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封装：WLCSP-36(2.4x2.4)

是高性能四数据通道MIPI D-PHY开关。这种单刀双掷 (SPDT) 开关经过优化，可在两个高速或低功耗MIPI源之间切换。具有宽带宽并保持良好的信号完整性，专为MIPI规范设计，允许连接到CSI或DSI模块。36球晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) 2.4mm x 2.4mm，无铅和无卤，适用于移动设备。

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￥6.72
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型号：CY8C4245AXI-483 编号：C462527

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4是一个可扩展和可重配置的平台架构，适用于一系列混合信号可编程嵌入式系统控制器，采用ARM CorteX-M0 CPU。它结合了可编程和可重配置的模拟与数字模块以及灵活的自动布线。基于此平台的PSoC 4200产品系列是微控制器与数字可编程逻辑、高性能模数转换、具有比较器模式的运算放大器以及标准通信和定时外设的组合。PSoC 4200产品将完全向上兼容PSoC 4平台的成员，以满足新的应用和设计需求。可编程的模拟和数字子系统允许设计具有灵活性，并可在现场进行调优。

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型号：M210Z-B68 编号：C48031359

封装：LCC-10(10.1x9.7)

品牌：如般微

M210Z-B68 是基于中科微 AT6668B 设计的一款高性能单北斗单模双频点卫星导航接收机模组，模组集成射频前端 LNA 以及 SAW，数字基带核心，北斗信号处理引擎，电源管理等功能。本模组支持多个北斗卫星频点，支持中国北斗二号 B1I（1561.098 MHz）和三号 B1C（1575.42 MHz）频段，可实现快速搜星，准确定位的效果。

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型号：MS2109 编号：C961325

封装：QFN-48-EP(7x7)

品牌：Macrosilicon(宏晶微)

MS2109是一款高清视频采集芯片，内部集成USB2.0控制器和数据收发模块、HD RX模块和音视频处理模块。MS2109可以将HD接口输出的音视频信号通过USB接口传送到PC、智能手机或平板电脑上预览或采集。USB视频符合UVC规范，音频符合UAC规范，音频支持I2S输入和SPDIF输出，支持Windows、Android和macOS系统。

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型号：TD321S485H 编号：C2858490

封装：SMD

品牌：MORNSUN(金升阳)

将逻辑电平信号转换为隔离的RS485差分电平信号。采用特殊的集成IC技术，实现电源和信号线之间的隔离，集RS485通信和总线保护于一体。隔离电源可承受高达3000VDC的测试电压。采用贴片SMD技术，可实现全自动加工，能轻松嵌入用户终端设备，实现功能齐全的RS485网络连接。

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型号：6MBP30XSF060-50 编号：C5819992

封装：DIP-24

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低侧IGBT为独立发射极类型。短路保护。温度传感器输出功能。过热保护。欠压保护。故障信号输出功能。应用：AC 100~240V三相逆变器驱动，用于小功率交流电机驱动（如空调压缩机电机驱动、热泵应用压缩机电机驱动、风扇电机驱动、通风机电机驱动）

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￥70.85
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型号：EN6347QI 编号：C481867

封装：QFN-38-EP(4x7)

品牌：Intel/Altera

EN6347QI是一款片上电源系统（PowerSoC）DC-DC转换器。它采用先进的4mm x 7mm x 1.85mm 38引脚QFN封装，集成了电感器、MOSFET开关、小信号电路和补偿电路。EN6347QI专为满足当前和未来高性能、低功耗处理器、DSP、FPGA、内存板以及分布式电源架构中系统级应用的精确电压和快速瞬态要求而设计。该器件先进的电路技术、高开关频率和专有的集成电感技术可实现高质量、超紧凑的非隔离式DC-DC转换。它通过极大简化电路板设计、布局和制造要求，显著有助于系统设计和提高生产效率。此外，完整电源解决方案所需的元件数量减少有助于实现整体系统成本节约。所有产品均符合RoHS标准，并且与无铅制造环境兼容。

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￥96.17
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型号：SMP04EPZ 编号：C581312

封装：PDIP-16

品牌：ADI(亚德诺)

