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台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.24066 ￥1.4596
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￥0.576385 ￥0.6781

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型号：SI3447DV-T1-E3-VB 编号：C7524970

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.339215 ￥1.4097
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￥1.056685 ￥1.1123
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￥0.65303 ￥0.6874

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型号：FDD6685-VB 编号：C725028

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥3.0345 ￥3.57
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￥2.4055 ￥2.83
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型号：RSFP2416E 编号：C5123302

封装：SMD-5P,1.1x0.9mm

品牌：ROFS(诺思)

是一款Wi-Fi频段滤波器，采用薄膜体声波谐振器（FBAR）技术设计。该产品可提供低插入损耗和陡峭的边缘，使Wi-Fi和LTE信号能够在同一设备中或彼此靠近的位置共存。通带内典型插入损耗小于1.4dB。在LTE频段38、7和41的典型抑制大于42dB，在LTE频段40的典型抑制大于41dB。对于芯片封装，使用先进的模块封装技术，实现了行业标准的1.1×0.9×0.6mm尺寸，包括凸块和倒装芯片。

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￥3.43
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￥2.71
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￥2.03
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￥1.85

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型号：CH552P 编号：C968536

封装：QFN-16

品牌：WCH(南京沁恒)

CH552芯片是一款兼容MCS51指令集的增强型E8051内核单片机，其79%的指令是单字节单周期指令，平均指令速度比标准MCS51快8-15倍。CH552支持最高24MHz系统主频，内置16K程序存储器ROM和256字节内部iRAM以及1K字节片内xRAM，xRAM支持DMA直接内存存取。CH552内置了ADC模数转换、触摸按键电容检测、3组定时器和信号捕捉及PWM、双异步串口、SPI、USB设备控制器和全速收发器等功能模块。CH551是CH552的简化版，程序存储器ROM为10K，片内xRAM为512字节，异步串口仅UART0，封装形式仅SOP16，触摸按键仅4通道，并且去掉了ADC模数转换模块和USB type-C模块，其它与CH552相同，可直接参考CH552手册和资料。

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￥3.77
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￥3.01
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￥2.03

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型号：HLK-LD101V 编号：C38964830

封装：-

品牌：HI-LINK(海凌科)

是一款工作在10.525GHz的X波段雷达模组。基于多普勒效应，本设计采用定频、定向发射和接收天线，使用芯片集成技术和微波天线结合而成。具备抗干扰、体积小、不穿墙、稳定性高、一致性好、杂波和高次谐波抑制效果好等特点。板载集成中频解调，信号放大，数字处理，光强度检测，定时等功能于模组上，同时开放串口功能，便于用户调节相关参数。采用脉冲供电模式，平均功耗可以降低到7mA。

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￥10.43
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￥8.66
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￥7.69

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型号：ACS724LLCTR-50AB-T 编号：C22392333

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

ACS724是一款高性能霍尔效应电流传感器，可以更为有效地测量交流（AC）或者直流（DC）电流，可广泛应用于工业，消费类及通信类设备。ACS724系列内部集成了一颗高精度、低噪声的线性霍尔电路和一根低阻抗的主电流回路导线，当采样电流流经主电流回路时，其产生的磁场在霍尔电路上感应出相应的电信号，经过信号处理电路输出电压信号，使得产品输出严格地与被测电流值成比例。线性霍尔电路采用先进的BCDMOS制程生产，其中包含了高灵敏度霍尔传感器、霍尔信号预放大器、高精度霍尔温度补偿单元、振荡器、动态失调消除电路和放大器输出模块。在无磁场的情况下，电流传感器静态输出为 50% Vcc 。在电源电压5V条件下，传感器静态输出可以在 0.2~4.8V 之间随磁场线性变化，线性度可达 0.4% 。ACS724内部集成的动态失调消除电路使传感器的灵敏度不受外界压力和IC封装应力的影响。ACS724提供SOP8封装，工作温度范围 -40~150°C ，符合RoHS标准。

