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台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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型号：SI9948AEY-T1-E3-VB 编号：C558277

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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型号：JSM6900SO-5A 编号：C7496525

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单芯片霍尔电流传感器 JSM6900S0是一款高性能霍尔效应电流传感器可以更为有效地测量交流（AC）或者直流（DC)电流，可广泛应用于工业，消费类及通信类设备。 JSM6900S0系列内部集成了一颗高精度、低噪声的线性霍尔电路和一根低阻抗的主电流回路导线，当采样电流流经主电流回路时，其产生的磁场在霍尔电路上感应出相应的电信号，经过信号处理电路输出电压信号，使得产品输出严格地与被测电流值成比例。线性霍尔电路采用先进的BCDMOS制程生产，其中包含了高灵敏度霍尔传感器、霍尔信号预放大器、高精度霍尔温度补偿单元、振荡器、动态失调消除电路和放大器输出模块。

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型号：TSOP34438 编号：C5240993

封装：插件,P=2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

是用于红外遥控系统的小型化红外接收器模块。PIN二极管和前置放大器组装在引线框架上，环氧封装中包含红外滤光片。解调后的输出信号可直接连接到微处理器进行解码。TSOP324、TSOP344系列器件经过优化，可抑制来自节能灯（如CFL）的几乎所有杂散脉冲。TSOP324、TSOP344中使用的AGC4可能会抑制一些数据信号。TSOP322、TSOP348系列主要用于与旧的AGC2设计兼容。新设计应优先选择包含较新AGC4的TSOP324、TSOP344系列。这些组件未根据汽车规格进行鉴定。

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型号：PE42721MLBA-Z 编号：C2151917

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42721是基于HaRPTM技术增强的UltraCMOs工艺开发的高度线性SPDT射频开关。它具有高隔离度和非常低的插入损耗，适用于电视调谐模块、CATV信号切换和分配、DTV、多调谐数字视频录像机(DVR)和机顶盒。

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型号：ATMEGA328-AU 编号：C618731

封装：TQFP-32(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一种基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，允许系统设计者优化功耗与处理速度。AVR核心结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），使得在一个时钟周期内执行的一条指令可以访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，并且比传统的CISC微控制器快达十倍。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P提供了以下特性：具有读写同时进行能力的4K/8K字节的系统内可编程Flash、256/512/512/1K字节的EEPROM、512/1K/1K/2K字节的SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个带有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个SPI串行端口、一个6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中为8通道）、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用其他所有芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于休眠状态时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU和所有I/O模块（除了异步定时器和ADC）以最小化ADC转换期间的开关噪声。待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于休眠状态。这允许非常快速启动并结合低功耗。Microchip提供QTouch库，用于将电容触摸按钮、滑块和滚轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供了稳健的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，还包括相邻键抑制(AKS)技术以实现对按键事件无歧义的检测。易于使用的QTouch套件工具链允许您探索、开发和调试自己的触摸应用程序。该器件使用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行于AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口来下载应用Flash存储器中的应用程序。当应用Flash部分被更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与系统内自编程Flash集成在同一芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P是一种强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR支持完整的程序和系统开发工具套件，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

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型号：F2800157QRHBRQ1 编号：C22427501

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280015x (F280015x) 是可扩展、超低延迟设备的成本优化型 C2000 实时微控制器系列的一员，专为功率电子领域的效率而设计。这些应用包括 HVAC 压缩机模块、前照灯、DC/DC 转换器、逆变器和电机控制、车载 (OBC) 和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、传感和信号处理。TMS320F280015x 具有锁步运行的双 32 位 C28x CPU，使该设备能够在不增加太多软件开销的情况下实现 ASIL B 功能安全设备评级。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心，该核心提供 120 MHz 的信号处理性能，可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于三角数学单元 (TMU) 和 VCRC（循环冗余校验）扩展指令集，从而加速实时控制系统的关键常用算法。F280015x 支持高达 256KB（128KW）的闪存。此外，还提供高达 36KB（18KW）的片上 SRAM，以补充闪存。高性能模拟模块集成在 F280015x 实时微控制器 (MCU) 上，并与处理和 PWM 单元紧密耦合，以提供最佳的实时信号链性能。十四个 PWM 通道可用于控制各种功率级，从三相逆变器到功率因数校正和其他高级多电平功率拓扑。通过各种行业标准通信端口（如 PMBUS、SPI、SCI、LIN、I2C、CAN 和 CAN FD）支持接口，并提供多种引脚复用选项，以实现最佳的信号放置。

