信号模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252-2L

该达林顿管采用NPN型结构，集电极电流可达4A，集射极耐压为100V，适用于中等功率开关与放大电路。其直流电流增益（HFE）范围为2000至8000，具备较高的电流放大能力，适合需要高灵敏度驱动的场景。器件常用于电源管理模块、继电器驱动、LED照明控制及消费类电子产品中的信号放大与开关应用，具有响应速度快、驱动能力强的特点，可有效简化前置驱动电路设计。

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￥0.58501 ￥0.6158
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￥0.572185 ￥0.6023
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￥0.563635 ￥0.5933
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￥0.555085 ￥0.5843

有货

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型号：BD680 编号：C50269814

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管额定集电极电流为4A，集射极击穿电压为80V，适用于中等功率的模拟与开关电路。其直流电流增益（HFE）范围宽，可达2000至15000，具备优异的信号放大能力与灵敏度，适合对增益稳定性要求较高的应用。常用于电源控制、音频放大电路、直流变换模块及消费类电子设备中的电流驱动与信号处理环节，支持高频响应与稳定导通，有助于提升系统能效与响应特性。

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￥0.6158
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型号：MJD41C 编号：C50269816

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款NPN型三极管具有3A的集电极电流（IC）和100V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率放大与开关场景。其直流电流增益（HFE）范围为100至200，具备良好的信号放大线性度与稳定性。器件在高频响应与导通损耗之间实现了均衡优化，适合用于电源管理模块、消费类电子设备中的继电器驱动、LED调光电路以及各类中等负载的开关控制应用，支持多种常见的封装形式，便于在紧凑型电路设计中实现高效布局。

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￥0.63479 ￥0.6682
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￥0.62092 ￥0.6536
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￥0.61161 ￥0.6438
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￥0.6023 ￥0.634

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型号：SMDJ8.0CA 编号：C49363583

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向静电和浪涌保护器件专为高性能电子系统设计，适用于信号线路及敏感电路的过压防护。其反向截止电压VRWM为8V，确保在正常工作条件下不影响电路运行；击穿电压VBR范围为8.89~9.83V，响应速度快且稳定性高；在测试电流下钳位电压VC为13.6V，有效抑制瞬态过电压。最大通流能力IPP可达220.6A，具备优异的抗静电与浪涌防护性能，广泛应用于通信设备、消费类电子产品及精密控制模块中，提供稳定可靠的电路保护支持。

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￥0.6821 ￥0.718
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￥0.66709 ￥0.7022
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￥0.657115 ￥0.6917
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￥0.64714 ￥0.6812

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型号：CMPT4403TR-HXY 编号：C46682474

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流（IC）能力，最大集电极-发射极电压（VCEO）可达40V，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，保证了信号放大时的良好线性度和稳定性。此外，该三极管拥有200MHz的过渡频率（FT），使其在高频应用中表现出色。无论是构建音频放大器还是无线通信模块，这款三极管都是理想的选择，能够满足设计者对于性能和可靠性的双重需求。

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￥0.68751 ￥0.7639
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￥0.67239 ￥0.7471
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￥0.66231 ￥0.7359
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型号：SMDJ85A 编号：C49363576

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为单向TVS/ESD保护器件，适用于电路中对静电和浪涌干扰敏感的场合。其主要参数包括：峰值脉冲电流IPP为21.9A，反向工作电压VRWM为85V，击穿电压VBR范围为94.40~104.00V，钳位电压VC为137V。该器件具备快速响应和高可靠性，可广泛应用于通信模块、便携式电子设备及信号接口等场景，为电路提供稳定高效的过压保护功能。

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￥0.716965 ￥0.7547
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￥0.690745 ￥0.7271
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￥0.6802 ￥0.716

