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封装：VFQFN-40-EP(6x6)

兼容WPC Qiv1.2.4最新标准，支持3线圈无线充电应用，支持A28线圈、MP-A8线圈，支持客户线圈定制方案，支持6W、苹果7.5W、三星10W、15W充电。通过analogping检测到无线接收器，并建立与接收端之间的通信，则开始功率传输。通过切换不同的工作线圈执行analogping并检测信号强度的方式确定接收机摆放位置，并选择信号最强的线圈执行充电动作。解码从接收器发送的通信数据包，然后用PID算法来改变振荡频率从而调至线圈上的输出功率。一旦接收器上的电池充满电时，终止电力传输。片内集成全桥驱动电路和电压&电流两路ASK通讯解调模块，集成度高，降低方案尺寸和BOM成本。

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￥7.7
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型号：ACS724LLCTR-20AB-T 编号：C22392331

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

ACS724是一款高性能霍尔效应电流传感器，可以更为有效地测量交流（AC）或者直流（DC）电流，可广泛应用于工业，消费类及通信类设备。ACS724系列内部集成了一颗高精度、低噪声的线性霍尔电路和一根低阻抗的主电流回路导线，当采样电流流经主电流回路时，其产生的磁场在霍尔电路上感应出相应的电信号，经过信号处理电路输出电压信号，使得产品输出严格地与被测电流值成比例。线性霍尔电路采用先进的BCDMOS制程生产，其中包含了高灵敏度霍尔传感器、霍尔信号预放大器、高精度霍尔温度补偿单元、振荡器、动态失调消除电路和放大器输出模块。在无磁场的情况下，电流传感器静态输出为 50% Vcc 。在电源电压5V条件下，传感器静态输出可以在 0.2~4.8V 之间随磁场线性变化，线性度可达 0.4% 。ACS724内部集成的动态失调消除电路使传感器的灵敏度不受外界压力和IC封装应力的影响。ACS724提供SOP8封装，工作温度范围 -40~150°C ，符合RoHS标准。

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型号：ACS724LLCTR-50AB-T 编号：C22392333

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

ACS724是一款高性能霍尔效应电流传感器，可以更为有效地测量交流（AC）或者直流（DC）电流，可广泛应用于工业，消费类及通信类设备。ACS724系列内部集成了一颗高精度、低噪声的线性霍尔电路和一根低阻抗的主电流回路导线，当采样电流流经主电流回路时，其产生的磁场在霍尔电路上感应出相应的电信号，经过信号处理电路输出电压信号，使得产品输出严格地与被测电流值成比例。线性霍尔电路采用先进的BCDMOS制程生产，其中包含了高灵敏度霍尔传感器、霍尔信号预放大器、高精度霍尔温度补偿单元、振荡器、动态失调消除电路和放大器输出模块。在无磁场的情况下，电流传感器静态输出为 50% Vcc 。在电源电压5V条件下，传感器静态输出可以在 0.2~4.8V 之间随磁场线性变化，线性度可达 0.4% 。ACS724内部集成的动态失调消除电路使传感器的灵敏度不受外界压力和IC封装应力的影响。ACS724提供SOP8封装，工作温度范围 -40~150°C ，符合RoHS标准。

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型号：M210Z-B68 编号：C48031359

封装：LCC-10(10.1x9.7)

品牌：如般微

M210Z-B68 是基于中科微 AT6668B 设计的一款高性能单北斗单模双频点卫星导航接收机模组，模组集成射频前端 LNA 以及 SAW，数字基带核心，北斗信号处理引擎，电源管理等功能。本模组支持多个北斗卫星频点，支持中国北斗二号 B1I（1561.098 MHz）和三号 B1C（1575.42 MHz）频段，可实现快速搜星，准确定位的效果。

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￥20.56
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￥17.62
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￥15.86

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型号：6MBP30XSF060-50 编号：C5819992

