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封装：SOT-363

该N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计用于精密控制场合，具备0.1A的漏极电流（ID），以及60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在20V的栅源电压（VGS）驱动下提供可靠的电流路径。此MOSFET适用于需要精细调节电流强度的应用场景，例如电子玩具、智能家居组件或小型电子模块中的信号放大与处理环节，能够确保电路在高压差下的稳定性和精确度。

10+
￥0.25362 ￥0.2818
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￥0.20052 ￥0.2228
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￥0.17397 ￥0.1933
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￥0.15399 ￥0.1711
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￥0.13806 ￥0.1534
9000+
￥0.13014 ￥0.1446

有货

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型号：BS170FTA-VB 编号：C558098

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.289085 ￥0.3401
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￥0.227885 ￥0.2681
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￥0.197285 ￥0.2321
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￥0.16626 ￥0.1956
6000+
￥0.1479 ￥0.174
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￥0.13872 ￥0.1632

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型号：HCEST23NC3V3U 编号：C22440446

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款单向ESD静电保护二极管专为双通道应用设计，每通道耐压3.3V，能承受20A峰值电流冲击，为低电压电路提供高效防护。120皮法的电容值在确保强效静电保护的同时，对信号传输影响甚微，是移动设备、物联网(IoT)模块及其它低功耗电子产品的理想选择，有效增强系统抗静电能力，保障数据传输的连续性和可靠性。

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￥0.29493 ￥0.3277
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￥0.2331 ￥0.259
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￥0.20223 ￥0.2247
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￥0.1791 ￥0.199
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￥0.16056 ￥0.1784
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￥0.15129 ￥0.1681

有货

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型号：D882Y 编号：C50269822

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管具有3A的集电极电流（IC）和30V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于中等功率开关与放大电路。其直流电流增益（HFE）在200至300之间，具备较高的放大能力，有助于提升电路的响应效率与信号处理精度。器件可广泛用于电源转换、LED驱动、家用电器控制板及便携式设备的功率管理模块，作为开关或线性放大元件稳定工作，适合对增益和负载驱动能力有要求的通用电子应用场合。

5+
￥0.3014
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￥0.2948
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￥0.2904

有货

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型号：BSS138LT3G-VB 编号：C4355052

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.30311 ￥0.3566
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￥0.24191 ￥0.2846
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￥0.21131 ￥0.2486
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￥0.18836 ￥0.2216
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￥0.17 ￥0.2
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￥0.16082 ￥0.1892

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型号：VBZ2N7002 编号：C3040210

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.307615 ￥0.3619
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￥0.246415 ￥0.2899
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￥0.215815 ￥0.2539
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￥0.17425 ￥0.205
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￥0.15589 ￥0.1834
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￥0.146625 ￥0.1725

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型号：BSS138LT1G-VB 编号：C7428943

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.33877 ￥0.3566
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￥0.27037 ￥0.2846
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￥0.23617 ￥0.2486
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￥0.17974 ￥0.1892

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型号：2PB710ARL-HXY 编号：C47506926

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）具备1A的集电极电流IC，适用于需要较高电流承载能力的应用场景。其最大集电极-发射极电压VCEO为60V，确保在宽电压范围内的稳定操作。直流电流增益HFE在100至300之间，使得它在信号放大方面表现卓越。特征频率FT达到150MHz，适合于中高频应用环境。该组件广泛应用于无线通信模块、音频设备及消费类电子产品中，能够有效提升产品的性能和效率，确保信号处理的精确性和可靠性。

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￥0.33975 ￥0.3775
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￥0.27063 ￥0.3007
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￥0.23607 ￥0.2623
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￥0.21015 ￥0.2335
6000+
￥0.18936 ￥0.2104
9000+
￥0.17901 ￥0.1989

有货

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型号：AO3460-VB 编号：C557946

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.340765 ￥0.3587
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￥0.272365 ￥0.2867
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￥0.238165 ￥0.2507
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￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

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型号：BSN20-VB 编号：C558103

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

10+
￥0.349505 ￥0.3679
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￥0.281105 ￥0.2959
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￥0.246905 ￥0.2599
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￥0.198265 ￥0.2087
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￥0.177745 ￥0.1871
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：WS2815F 编号：C22371533

封装：SMD5050-6P

品牌：worldsemi

WS2815F是集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。外型与一个5050LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。实现双路信号传输，在单个像素点损坏的情况下，不影响整体色彩的显示。

10+
￥0.355
100+
￥0.283
300+
￥0.247
1000+
￥0.22
5000+
￥0.1984

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型号：NUD3160LT1G-VB 编号：C7429094

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.35568 ￥0.3744
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￥0.28728 ￥0.3024
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￥0.25308 ￥0.2664
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￥0.211755 ￥0.2229
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￥0.191235 ￥0.2013
9000+
￥0.180975 ￥0.1905

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型号：2SC2873-Y-MS 编号：C52287384

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款2SC2873-Y-MS是一款NPN型硅双极结晶体管，它与2SA1213-构成互补对管,其核心参数适配中小功率场景：50V集射极耐压、2A连续集电极电流，满足主流低压电路需求，应用精准聚焦：凭借高速开关与低损耗特性，广泛用于消费电子的音频功率放大、电源管理模块的开关控制，还适配工业自动化设备驱动电路及无线通信设备的信号处理单元。

