0.930525 ￥0.9795
150+
￥0.825835 ￥0.8693
500+
￥0.695305 ￥0.7319
2500+
￥0.637165 ￥0.6707
5000+
￥0.6023 ￥0.634

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC604P-VB 编号：C7428950

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.206405 ￥1.4193
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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：NTGS3443T1G-VB 编号：C558216

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3457BDV-T1-GE3-VB 编号：C7524971

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.864025 ￥1.0165
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￥0.728875 ￥0.8575
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NPN塑料封装晶体管

型号：KTD882-Y-U/PH-HXY 编号：C50269823

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具有3A的集电极电流（IC）和30V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率放大与开关场景。其直流电流增益（HFE）范围为200至300，具备良好的电流放大能力，工作稳定。器件适用于电源管理、信号切换、驱动电路及通用放大电路，可满足多种电子设备对可靠晶体管的需求，适合在消费类电子产品、通信模块及嵌入式系统中作为关键开关或放大元件使用。

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￥1.22607 ￥1.2906
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￥0.96273 ￥1.0134
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￥0.84987 ￥0.8946
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￥0.64638 ￥0.6804
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￥0.60876 ￥0.6408

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电流:600mA 电压:40V

型号：CMPT4403TR-HXY 编号：C46682474

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流（IC）能力，最大集电极-发射极电压（VCEO）可达40V，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，保证了信号放大时的良好线性度和稳定性。此外，该三极管拥有200MHz的过渡频率（FT），使其在高频应用中表现出色。无论是构建音频放大器还是无线通信模块，这款三极管都是理想的选择，能够满足设计者对于性能和可靠性的双重需求。

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￥1.27215 ￥1.4135
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￥1.00773 ￥1.1197
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￥0.89442 ￥0.9938
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￥0.75303 ￥0.8367
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￥0.69003 ￥0.7667
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￥0.65223 ￥0.7247

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：P4402FAG-VB 编号：C19626852

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.315275 ￥1.3845
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