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￥33.32
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￥28.71
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型号：USB TO RS485 编号：C5452423

封装：-

品牌：Waveshare(微雪电子)

工业级 USB 转 RS485 转换器，采用 FT232RL 和 SP485EEN 两款原装进口的芯片方案，通信稳定，适用于各种通信要求较高的工控设备或应用。支持USB转RS485通信。采用 FT232RL和SP485EEN两款原装进口芯片，通信高速、稳定、可靠、兼容性好。板载 TVS(瞬态电压抑制管)，可有效抑制电路中的浪涌电压和瞬态尖峰电压，防雷防静电。板载自恢复保险丝和保护二极管，可确保电流和电压稳定输出，防过流过压，提高抗冲击能力。板载 3 个 LED 指示灯，方便查看电源和信号收发状态。

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￥64.01
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型号：HO1-P102-10F 编号：C5124124

封装：DIP-9

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：空载输入电流低至 25mA。工作环境温度范围：-25°C 至 +71°C。高效率达 87%。连续输出电压 0-1000V，具有线性可调功能。具备电压和电流检测信号。应用：电力。工业控制

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型号：CLM-83-2W+ 编号：C5445187

封装：TCDFN-8-EP

品牌：Mini-Circuits

保护设备免受ESD和输入RF功率浪涌的影响，功率高达1.6W，频率范围非常宽。内部二极管连接到多层集成LTCC基板上，然后在可控氮气环境中用镀金盖和共晶AuSn焊料进行气密密封。这些坚固、小巧的限幅器尺寸仅为0.12×0.12×0.045，能为低噪声放大器和其他敏感设备提供出色保护，尤其在存在大量干扰信号的恶劣环境中，如制造现场、火车隧道等。该限幅器能够满足MIL标准对总泄漏、微泄漏、热冲击、振动、加速度、机械冲击和高温工作寿命的要求，可根据需求进行测试

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￥287.75
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￥275.06

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型号：MMZ1608B301CTAH0 编号：C114767

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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50+
￥0.0839
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1500+
￥0.0503

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型号：MMZ1608Y121BTA00 编号：C275452

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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￥0.099655 ￥0.1049
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￥0.078565 ￥0.0827
1500+
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￥0.059945 ￥0.0631
24000+
￥0.053865 ￥0.0567
48000+
￥0.05054 ￥0.0532

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型号：MM1Z22W 编号：C50177014

封装：SOD-123

该稳压二极管的稳定电压为22V（VR），在正常工作条件下具备良好的电压调节性能。其最大正向电流（IF）为5mA，正向导通压降为0.9V（VF），反向漏电流极低，仅为0.1μA（IR），表现出优异的反向阻断特性。器件适用于需要精确电压参考或过压保护的电路，常见于消费类电子设备、便携式装置及小型电源模块中。可用于信号电平箝位、电源稳压电路及模拟电路中的基准电压源，适合对电路稳定性与功耗控制有要求的应用场景。

50+
￥0.1075
500+
￥0.0838
3000+
￥0.0706

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型号：MMZ1608A182BTA00 编号：C6909857

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

20+
￥0.11862 ￥0.1318
200+
￥0.09333 ￥0.1037
600+
￥0.07929 ￥0.0881
4000+
￥0.07092 ￥0.0788

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型号：MPZ1005S221ET000 编号：C165811

封装：0402

特性：电源线降噪解决方案。产品线包括采用材料S的产品，可在GHz频段从低频段到高频段获得阻抗；以及采用材料Y的产品，其阻抗在GHz频段急剧上升。与MPZ系列相比，可在GHz频段获得高阻抗。与MMZ-E系列相比，具有低直流电阻，适合大电流，非常适合低功耗应用。即使在需要低直流电阻的信号线中也表现良好。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.1231
500+
￥0.0965
1500+
￥0.0817