封装：DIP-24

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低侧IGBT为独立发射极类型。短路保护。温度传感器输出功能。过热保护。欠压保护。故障信号输出功能。应用：AC 100~240V三相逆变器驱动，用于小功率交流电机驱动（如空调压缩机电机驱动、热泵应用压缩机电机驱动、风扇电机驱动、通风机电机驱动）

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￥66.19
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型号：LTP8800-4AIPV#PBF 编号：C28872917

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

是一款150A降压μModule稳压器，可从54V配电架构提供微处理器核心电压。它具有通过PMBus（一种基于I²C的开放标准数字接口协议）对电源管理参数进行远程配置和遥测监控的功能。由带有精密混合信号电路、EEPROM、功率MOSFET、平面变压器、电感器和支持组件的可编程数字控制系统组成。高度集成可减少组件数量和设计时间，并最大化灵活性和功率密度。通过采用谐振开关架构消除高压开关损耗，在高转换比下保持高效率。采用22mm×24mm×6.7mm表面贴装开放式框架封装。

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￥421.59
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型号：MMZ0603A241ET000 编号：C275393

封装：0201

品牌：TDK

特性：噪声降低解决方案，适用于一般信号线。与MMZ系列相比，将SRF提高到GHz频段，可通过一个元件在宽频率范围内抑制噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。具有4种不同特性的材料，提供各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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型号：MMZ1005F121ET000 编号：C89458

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。与MMZ系列相比，将自谐振频率（SRF）提高到GHz频段，单个元件可在较宽频率范围内应对噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。采用四种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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￥0.04929 ￥0.1643
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型号：BLM03BB100SN1D 编号：C160963

封装：0201

品牌：muRata(村田)

特性：芯片铁氧体磁珠BLM系列设计用于在噪声频率下近乎作为电阻工作，大大降低了谐振的可能性，使信号波形不失真。 BLM系列无需接地，因此在没有稳定接地线的电路中有效。 BLM_B系列由于其尖锐的阻抗特性，可将信号波形的衰减降至最低。提供各种阻抗以匹配信号频率。外部电极的镍阻挡结构具有出色的焊接耐热性。应用：适用于先进的高密度安装。适用于数字设备的小型化或功能部分的模块

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50+
￥0.0558
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￥0.0375

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型号：MMZ1005S601CT000 编号：C76804

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。具有多种频率特性，采用5种不同特性的材料，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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￥0.0583
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￥0.0472
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型号：MMZ1608R300ATA00 编号：C136263

封装：0603

品牌：TDK

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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50+
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￥0.0589
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型号：MPZ1608D300BTA00 编号：C501997

封装：0603

品牌：TDK

特性：降噪解决方案，用于电源线。与MMZ系列相比，低直流电阻，适合大电流，低功耗。有5种不同特性的材料，具有各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的所有情况。在需要低直流电阻的信号线中也表现良好。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和记录仪、STB等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.1059
500+
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型号：MPZ1608D600BTA00 编号：C275482

封装：0603

品牌：TDK

特性：降噪解决方案，用于电源线。与MMZ系列相比，低直流电阻，适合大电流，低功耗。有5种不同特性的材料，具有各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的所有情况。在需要低直流电阻的信号线中也表现良好。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和记录仪、STB等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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10+
￥0.10678 ￥0.1124
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￥0.084455 ￥0.0889
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￥0.072105 ￥0.0759
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￥0.064695 ￥0.0681
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￥0.053485 ￥0.0563

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型号：MMZ1005S121HT000 编号：C1533884

封装：0402

品牌：TDK

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。与标准“- C”系列相比，该产品电阻更低。可以降低电路的功率损耗。工作温度范围：-55 至 +125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.109345 ￥0.1151
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￥0.08626 ￥0.0908
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￥0.073435 ￥0.0773
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￥0.06574 ￥0.0692
20000+
￥0.05909 ￥0.0622
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￥0.05548 ￥0.0584