10+
￥0.44821 ￥0.4718
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￥0.35701 ￥0.3758
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￥0.31141 ￥0.3278
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￥0.27721 ￥0.2918
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￥0.24985 ￥0.263
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有货

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型号：2SA1213-Y-MS 编号：C52287385

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款2SA1213-Y-MS是一款PNP型硅外延晶体管，采用SOT-89封装，与2SC2873-Y-MS构成互补对管,核心参数适配中小功率场景：-50V集射极耐压、-2A连续集电极电流，满足主流低压电路需求；0.5V低饱和压降减少损耗,应用精准聚焦：凭借低噪声、高增益特性，广泛用于消费电子的音频功率放大，也适配电源管理模块的开关控制，还可用于工业自动化设备驱动电路及无线通信设备信号处理。

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￥0.44821 ￥0.4718
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￥0.31141 ￥0.3278
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￥0.27721 ￥0.2918
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￥0.24985 ￥0.263
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型号：BAT43WS-HE3-08-HXY 编号：C50176895

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压开关电路。其正向导通压降（VF）典型值为1V，在小电流工作条件下可有效降低功耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）低至0.5μA，表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器以及信号整流等场景，尤其适合对功耗和空间有严格要求的低功率应用，能够满足高频开关和高效能转换的技术需求。

5+
￥0.56031 ￥0.5898
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￥0.44631 ￥0.4698
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￥0.38931 ￥0.4098
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￥0.34656 ￥0.3648
3000+
￥0.31236 ￥0.3288
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￥0.29526 ￥0.3108

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型号：CC6211ES5 编号：C19724222

封装：SOT-553

品牌：CrossChip(成都芯进)

CC6211E是一款微功耗、超高灵敏度的单极性霍尔效应开关传感器件。CC6211E内部电路包括霍尔薄片、电压调节模块、信号放大处理模块、动态失调消除模块、锁存模块和CMOS输出级。由于CC6211E采用了先进的Bi-CMOS工艺，整体优化的电路结构使产品获得极低的输入误差反馈

5+
￥0.6232
50+
￥0.5472
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￥0.5092
500+
￥0.4807

有货

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型号：CD4069UBM96-HXY 编号：C48677909

封装：SOP-14

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款反相器设计用于转换逻辑电平，具备较宽的工作电压范围，从3V到15V，适合多种电源环境。其典型工作电流仅为1uA，确保了低功耗运行，特别适用于对能耗敏感的应用场景。它拥有6个独立通道，每个通道接受单一输入信号，能够有效实现信号的反相处理，提升电路设计灵活性。该产品在数字电路设计中表现出色，比如信号处理和通信模块等场合，为设计师提供了强大的解决方案。

5+
￥0.624245 ￥0.6571
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￥0.496565 ￥0.5227
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￥0.432725 ￥0.4555
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￥0.384845 ￥0.4051
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￥0.34656 ￥0.3648
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￥0.32737 ￥0.3446

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型号：WS2813B-2121 编号：C22371528

封装：SMD2121-6P

品牌：worldsemi

WS2813B-2121是一个集控制电路与发光芯片于一体的智能外控LED光源。其外型与一个2121LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路，防反接电路，还包含有高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。

5+
￥0.6955
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￥0.557
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￥0.4878
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￥0.4359
2500+
￥0.3944

有货

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型号：MMBT589LT1G-HXY 编号：C47502951

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC）能力，适用于需要中等功率处理的电路。其集电极-发射极电压（VCEO）为30V，确保在低压应用中的稳定性和可靠性。直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，提供了良好的信号放大效果。该三极管的过渡频率（FT）达到100MHz，使其在高频操作条件下依然表现出色。此元件非常适合用于构建对信号放大精度和响应速度有高要求的电子设备，如无线通讯模块或便携式音频装置，满足复杂电路设计的需求。

5+
￥0.76446 ￥0.8494
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￥0.60894 ￥0.6766
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￥0.53118 ￥0.5902
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￥0.47286 ￥0.5254
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￥0.42615 ￥0.4735
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￥0.40284 ￥0.4476

有货

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型号：ZM4740A-GS08-HXY 编号：C50177008

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管具有10V的稳定反向击穿电压（VR），在正常工作条件下可提供精确的电压参考。正向导通电流（IF）为0.091A，正向导通压降（VF）为1.2V，具备较低的导通损耗。反向漏电流（IR）典型值为10μA，表现出良好的反向阻断特性与能效表现。器件适用于小功率电源管理、电压钳位、电路保护及信号电平调节等应用，常用于消费类电子、便携式设备和通信模块中，为敏感电路提供可靠的电压稳定与瞬态保护功能。

5+
￥1.151685 ￥1.2123
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￥0.912285 ￥0.9603
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￥0.809685 ￥0.8523
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￥0.681625 ￥0.7175
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￥0.624625 ￥0.6575
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￥0.590425 ￥0.6215