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型号：HEBL0501T 编号：C42402084

封装：DFN1006-2L

本产品为单向TVS/ESD保护器件，专为高精度电子系统设计。其反向截止电压（VRWM）为5V，适用于低压信号线路的瞬态过压防护。最大峰值脉冲电流（IPP）可达4A，能够有效吸收静电放电及浪涌能量，保障后级电路安全。器件结电容（CJ）低至0.6pF，对信号完整性影响极小，适合高速数据接口应用。单通道（LINE:1通道）设计结构紧凑，便于布局与集成，广泛用于便携设备、通信模块等场景中的电路保护。

20+
￥0.12321 ￥0.1369
200+
￥0.09594 ￥0.1066
600+
￥0.08082 ￥0.0898
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￥0.07173 ￥0.0797
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￥0.0639 ￥0.071
20000+
￥0.05967 ￥0.0663

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型号：BAS70WX-HXY 编号：C52754515

封装：SOD-323

该肖特基二极管为独立式配置，正向平均电流（IF）为0.07A，反向重复峰值电压（VR）为70V，正向压降（VF）典型值为1V，反向漏电流（IR）低至0.1μA，具备良好的阻断与导通特性。其正向浪涌电流（IFSM）能力为0.1A，适用于对功耗和体积要求较高的电子设备，如便携终端、小型电源模块及高频信号处理电路中的整流与保护功能。

20+
￥0.13319 ￥0.1402
200+
￥0.1045 ￥0.11
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￥0.08854 ￥0.0932
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￥0.078945 ￥0.0831
9000+
￥0.07068 ￥0.0744
21000+
￥0.066215 ￥0.0697

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型号：BZT52-B3V6X-HXY 编号：C53262782

封装：SOD-123

该稳压二极管的正向电流（IF）为5mA，反向稳定电压（VR）为3.6V，正向压降（VF）为0.9V，反向漏电流（IR）为5μA，额定功耗（PD）为0.5W。其较低的稳压值适用于对电源电压精度要求较高的场合，同时在正常工作条件下保持合理的漏电流水平。常用于消费类电子产品、便携设备及通信模块中，作为电压基准、信号箝位或过压保护元件，确保电路在低电压环境下的稳定运行。

20+
￥0.14269 ￥0.1502
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￥0.11191 ￥0.1178
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￥0.09481 ￥0.0998
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￥0.08455 ￥0.089
9000+
￥0.075715 ￥0.0797
21000+
￥0.07087 ￥0.0746

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型号：BCW89-HXY 编号：C47506904

封装：SOT-23

此款PNP型三极管（BJT）专为精细控制与放大设计，具有集电极电流IC为0.1A的特性，适用于低功率需求场景。其最大集-射极电压VCEO可达65V，保证了元件在不同电路条件下的稳定性与可靠性。直流电流增益HFE范围为125至250，表明其具备优秀的电流放大能力，能够有效提升信号处理精度。此外，该三极管的过渡频率FT为100MHz，使其在高频应用中表现出色，非常适合于无线通信设备等需要高效率和快速响应的电子模块中。

20+
￥0.16227 ￥0.1803
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￥0.12726 ￥0.1414
600+
￥0.10782 ￥0.1198
3000+
￥0.09612 ￥0.1068
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￥0.08604 ￥0.0956
21000+
￥0.08055 ￥0.0895

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型号：BSN20-7-F-VB 编号：C18212459

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

100+
￥0.2025
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￥0.195
3000+
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￥0.1725
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型号：BC816-25WX-HXY 编号：C47506874

封装：SOT-323

此款NPN三极管（BJT）专为高效能应用设计，集电极-发射极电压VCEO高达160V，确保在高压环境下的稳定操作。其集电极电流IC为0.6A，适合处理中等负载需求。直流电流增益HFE范围在100至300之间，提供出色的信号放大性能。特征频率FT达到100MHz，保证了高速开关与信号处理能力。该三极管适用于各种电路，包括但不限于音频放大、电源管理及信号处理模块，满足多种电子设备的需求。