是一款单片四通道采样保持器，拥有四个内部精密缓冲放大器和内部保持电容。采用先进的氧化物隔离CMOS技术制造，以实现数据采集和信号处理系统所需的高精度、低下降率和快速采集时间。能够在不到四微秒的时间内将一个8位输入信号采集到±1/2 LSB。可以使用单电源或双电源供电，具有TTL/CMOS逻辑兼容性，其输出摆幅包括负电源。非常适合各种采样保持应用，包括放大器失调或VCA增益调整。可以与单或多个DAC一起使用，在系统内提供多个设定点。与等效的模块或分立设计相比，显著降低了成本和尺寸。提供16引脚密封或塑料DIP以及表面贴装SOIC封装，工作温度范围为 -40°C至 +85°C。

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型号：LTC1264CSW#PBF 编号：C674884

封装：SO-24-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

由四个相同的高速二阶开关电容滤波器构建模块组成，设计用于中心频率高达250kHz的应用。每个构建模块与三到五个电阻配合，可提供低通、高通、带通和陷波等二阶功能。每个二阶部分的中心频率通过外部时钟进行调谐，时钟与中心频率的比率内部设定为20:1，但可通过外部电阻进行修改。通过对每个二阶部分进行双重采样，改善了混叠性能。在检测到任何混叠产物之前，输入信号频率可达到时钟频率的两倍。对于Q ≤ 5且环境温度TA < 85℃，最大中心频率为160kHz；对于Q ≤ 2，最大中心频率为250kHz。通过级联所有四个二阶部分，可实现高达八阶的滤波器。还可提供包含内部薄膜电阻的定制单片版本。

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单价：
￥239.36 / 个

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型号：AD536AJQ 编号：C649661

封装：CDIP-14

品牌：ADI(亚德诺)

AD536A是一款完整的单片集成电路，能够执行真正的RMS到DC转换。它的性能与成本更高的混合或模块化单元相当甚至更优。AD536A可以直接计算包含交流和直流分量的任何复杂输入波形的真实RMS值。峰值因数补偿方案允许在高达7的峰值因数下以1%的误差进行测量。该器件的宽带宽将测量能力扩展到300 kHz，对于大于100 mV的信号电平，误差小于3 dB。AD536A的一个重要特性是具有辅助dB输出引脚，这是以前的RMS转换器所不具备的。RMS输出信号的对数被引出到一个单独的引脚，以便进行dB转换，其有用的动态范围为60 dB。使用外部提供的参考电流，可以方便地设置0 dB电平，使其对应于从0.1 V到2 V RMS的任意输入电平。AD536A通过激光微调来最小化输入和输出偏移电压，优化正负波形对称性（直流反转误差），并提供7 V RMS的满量程精度。因此，无需外部微调即可达到额定单位精度。输入和输出引脚完全受保护。输入电路可以承受远超供电电平的过载电压。即使在失去供电电压且输入连接到外部电路的情况下，也不会导致器件失效。输出端具有短路保护功能。AD536A有两个精度等级（J和K）适用于0℃至70℃的商业温度范围应用，以及一个适用于-55℃至+125℃扩展温度范围的等级（S）。AD536AK的最大总误差为±2 mV ±读数的0.2%，而AD536AJ和AD536AS的最大误差为±5 mV ±读数的0.5%。这三种版本均提供密封的14引脚DIP封装或10引脚TO-100金属头封装。AD536AS还提供20引脚无引线密封陶瓷芯片载体封装。AD536A能够计算复杂的交流（或交流加直流）输入信号的真实均方根水平，并提供等效的直流输出电平。波形的真实RMS值比平均整流值更有用，因为它直接关系到信号的功率。统计信号的RMS值也与其标准差相关。为了达到完全指定的精度，需要一个外部电容。这个电容的值决定了低频交流精度、纹波幅度和建立时间。AD536A既可以从双电源供电，也可以从单电源供电，总电源电平从5 V到36 V均可。由于静态供电电流仅为1 mA，该器件非常适合各种远程控制器和电池供电的仪器。

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1+
￥246.38
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型号：MP38CLA 编号：C29389573

封装：-

品牌：APEX

一个具有成本效益的高压MOSFET功率运算放大器，由表面贴装元件构成，安装在导热但电绝缘的基板上。虽成本低，但具备许多更昂贵的混合功率放大器的相同特性和性能规格。金属基板允许其耗散功率高达125W，电源电压范围可达±100V（总计200V）。可选的升压电压输入允许放大器的小信号部分在比高电流输出级更高的电源电压下工作

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￥891.98
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￥850