有货

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型号：FDC602P-VB 编号：C709955

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.176825 ￥1.3845
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￥0.924035 ￥1.0871
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￥0.815745 ￥0.9597
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￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
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￥0.58429 ￥0.6874

有货

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型号：FDC638P-VB 编号：C878863

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
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￥0.815745 ￥0.9597
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￥0.680595 ￥0.8007
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￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

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型号：ZM4735A-GS08-HXY 编号：C50177007

封装：LL-41

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为6.2V，适用于提供稳定的参考电压，广泛用于模拟信号处理和电源电压钳位电路中。其正向导通电流（IF）可达0.146A，正向压降（VF）为1.2V，具备一定的电流承载能力。在反向截止状态下，漏电流（IR）典型值为10μA，表现出良好的反向阻断特性。器件常用于低功率电源模块、电压检测电路、过压保护单元以及信号电平转换场合，适合对电压精度和工作稳定性有一定要求的电子设备应用。

5+
￥1.243835 ￥1.3093
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￥0.985245 ￥1.0371
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￥0.874475 ￥0.9205
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￥0.736155 ￥0.7749
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￥0.674595 ￥0.7101
5000+
￥0.637735 ￥0.6713

有货

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型号：AO6409-VB 编号：C693415

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.267265 ￥1.4909
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￥1.014475 ￥1.1935
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￥0.906185 ￥1.0661
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￥0.771035 ￥0.9071
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￥0.629935 ￥0.7411
6000+
￥0.59381 ￥0.6986

有货

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型号：BFS17NTA-HXY 编号：C47506925

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型三极管（BJT）适用于高频放大与开关应用，具有IC电流能力为0.1A，最大集电极-发射极电压VCEO达到11V。其直流电流增益HFE范围在50至300之间，显示了良好的放大性能。特别值得一提的是，它的过渡频率FT高达7000MHz，表明它在高频环境下仍能保持优秀的性能表现。该三极管是构建无线通信设备、射频模块等电子产品的理想选择，能满足对信号放大和处理的高要求。

5+
￥1.3311 ￥1.479
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￥1.05444 ￥1.1716
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￥0.93582 ￥1.0398
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￥0.78786 ￥0.8754
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￥0.72198 ￥0.8022
6000+
￥0.68247 ￥0.7583

有货

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型号：FDS9435A-NL-VB 编号：C725040

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥1.766525 ￥1.8595
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￥1.412175 ￥1.4865
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￥1.260365 ￥1.3267
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￥1.07084 ￥1.1272
2500+
￥0.95133 ￥1.0014
4000+
￥0.900695 ￥0.9481

有货

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型号：BD236STU-HXY 编号：C50275337

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具有2A的集电极电流（IC）和60V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中高功率的放大与开关应用。其直流电流放大倍数（HFE）在150至250之间，具备较高的增益一致性与稳定性。器件可用于电源管理模块、LED驱动电路、音频输出级、家用电器控制电路及各类消费类电子设备中的功率切换场合。在较高负载电流与电压条件下仍能保持可靠性能，适合用于构建高效的信号放大与电源控制电路。

5+
￥1.84262 ￥1.9396
50+
￥1.45958 ￥1.5364
150+
￥1.29542 ￥1.3636
500+
￥1.0906 ￥1.148
2500+
￥0.9994 ￥1.052
5000+
￥0.94468 ￥0.9944

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型号：AO4407A-VB 编号：C557949

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

5+
￥2.140065 ￥2.2527
50+
￥1.680455 ￥1.7689
150+
￥1.483425 ￥1.5615
500+
￥1.23766 ￥1.3028
2500+
￥1.12822 ￥1.1876
4000+
￥1.062575 ￥1.1185

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型号：NVT4557HKX-HXY 编号：C49108286

封装：QFN-10(1.4x1.8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该接口器件支持1.08V至1.98V的宽工作电压范围，适应低功耗系统设计需求。其数据传输速率达10Mbps，可满足中低速通信场景下的稳定数据传输要求。器件静态电流（IQ）低至0.5µA，显著降低待机功耗，提升整体能效表现。该特性使其适用于电池供电设备、便携式电子产品及对功耗敏感的智能终端中，可用于传感器信号处理、无线模块通信以及低功耗微控制器之间的数据交互等应用场合。

1+
￥5.8615 ￥6.17
10+
￥4.75 ￥5
30+
￥4.199 ￥4.42
100+
￥3.648 ￥3.84
500+
￥3.3155 ￥3.49
1000+
￥3.1445 ￥3.31

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型号：DHT20 编号：C3012627

封装：SIP-4

品牌：广州奥松

DHT20是DHT11的全新升级产品，配置了专用的ASIC传感器芯片、高性能的半导体硅基电容式湿度传感器和一个标准的片上温度传感器，并使用了标准I²C数据输出信号格式。其性能已经大大提升，并且超过了前一代传感器（DHT11）的可靠性水平。新一代升级产品，经过改进使其在高温高湿环境下的性能更稳定；同时，产品的精度、响应时间、测量范围都得到了大幅的提升。

数据手册

1+
￥7.39
10+
￥6.17
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￥5.5
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￥4.74
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￥4.4
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