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型号：MMZ1608Q121BTA00 编号：C695168

封装：0603

品牌：TDK

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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50+
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￥0.0778
4000+
￥0.0674

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型号：MMZ1005S182ET000 编号：C694571

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。与MMZ系列相比，将自谐振频率（SRF）提高到GHz频段，单个元件可在较宽频率范围内应对噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。采用四种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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10+
￥0.1322
100+
￥0.1035
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￥0.0876

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型号：MMSZ5232BT1G 编号：C50177013

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为5.6V，适用于提供稳定的电压参考。其正向导通电流（IF）为20mA，正向导通压降（VF）为0.9V，具有较低的导通损耗。在反向截止状态下，漏电流（IR）典型值为5μA，表现出良好的阻断性能。该器件常用于电源稳压电路、信号电平转换及过压保护设计中，可有效维持电路工作点的稳定。在精密模拟电路、通信设备及便携式电子产品中，能为敏感模块提供可靠的电压钳位和基准电压支持。

20+
￥0.185725 ￥0.1955
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￥0.144685 ￥0.1523
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￥0.121885 ￥0.1283
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￥0.108205 ￥0.1139
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￥0.09633 ￥0.1014
21000+
￥0.089965 ￥0.0947

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型号：BZT52-B11X-HXY 编号：C53262780

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的正向电流（IF）为5mA，反向稳定电压（VR）为11V，正向压降（VF）为0.9V，反向漏电流（IR）低至0.1μA，额定功耗（PD）为0.5W。器件在反向击穿区具有良好的电压稳定性，适用于对电源精度和噪声敏感的电路环境。其低漏电流特性有助于降低待机功耗，常用于消费类电子、通信模块及便携设备中的电压参考、过压保护和信号箝位等场合。

20+
￥0.190285 ￥0.2003
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￥0.149245 ￥0.1571
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￥0.126445 ￥0.1331
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￥0.112765 ￥0.1187
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￥0.10089 ￥0.1062
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￥0.094525 ￥0.0995

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型号：HDTC114EE3HZGTL 编号：C42389362

封装：SOT-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款数字晶体管属于NPN型，其设计紧凑，适用于多种电子控制及信号放大的应用场景。该晶体管具有稳定的集射极击穿电压（Vceo）为50V，确保了在高压环境下工作的可靠性。同时，其最大集电极电流（Ic）可达50mA，适用于驱动小型负载或作为开关元件使用。凭借这些特性，此款晶体管是构建逻辑电路和信号处理模块的理想选择。

20+
￥0.206448 ￥0.2346
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￥0.160776 ￥0.1827
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￥0.135432 ￥0.1539
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￥0.120296 ￥0.1367
9000+
￥0.107096 ￥0.1217
21000+
￥0.099968 ￥0.1136

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型号：BCW31-HXY 编号：C46682418

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具有0.2A的集电极电流IC和40V的集电极-发射极电压VCEO，适用于多种电子设备中。其直流电流增益HFE在100到300之间，确保了信号放大的稳定性和效率。特征频率FT达到300MHz，使其成为高速开关应用的理想选择。此三极管非常适合于构建音频放大器、通信模块中的信号处理电路以及需要高频率响应和精准放大的场合，为各种电子设计提供可靠支持。

20+
￥0.20727 ￥0.2303
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￥0.16254 ￥0.1806
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￥0.1377 ￥0.153
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￥0.12285 ￥0.1365
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￥0.10989 ￥0.1221
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￥0.10296 ￥0.1144

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型号：PTVSHC3D5VU-HXY 编号：C49318000

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该静电和浪涌保护器件为单向设计，具备140A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，可高效抑制静电放电及瞬态电压带来的冲击。其反向工作电压为5V（VRWM），适用于标准逻辑电平电路的防护需求。器件采用单通道布局，结电容（CJ）为980pF，适合用于低速信号线或电源线路的保护。该产品广泛应用于便携式电子设备、通信模块以及各类通用电器中的敏感电路保护，能够在复杂电磁环境中提供稳定可靠的电气防护性能。