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￥10.58
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￥8.95
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￥7.94
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￥6.89
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￥6.42
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型号：MFRC52202HN1,115 编号：C2654843

封装：HVQFN-32-EP(5x5)

品牌：NXP(恩智浦)

是一款高度集成的13.56 MHz非接触式读写器IC，支持ISO/IEC 14443 A/MIFARE和NTAG。其内部发射器能够驱动读写器天线，与ISO/IEC 14443 A/MIFARE卡和应答器通信，无需额外的有源电路。接收器模块为解调和解码来自ISO/IEC 14443 A/MIFARE兼容卡和应答器的信号提供了强大而高效的实现。数字模块管理完整的ISO/IEC 14443 A帧和错误检测（奇偶校验和CRC）功能

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￥18.8
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￥15.91
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￥12.1275 ￥12.25
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￥11.2959 ￥11.41
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￥10.9395 ￥11.05

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型号：ATMEGA328-PU 编号：C613508

封装：PDIP-28

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一款基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计者能够在功耗和处理速度之间进行优化。AVR核心结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在单个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构在代码效率上更高，同时比传统的CISC微控制器快达十倍。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P提供了以下功能：具有读写同时能力的4K/8K字节的片上可编程Flash，256/512/512/1K字节EEPROM，512/1K/1K/2K字节SRAM，23条通用I/O线，32个通用工作寄存器，三个带比较模式的灵活定时器/计数器，内部和外部中断，一个串行可编程USART，面向字节的两线制串行接口，SPI串行端口，6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中有8个通道），带有内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线制串行接口、SPI端口和中断系统继续运作。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用其他所有芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在节能模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时维持一个定时基准。ADC降噪模式停止CPU和所有I/O模块，除了异步定时器和ADC，以减少ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行，而设备的其余部分处于睡眠状态。这使得快速启动与低功耗相结合成为可能。Microchip为将电容触摸按钮、滑块和转轮功能嵌入AVR微控制器提供了QTouch库。专利的电荷转移信号采集技术提供了强大的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，还包括相邻键抑制(AKS)技术，用于明确检测按键事件。易于使用的QTouch套件工具链让您能够探索、开发和调试自己的触摸应用。该设备使用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行于AVR核心上的片上引导程序来对程序存储器进行片上重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用程序到应用程序Flash存储器中。当应用程序Flash部分被更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与片上自编程Flash结合在同一芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P是一款强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR得到了一套完整的程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

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1+
￥20.84
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￥17.68
30+
￥15.8

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型号：ENS001-A2 编号：C6284809

封装：QFN64L

品牌：NANOCHAP(暖芯迦)

ENS001-A2芯片是一款双通道神经刺激芯片，不仅能覆盖传统的正弦波/方波/三角波及各种调制波形，更是支持从DC到50kHz以上的任意电流波形输出。可应用于体外神经/肌肉电刺激等众多领域。该芯片集成了32MHz ARM处理器，多通道恒流源输出的刺激驱动电路、片上充电电路、可配置升压直流转换器、LCD屏幕驱动、12位AD信号采集以及温度传感器等模块。电压最高为单向60V 刺激脉宽 10μs~1s，量程：1~33mA，系统OSC：HSI_32M +-2%，产品FLASH空间：28KB，输出电流波形种类：所有波形

单价：
￥30 / 个

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型号：SPE15S60F-D 编号：C51037310

封装：DIP-25-DBC

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT 驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。

1+
￥38.94
10+
￥33.29
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￥29.84
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￥26.95

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型号：F2800157QPNRQ1 编号：C18207636