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型号：BSP32-HXY 编号：C46682432

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）适用于多种电路设计，具备1A的集电极电流（IC）能力，最大集电极-发射极电压（VCEO）可达80V，确保在高压场景下的稳定表现。其直流电流增益（HFE）范围为100至250，显示出优秀的信号放大性能；同时，特征频率（FT）达到100MHz，保证了高速开关应用的可靠性。该三极管适合用于需要精确控制与高效能的小型电子设备中，如无线通讯模块、家用电器控制器等，是提升产品效能的理想选择。

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￥0.74295 ￥0.8255
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￥0.72657 ￥0.8073
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￥0.71568 ￥0.7952
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型号：WS2813A-V1 编号：C22371522

封装：SMD-6P,5.4x5mm

品牌：worldsemi

WS2813白光-V1是一个集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。其外型与一个5050LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。实现双路信号传输，在单个像素点损坏的情况下，不影响整体色彩的显示。

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￥0.7938
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￥0.4321
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￥0.4071

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型号：APM9435KC-TRL-VB 编号：C7463693

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥0.812175 ￥0.9555
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￥0.79407 ￥0.9342
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￥0.782 ￥0.92
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￥0.76993 ￥0.9058

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型号：PXT4401-HXY 编号：C47506896

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流（IC），适用于需要中等功率处理能力的电路。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为40V，确保在多种供电条件下稳定工作。直流电流增益（HFE）范围从100到300，使其成为放大器设计中的理想选择，尤其适合对信号放大倍数有特定要求的应用。此外，该三极管的特征频率（FT）高达300MHz，表明它非常适合于高频应用，如通信设备和射频模块，能够有效提升系统的响应速度与性能。

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￥0.94338 ￥1.0482
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￥0.92268 ￥1.0252
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￥0.90882 ￥1.0098
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￥0.89496 ￥0.9944

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型号：TIP122D 编号：C50269811

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具备5A的集电极电流（IC）和100V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中高功率的放大与开关应用。其直流电流放大系数（HFE）高达2000至8000，表现出优异的增益特性，有利于提升信号控制的灵敏度与效率。器件具备良好的饱和特性和开关响应能力，适合用于电源调节、电机驱动、功率转换及高增益放大电路中，可广泛应用于各类消费类电子产品与通信设备中的核心控制与功率处理模块。

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￥0.9709 ￥1.022
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￥0.949525 ￥0.9995
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￥0.93537 ￥0.9846
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￥0.92112 ￥0.9696

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型号：SSM9435GM-VB 编号：C693169

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.99237 ￥1.0446
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￥0.972135 ￥1.0233
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￥0.958645 ￥1.0091
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￥0.94506 ￥0.9948

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型号：BD236STU-HXY 编号：C50275337

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具有2A的集电极电流（IC）和60V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中高功率的放大与开关应用。其直流电流放大倍数（HFE）在150至250之间，具备较高的增益一致性与稳定性。器件可用于电源管理模块、LED驱动电路、音频输出级、家用电器控制电路及各类消费类电子设备中的功率切换场合。在较高负载电流与电压条件下仍能保持可靠性能，适合用于构建高效的信号放大与电源控制电路。

5+
￥0.99579 ￥1.0482
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￥0.97394 ￥1.0252
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￥0.95931 ￥1.0098
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￥0.94468 ￥0.9944

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型号：MJE340STU-HXY 编号：C50275342

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管额定集电极电流为0.5A，集电极-发射极击穿电压为350V，适合中高压小功率电路应用。其直流电流增益（HFE）在100至250之间，具备良好的放大性能与开关响应特性。器件可用于通用信号放大、电源开关控制、脉冲电路及负载驱动等场景，适用于对电压耐受能力有一定要求的电子设备。较高的VCEO值使其在瞬态电压波动中具备一定可靠性，适合用于电源适配器、小型家电控制板、照明调节模块及消费类电子产品中的电路设计。

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￥1.12024 ￥1.1792
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￥1.095635 ￥1.1533
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￥1.0792 ￥1.136
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￥1.062765 ￥1.1187