10+
￥0.217835 ￥0.2293
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￥0.213085 ￥0.2243
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￥0.209855 ￥0.2209
1000+
￥0.20672 ￥0.2176

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型号：SMMBT3906LT1G-HXY 编号：C46682393

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP三极管（BJT）具有0.2A的集电极电流(IC)能力，适用于需要中低电流操作的电路设计。其集电极-发射极电压(VCEO)最大可达40V，能够满足大多数通用电子设备的需求。该型号的直流电流增益(HFE)范围是100至300，确保了信号放大过程中的稳定性能。此外，它拥有高达300MHz的过渡频率(FT)，使其在高频应用中表现出色，适合于快速信号处理和通信设备中，有助于提升设备的整体响应速度与效率，适用于如无线通讯模块和高性能音频系统等应用场景。

20+
￥0.22077 ￥0.2453
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￥0.17316 ￥0.1924
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型号：PMSS3904-HXY 编号：C46682471

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型三极管（BJT）适用于多种电子设备中，具备集电极电流IC为0.2A，可支持一般消费电子产品的需求。其集电极-发射极电压VCEO高达40V，提供了良好的电气隔离保护。直流电流增益HFE在100至300之间，确保了信号放大时的稳定性和效率。此外，该三极管的过渡频率FT达到300MHz，非常适合高频应用环境。这些特性使其成为音频处理、通信模块等应用场景中的理想选择。

10+
￥0.22293 ￥0.2477
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￥0.15489 ￥0.1721
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￥0.13788 ￥0.1532
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￥0.12429 ￥0.1381
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￥0.11754 ￥0.1306

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型号：RB531SM-40FHT2R-HXY 编号：C52754599

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，体现出优异的阻断性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对低功耗和高效率有要求的电源整流、信号检波及保护电路，常见于便携式电子设备与小型电源模块中。

20+
￥0.224105 ￥0.2359
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￥0.155705 ￥0.1639
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￥0.138605 ￥0.1459
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￥0.124925 ￥0.1315
21000+
￥0.118085 ￥0.1243

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型号：SBAS70-04LT1G-HXY 编号：C52754623

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至2.5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

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￥0.23313 ￥0.2454
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￥0.161975 ￥0.1705
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￥0.14421 ￥0.1518
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￥0.12996 ￥0.1368
9000+
￥0.122835 ￥0.1293

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型号：HBZT52C20X 编号：C42389421

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款稳压二极管具有20V的额定稳定电压（VR），可在电路中提供可靠的电压稳定作用。其最大正向电流（IF）为0.1A，适合用在需要限制电流的小型电子设备或精密仪器中。同时，该二极管的正向电压降（VF）仅为0.9V，有助于减少能量损耗。其功率耗散能力（PD）达到0.5W，能够在各种需要稳定电压源的场合中保持性能稳定，如在消费电子产品中的电源管理模块或信号线路的电压保护等方面发挥重要作用。

10+
￥0.242 ￥0.3025
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￥0.19128 ￥0.2391
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￥0.16592 ￥0.2074
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￥0.14696 ￥0.1837
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￥0.13176 ￥0.1647
9000+
￥0.12408 ￥0.1551

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型号：MLF1608DR47JT000 编号：C275359

封装：0603

品牌：TDK

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

数据手册

10+
￥0.2441
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￥0.1934
300+
￥0.168

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型号：BAS40-05-E3-08-HXY 编号：C52754634

封装：SOT-23-3

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向平均电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）仅为0.2μA，展现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压整流、信号检波及电源极性保护等电路，常见于便携式电子产品和小型电源模块中。

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型号：SBAS40-04LT1G-HXY 编号：C52754626

封装：SOT-23-3

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.2μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号检波场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

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型号：2SK1590-T1B-A-VB 编号：C7463684

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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