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280015x (F280015x) 是可扩展、超低延迟设备的成本优化型 C2000 实时微控制器系列的一员，专为功率电子领域的效率而设计。这些应用包括 HVAC 压缩机模块、前照灯、DC/DC 转换器、逆变器和电机控制、车载 (OBC) 和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、传感和信号处理。TMS320F280015x 具有锁步运行的双 32 位 C28x CPU，使该设备能够在不增加太多软件开销的情况下实现 ASIL B 功能安全设备评级。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心，该核心提供 120 MHz 的信号处理性能，可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于三角数学单元 (TMU) 和 VCRC（循环冗余校验）扩展指令集，从而加速实时控制系统的关键常用算法。F280015x 支持高达 256KB（128KW）的闪存。此外，还提供高达 36KB（18KW）的片上 SRAM，以补充闪存。高性能模拟模块集成在 F280015x 实时微控制器 (MCU) 上，并与处理和 PWM 单元紧密耦合，以提供最佳的实时信号链性能。十四个 PWM 通道可用于控制各种功率级，从三相逆变器到功率因数校正和其他高级多电平功率拓扑。通过各种行业标准通信端口（如 PMBUS、SPI、SCI、LIN、I2C、CAN 和 CAN FD）支持接口，并提供多种引脚复用选项，以实现最佳的信号放置。

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1+
￥39.53
10+
￥34
30+
￥30.62

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型号：TMR 4811 编号：C6559795

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥107.92 / 个

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型号：LTP8800-4AIPV#PBF 编号：C28872917

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

是一款150A降压μModule稳压器，可从54V配电架构提供微处理器核心电压。它具有通过PMBus（一种基于I²C的开放标准数字接口协议）对电源管理参数进行远程配置和遥测监控的功能。由带有精密混合信号电路、EEPROM、功率MOSFET、平面变压器、电感器和支持组件的可编程数字控制系统组成。高度集成可减少组件数量和设计时间，并最大化灵活性和功率密度。通过采用谐振开关架构消除高压开关损耗，在高转换比下保持高效率。采用22mm×24mm×6.7mm表面贴装开放式框架封装。

1+
￥440.16
40+
￥419.78

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型号：DAQ125 编号：C51978909

封装：-

品牌：凌智电子

产品型号：DAQ125 系统支持：Windows/Linux 通信接口：USB2.0 采集通道：8通道 ADC位数：16bit 采样方式：同步采样采集速率：800kSPS Max，8档可调，USB实时传输输入信号范围：±5V/±10V/±2.5V三档可切换采样最小分辨率（LSB）：76uV@±2.5V档输入钳位保护：最高21V 上位机工具：QT demo；二次开发：支持CPP、C#动态库、Python 应用领域：传感器数据采集；多通道示波器；控制系统与自动化；实验室科研与应用等

单价：
￥1187.38 / 个

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型号：MMZ0603S471CT000 编号：C1857378

封装：0201

特性：一般信号线的降噪解决方案。四种不同特性的材料具有不同的频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

数据手册

1+
￥0.02576 ￥0.0644
10+
￥0.01984 ￥0.0496
30+
￥0.01652 ￥0.0413
100+
￥0.01456 ￥0.0364
500+
￥0.01284 ￥0.0321
1000+
￥0.01188 ￥0.0297

有货

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型号：MMZ0402S700CT000 编号：C275392

封装：01005

特性：通用信号线的降噪解决方案。具有4种不同特性的材料，提供各种频率特性，可应对从通用信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

数据手册

1+
￥0.04552 ￥0.1138
10+
￥0.035 ￥0.0875
30+
￥0.0292 ￥0.073
100+
￥0.02568 ￥0.0642
500+
￥0.02264 ￥0.0566
1000+
￥0.021 ￥0.0525

有货

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型号：MMZ1608S471ATA00 编号：C531444

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

数据手册

50+
￥0.065721 ￥0.1153
500+
￥0.042676 ￥0.0908
1500+
￥0.028527 ￥0.0771

有货

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型号：MMZ0603S800HT000 编号：C448590

封装：0201

特性：通用信号线降噪解决方案。比标准“- C”系列电阻低。可降低电路的功率损耗。工作温度范围：-55 至 +125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.0749
500+
￥0.0577
1500+
￥0.0481

有货

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型号：MMZ1005A152ET000 编号：C76802

封装：0402

特性：一般信号线的降噪解决方案。与MMZ系列相比，将自谐振频率（SRF）提高到GHz频段，单个元件可在较宽频率范围内应对噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。采用四种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