有货

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型号：KSB772YS-HXY 编号：C50269825

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具有3A的集电极电流（IC）和30V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率的开关与放大电路。其直流电流增益（HFE）范围为200至300，具备良好的电流控制能力与工作稳定性。器件常用于电源反向控制、信号切换、推挽输出级及模拟放大应用，适合在消费类电子设备、音频电路、便携式装置及嵌入式控制模块中作为关键晶体管元件，满足对可靠性和性能要求较高的电路设计需求。

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￥1.12024 ￥1.1792
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￥1.095635 ￥1.1533
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￥1.0792 ￥1.136
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￥1.062765 ￥1.1187

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型号：BSP31-HXY 编号：C46682441

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC），适用于中等功率的信号放大和开关应用。其集电极-发射极电压（VCEO）高达80V，确保在不同电源条件下的稳定性和可靠性。直流电流增益（HFE）范围为100至250，适合于需要适中增益的应用场景。特征频率（FT）达到100MHz，表明它也具备处理高频信号的能力，非常适合用于音频设备及通信模块中的信号放大与切换功能。该三极管凭借其参数优势，在高效能电子电路设计中占有重要位置。

5+
￥1.15209 ￥1.2801
50+
￥1.1268 ￥1.252
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￥1.10988 ￥1.2332
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￥1.09296 ￥1.2144

有货

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型号：RT5047BGSP 编号：C2962577

封装：SOP-8-EP

品牌：RICHTEK(立锜)

RT5047B是一款高度集成的电压调节器和接口IC,专为向高级卫星接收器模块提供电源和控制信号而设计。它包括独立的电流模式升压控制器和低dropout线性稳压器,以及22kHz音调整形电路,支持DiSEqcTM1.x通信。

数据手册

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￥1.176 ￥1.96
10+
￥1.032 ￥1.72
30+
￥0.972 ￥1.62
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￥0.894 ￥1.49
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￥0.864 ￥1.44
1000+
￥0.84 ￥1.4

有货

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型号：BSL307SP-VB 编号：C709921

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.9724 ￥1.144
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￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：IRLTS2242TRPBF-VB 编号：C5878825

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
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￥1.032745 ￥1.0871
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￥0.911715 ￥0.9597
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￥0.760665 ￥0.8007
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￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：SI3443DVTRPBF-VB 编号：C7568844

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.405715 ￥1.4797
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￥1.123185 ￥1.1823
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￥1.002155 ￥1.0549
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￥0.851105 ￥0.8959
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￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：HDMT36M1LPS13 编号：C42401193

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有150A的最大连续排水电流（ID/A），能够在30V的最大工作电压（VDSS/V）下运作。其导通电阻（RDSON/mR）为3毫欧姆，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下表现出色。此MOSFET适合应用于需要高效电流处理能力的场合，例如高性能计算设备中的电源管理模块、消费类电子产品的负载开关以及高速信号处理设备中的电流调节等，确保系统在大电流下的稳定性和效率。

5+
￥1.474392 ￥1.6026
50+
￥1.16794 ￥1.2695
150+
￥1.036564 ￥1.1267
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￥0.872712 ￥0.9486
2500+
￥0.799756 ￥0.8693
5000+
￥0.755964 ￥0.8217

有货

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型号：BD13716STU-HXY 编号：C50269831

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具有1.5A的集电极电流（IC）和60V的集电极-发射极耐压（VCEO），适用于中等功率放大与开关电路。其直流电流放大系数（HFE）在100至300之间，具备良好的增益一致性与稳定性。器件响应速度快，可靠性高，常用于电源管理模块、信号切换电路、音频设备、家用电器控制以及消费类电子产品中的驱动与通断应用，适合在常规工作条件下实现有效的电流放大与负载控制功能。