20+
￥0.18027 ￥0.2003
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型号：MMBTA56WT1G-HXY 编号：C47506876

封装：SOT-323

这款PNP型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流（IC）和150V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于需要中等功率处理能力的应用。其直流电流增益HFE范围为100至300，确保了在信号放大应用中的高效性能。特征频率FT达到100MHz，保证了在高频操作环境下的稳定性和响应速度。此三极管非常适合于构建音频放大器、电源管理电路及各类信号处理模块，提供可靠且灵活的设计选择，满足多种电子设备的需求。

20+
￥0.18027 ￥0.2003
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型号：MMS8550HE3-H-HXY 编号：C46682483

封装：SOT-23

此款PNP三极管（BJT）具备0.5A的集电极电流（IC）和25V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于多种电子设备。其直流电流增益（HFE）范围为200至350，确保了有效的信号放大功能。该三极管的过渡频率（FT）达到150MHz，显示出在高频应用中的卓越性能。这些特性使其成为需要高精度和快速响应的电路设计的理想选择，如无线通信模块和消费类电子产品中实现信号放大与开关控制的关键组件。

20+
￥0.18702 ￥0.2078
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￥0.1467 ￥0.163
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￥0.12429 ￥0.1381
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￥0.11079 ￥0.1231
9000+
￥0.09918 ￥0.1102
21000+
￥0.09288 ￥0.1032

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型号：2N7002E-VB 编号：C878977

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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10+
￥0.19133 ￥0.2014
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￥0.187245 ￥0.1971
300+
￥0.18449 ￥0.1942
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￥0.181735 ￥0.1913

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型号：LBSS138LT1G-VB 编号：C7429063

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥0.19133 ￥0.2014
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￥0.187245 ￥0.1971
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￥0.18449 ￥0.1942
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型号：NX138BKR-HXY 编号：C51949315

封装：SOT-23

该N沟道场效应管具有50V的漏源电压（VDSS）和0.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻为1100mΩ。其参数组合适合低功率开关应用，能够在较小电流条件下实现快速响应与较低的驱动损耗。器件适用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池供电系统的通断控制、信号路径切换以及各类小型化嵌入式系统中的逻辑开关功能。由于具备一定的电压耐受能力和适中的导通电阻，可在消费类电子产品、智能传感器模块及低功耗通信装置中作为高效开关元件使用，满足对空间紧凑和能耗敏感的设计需求。

20+
￥0.20216 ￥0.2128
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￥0.158555 ￥0.1669
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￥0.13433 ￥0.1414
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￥0.119795 ￥0.1261
9000+
￥0.10716 ￥0.1128
21000+
￥0.100415 ￥0.1057

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型号：BAV70W 编号：C3038807

封装：SOT-323-3

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压100V、正向电流150mA、恢复时间4ns、SOT-323封装，共阴极；功能：高速信号开关；应用：消费电子、通信模块等

数据手册

20+
￥0.2118
200+
￥0.1621
600+
￥0.1345
3000+
￥0.1279
9000+
￥0.1136
21000+
￥0.1058

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型号：SMMBT4403LT1G-HXY 编号：C46682412

封装：SOT-23

此款PNP型三极管（BJT）适用于多种电子设备中，具备0.6A的集电极电流(IC)能力，以及高达40V的集电极-发射极电压(VCEO)，确保了在不同电路中的稳定表现。其直流电流增益(HFE)范围为100至300，能够有效放大信号，而200MHz的过渡频率(FT)则表明它在高频应用中同样表现出色。该三极管非常适合用于需要高灵敏度和快速响应的电路设计，如无线通信模块或音频处理装置，提供了可靠性能与灵活性。

20+
￥0.221154 ￥0.2378
200+
￥0.173445 ￥0.1865
600+
￥0.14694 ￥0.158
3000+
￥0.131037 ￥0.1409
9000+
￥0.117273 ￥0.1261
21000+
￥0.109833 ￥0.1181

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型号：MMSZ5254BT1G-HXY 编号：C50177016

封装：SOD-123