数据手册

50+
￥0.0784
500+
￥0.061
1500+
￥0.0514

有货

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型号：MMZ0603S601HT000 编号：C880716

封装：0201

特性：通用信号线降噪解决方案。比标准“- C”系列电阻低。可降低电路的功率损耗。工作温度范围：-55 至 +125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

数据手册

10+
￥0.08
100+
￥0.0631
300+
￥0.0538
1000+
￥0.0481

有货

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型号：MMZ1608S601ATA00 编号：C275451

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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50+
￥0.0979
500+
￥0.0772
1500+
￥0.0658

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型号：MPZ1608Y600BTA00 编号：C275490

封装：1608

特性：降噪解决方案，用于电源线。与MMZ系列相比，低直流电阻，适合大电流，低功耗。有5种不同特性的材料，具有各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的所有情况。在需要低直流电阻的信号线中也表现良好。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和记录仪、STB等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

50+
￥0.106685 ￥0.1123
500+
￥0.08417 ￥0.0886
1500+
￥0.07163 ￥0.0754
4000+
￥0.064125 ￥0.0675
24000+
￥0.05757 ￥0.0606
48000+
￥0.054055 ￥0.0569

有货

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型号：HDTC144EE3TL 编号：C42389363

封装：SOT-523

这款数字晶体管为NPN型，具备50V的集射极击穿电压（Vceo），能够在较高的电压条件下稳定工作，适用于多种电子设备中的信号放大与处理。其集电极电流（Ic）最大可达30mA，适合用于驱动小功率负载或执行开关功能。小巧的封装尺寸与出色的电气性能使其成为设计消费电子产品中逻辑控制电路和信号调节模块时的理想选择。

20+
￥0.10737 ￥0.1193
200+
￥0.10503 ￥0.1167
600+
￥0.10341 ￥0.1149
3000+
￥0.10188 ￥0.1132

有货

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型号：HDTC114EE3HZGTL 编号：C42389362

封装：SOT-523

这款数字晶体管属于NPN型，其设计紧凑，适用于多种电子控制及信号放大的应用场景。该晶体管具有稳定的集射极击穿电压（Vceo）为50V，确保了在高压环境下工作的可靠性。同时，其最大集电极电流（Ic）可达50mA，适用于驱动小型负载或作为开关元件使用。凭借这些特性，此款晶体管是构建逻辑电路和信号处理模块的理想选择。

20+
￥0.110704 ￥0.1258
200+
￥0.108328 ￥0.1231
600+
￥0.106656 ￥0.1212
3000+
￥0.105072 ￥0.1194

有货

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型号：SBAS70-04LT1G-HXY 编号：C52754623

封装：SOT-23

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至2.5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

10+
￥0.129485 ￥0.1363
100+
￥0.126635 ￥0.1333
300+
￥0.124735 ￥0.1313
1000+
￥0.122835 ￥0.1293

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型号：HBZT52C20X 编号：C42389421

封装：SOD-123

该款稳压二极管具有20V的额定稳定电压（VR），可在电路中提供可靠的电压稳定作用。其最大正向电流（IF）为0.1A，适合用在需要限制电流的小型电子设备或精密仪器中。同时，该二极管的正向电压降（VF）仅为0.9V，有助于减少能量损耗。其功率耗散能力（PD）达到0.5W，能够在各种需要稳定电压源的场合中保持性能稳定，如在消费电子产品中的电源管理模块或信号线路的电压保护等方面发挥重要作用。

10+
￥0.1384 ￥0.173
100+
￥0.13536 ￥0.1692
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￥0.13336 ￥0.1667
1000+
￥0.13128 ￥0.1641

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型号：BAS40-05-E3-08-HXY 编号：C52754634

封装：SOT-23-3

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向平均电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）仅为0.2μA，展现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压整流、信号检波及电源极性保护等电路，常见于便携式电子产品和小型电源模块中。

10+
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型号：PMBF170-VB 编号：C7525038

封装：SOT-23(TO-236)