1+
￥1.6245 ￥1.71
10+
￥1.5865 ￥1.67
30+
￥1.5675 ￥1.65
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￥1.539 ￥1.62

有货

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型号：AO4446-VB 编号：C878867

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥2.124675 ￥2.2365
50+
￥1.6986 ￥1.788
150+
￥1.515915 ￥1.5957
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￥1.288105 ￥1.3559
2500+
￥1.04595 ￥1.101
4000+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

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型号：AO4407-VB 编号：C557948

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.4565 ￥2.89
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￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.7255 ￥2.03
100+
￥1.445 ￥1.7
500+
￥1.258 ￥1.48
1000+
￥1.1815 ￥1.39

有货

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型号：FDS9958-NL-VB 编号：C558132

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.7075 ￥2.85
10+
￥2.6505 ￥2.79
30+
￥2.6125 ￥2.75
100+
￥2.5745 ￥2.71

有货

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型号：HAT1126R-VB 编号：C5137428

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.4555 ￥4.69
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￥3.61 ￥3.8
30+
￥3.192 ￥3.36
100+
￥2.774 ￥2.92
500+
￥2.4035 ￥2.53
1000+
￥2.2705 ￥2.39

有货

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型号：HFDMS7660AS 编号：C42401101

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的漏极电流（ID/A），适用于大电流处理的电子产品中。其耐压值（VDSS/V）为30V，适合低压大电流的应用场景。导通电阻（RDSON/mR）低至2毫欧，有助于减少能量损失，提高转换效率。栅源电压（VGS/V）为±20V，确保了可靠的栅极驱动信号识别。该MOSFET可以应用于高性能的电源管理模块、高功率密度的设计以及其他需要快速开关和低热耗散的解决方案中。

1+
￥4.856 ￥6.07
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￥3.936 ￥4.92
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￥3.48 ￥4.35
100+
￥3.024 ￥3.78
500+
￥2.752 ￥3.44
1000+
￥2.616 ￥3.27

有货

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型号：FSA646UCX-TP 编号：C49231008

封装：WLCSP-36(2.4x2.4)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

是一款高性能的四数据通道MIPI D-PHY开关。这款单刀双掷（SPDT）开关针对在两个高速或低功耗MIPI源之间切换进行了优化。具有宽带宽并能保持良好的信号完整性，专为MIPI规范设计，允许连接到CSI或DSI模块。36球晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）2.4mm x 2.4mm，无铅和无卤，适用于移动设备。

1+
￥6.05
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￥4.86
30+
￥4.26

有货

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型号：HLK-LD1020 编号：C39601825

封装：-

品牌：HI-LINK(海凌科)

HLK-LD1020是一款基于X波段雷达芯片而设计的微/运动感知模组，中心频率为10.525GHz。该模组设计采用定频、定向发射和接收天线(1T1R)，集成中频解调、信号放大和数字处理等功能，具备延时设置、感知范围可调和光强度检测等能力。具备不穿墙、抗干扰、体积小、杂波和高次谐波抑制效果好、高稳定性和一致性等优点。芯片内部集成算法，直接输出检测结果，可不需外挂单片机。模组脉冲供电模式下，功耗在微安级别。此模组主要针对低成本、低功耗应用领域。

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型号：HLK-LD1030 编号：C38313592

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品牌：HI-LINK(海凌科)

HLK-LD1030是一款基于X波段雷达芯片而设计的微/运动感知模组，中心频率为10.525GHz。该模组设计采用定频、定向发射和接收天线(1T1R)，集成中频解调、信号放大和数字处理等功能，具备延时设置、感知范围可调和光强度检测等能力，方便客户自主调节参数。具备不穿墙、抗干扰、体积小、杂波和高次谐波抑制效果好、高稳定性和一致性等优点。该产品适合嵌入式隐蔽安装，不受温/湿度、油烟、水雾等影响，可广泛应用于各类灯具，如地脚灯，橱柜灯，小夜灯等。

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