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型号：MP39CL 编号：C26340391

封装：-

品牌：APEX

是一款经济高效的高压MOSFET功率运算放大器，采用表面贴装元件，安装在导热但电气绝缘的基板上。虽然成本低，但具备许多更昂贵的混合功率放大器相同的特性和性能规格。金属基板允许其功耗高达125瓦，电源电压范围可达±50V（总计100V）。可选的升压电压输入允许放大器的小信号部分在比高电流输出级更高的电源电压下工作

1+
￥961.71
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￥917.93

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型号：DAQ206 编号：C51978911

封装：-

品牌：凌智电子

产品型号：DAQ206 系统支持：Windows/Linux 通信接口：USB3.0/千兆以太网采集通道：2通道 ADC位数：12bit 采样方式：同步采样采集速率：65MSPS Max，多档可调传输速率：千兆以太网:128Mbps(max),USB3.0:64Mbps(max) 输入信号范围：±1V/±10V两档可切换采样最小分辨率（LSB）：488uV@±1V档上位机工具：QT demo；二次开发：支持CPP、C#动态库、Python 应用领域：传感器网络采集；工业数据采集系统；仪器仪表系统；高速数据采集系统；

单价：
￥2671.6 / 个

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型号：DAQ216 编号：C51978912

封装：-

品牌：凌智电子

产品型号：DAQ216 系统支持：Windows/Linux 通信接口：USB3.0/千兆以太网采集通道：4通道 ADC位数：12bit 采样方式：同步采样采集速率：65MSPS Max，多档可调传输速率：千兆以太网:128Mbps(max),USB3.0:64Mbps(max) 输入信号范围：±1V/±10V两档可切换采样最小分辨率（LSB）：488uV@±1V档上位机工具：QT demo；二次开发：支持CPP、C#动态库、Python 应用领域：传感器网络采集；工业数据采集系统；仪器仪表系统；高速数据采集系统；

单价：
￥4393.3 / 个

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型号：MMZ1608Y601BTA00 编号：C136491

封装：0603

品牌：TDK

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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20+
￥0.0596
200+
￥0.0458
600+
￥0.0381

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型号：MPZ1608D300BTA00 编号：C501997

封装：0603

品牌：TDK

特性：降噪解决方案，用于电源线。与MMZ系列相比，低直流电阻，适合大电流，低功耗。有5种不同特性的材料，具有各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的所有情况。在需要低直流电阻的信号线中也表现良好。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和记录仪、STB等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.0938
500+
￥0.0701
1500+
￥0.0569

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型号：MMZ0603S121CT000 编号：C76801

封装：0201

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。四种不同特性的材料具有不同的频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.1011
500+
￥0.0797
1500+
￥0.0678

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型号：MMFTN170-VB 编号：C693270

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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10+
￥0.146285 ￥0.1721
100+
￥0.14263 ￥0.1678
300+
￥0.140165 ￥0.1649
1000+
￥0.1377 ￥0.162

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型号：SN7002N-VB 编号：C7524939

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.15844 ￥0.1864
100+
￥0.154785 ￥0.1821
300+
￥0.15232 ￥0.1792
1000+
￥0.149855 ￥0.1763

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型号：2N7002K-13-VB 编号：C20417484

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.15844 ￥0.1864
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￥0.154785 ￥0.1821
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￥0.15232 ￥0.1792
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￥0.149855 ￥0.1763

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型号：2SK1590A-T1B-A-VB 编号：C20417638

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.15844 ￥0.1864
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￥0.154785 ￥0.1821
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￥0.149855 ￥0.1763

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型号：DMN601K-7-VB 编号：C20755154

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.15844 ￥0.1864
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￥0.15232 ￥0.1792
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￥0.149855 ￥0.1763

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型号：HM3018SR-VB 编号：C20755299

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.15844 ￥0.1864
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型号：BSH101-VB 编号：C20755147

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.15844 ￥0.1864
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型号：2N7002A-7-F-VB 编号：C7524923

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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型号：5LN01C-TB-E-VB 编号：C20755117

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.15844 ￥0.1864
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型号：BSS7728N-VB 编号：C20755038

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.15844 ￥0.1864
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型号：L2SK801LT1G-VB 编号：C20754951

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.15844 ￥0.1864
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型号：QM2N7002E3K1-VB 编号：C7525088

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.16388 ￥0.1928
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￥0.160225 ￥0.1885
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￥0.15776 ￥0.1856
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型号：2N7002Q-7-F-VB 编号：C7525052

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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