信号模块_厂家_价格_品牌_库存

该肖特基二极管具备0.2A的平均整流电流（IF）和70V的反向耐压（VR），适用于中等电压的整流与续流场景。其正向导通压降为1.25V（VF），在同类耐压等级中具有合理的导通损耗表现。反向漏电流为2.5μA（IR），在高温环境下仍可保持较好的阻断能力。该器件适合用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的电源电路，可应用于DC-DC转换器、电池充电管理电路以及信号整流场合，为需要较高反向耐压和稳定电气性能的电路设计提供支持。

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￥0.088255 ￥0.0929
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￥0.04275 ￥0.045

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型号：MMZ1005Y152CT000 编号：C275430

封装：0402

特性：一般信号线的降噪解决方案。具有多种频率特性，采用5种不同特性的材料，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.0905
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￥0.0622

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型号：MMZ1608Y300BTA00 编号：C275456

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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￥0.09378 ￥0.1042
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型号：MMBD4148SE 编号：C397641

封装：SOT-23

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压100V，正向电流150mA，恢复时间≤4ns，SOT-23 封装，串联式；功能：高精度信号开关，适配高频场景；应用：精密仪器、医疗设备小信号回路、通信模块等

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￥0.09462 ￥0.0996
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型号：MMZ1608R600ATA00 编号：C275447

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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￥0.09766 ￥0.1028
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型号：MMZ0603A102ET000 编号：C880705

封装：0201

特性：噪声降低解决方案，适用于一般信号线。与MMZ系列相比，将SRF提高到GHz频段，可通过一个元件在宽频率范围内抑制噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。具有4种不同特性的材料，提供各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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20+
￥0.1037
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型号：MMZ1608R121ATA00 编号：C136490

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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￥0.10393 ￥0.1094
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型号：MMZ1608D050CTA00 编号：C307759

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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￥0.10963 ￥0.1154
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型号：RB551V-30 编号：C397604

封装：SOD-323

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压30V，正向连续电流0.5A，SOD-323封装，正向压降0.47V@0.5A；功能：完成中低压电路的低损耗整流、续流，提升电路能效；应用：手机充电电路、微型逆变器辅助回路、传感器供电整流、消费电子的小型电源模块等

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￥0.11381 ￥0.1198
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型号：WNM2030-3-HXY 编号：C50177035

封装：SOT-723

该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流为1.2A，导通电阻典型值为150mΩ。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。器件适用于中低电压开关应用，如电源管理模块、便携式设备的负载开关、DC-DC转换电路以及各类电池供电的电子设备中的信号切换与功率控制，适合对空间和效率有要求的高密度电路设计。

20+
￥0.1753
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型号：BSS138TA-VB 编号：C5179525

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.19076 ￥0.2008
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型号：SMMBT2222ALT1G-HXY 编号：C46682389

封装：SOT-23

这款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流(IC)能力，最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V，适用于对耐压有一定要求的应用环境。其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间，确保了良好的信号放大性能。特征频率(FT)高达300MHz，使其在高频应用中表现出色，保证了高效稳定的运行。该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景，能够有效提升电路的整体性能，满足复杂电路设计的需求。

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￥0.219387 ￥0.2359
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型号：MLF1608A1R8KTA00 编号：C275344

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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￥0.23636 ￥0.2488
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￥0.126445 ￥0.1331

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型号：MLF1608DR12JT000 编号：C275354

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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20+
￥0.24187 ￥0.2546
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￥0.19076 ￥0.2008
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￥0.16245 ￥0.171
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型号：MVGSF1N03LT1G-HXY 编号：C48996531

封装：SOT-23

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID），适用于中低功率电路设计。导通电阻（RDON）为86毫欧，能够在较低电流条件下实现较为理想的导通性能，减少能量损耗。该器件常用于便携式电子设备、小型电源模块、信号切换电路以及各类智能控制板卡中，为系统提供可靠的开关控制与稳定的电气表现。

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￥0.26676 ￥0.2808
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型号：BSS138K-VB 编号：C709923

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.30192 ￥0.3552
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￥0.24055 ￥0.283
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型号：MJE13003-HXY 编号：C50269819

封装：TO-126

该NPN型三极管具备1.5A的集电极电流（IC）与500V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适合在较高电压环境下稳定工作。其直流电流放大系数（HFE）为20至25，增益一致性较好，适用于中等功率放大与开关应用。器件常用于电源转换电路、电机驱动模块及各类功率控制装置中，能够可靠地实现信号切换与电流驱动功能，在持续负载和脉冲工作模式下均表现出良好的电气性能与热稳定性。

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型号：HGG040205100N2P 编号：C22440375

封装：DFN1006-2L

此款双向ESD保护二极管专为单通道电路定制，5V工作电压下稳定可靠，5.5A峰值电流处理能力强劲，有效抵御静电冲击。10pF低电容设计，确保高速信号无延迟，是保护各类精密电子设备如移动通讯、物联网模块等的理想选择，提升电路抗静电干扰能力，保障系统运行安全。

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型号：WS2818F 编号：C5446693

封装：FSOP-8

品牌：worldsemi

WS2818是三通道LED驱动控制专用电路，芯片内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和20V高压可编程定电流输出驱动器及高精度恒流控制模块，有效保证了驱动电路上像素点光的颜色高度一致。

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型号：SK9822-A 编号：C5378730

封装：SMD-6P,5x5mm

品牌：欧思科光电

SK9822-A是一款双线传输三通道（RGB)驱动控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。产品内含有信号解码模块、数据缓存器、内置恒流电路及RC振荡器；CMOS制程，低压、低耗电；256级PWM灰度调整及32级亮度调整；采用双线输出方式，DATA数据及同步的CLK讯号，使串接各晶片之输出动作同步。

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型号：WS2813A-V1 编号：C22371522

封装：SMD-6P,5.4x5mm

品牌：worldsemi

WS2813白光-V1是一个集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。其外型与一个5050LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。实现双路信号传输，在单个像素点损坏的情况下，不影响整体色彩的显示。

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￥0.798
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型号：PMN50XP-VB 编号：C558228

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.82308 ￥0.8664
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￥0.78546 ￥0.8268

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型号：IRF5805TRPBF-VB 编号：C558145

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.866575 ￥1.0195
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￥0.53873 ￥0.6338

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型号：2R400TB-8 编号：C191453

封装：SIP-3-4.4mm

品牌：RUILON(瑞隆源)

GDT放置在敏感电信设备（如电源线、通信线、信号线和数据传输线）的前面并与之并联，以帮助保护它们免受雷击和设备开关操作可能导致的瞬态浪涌电压的损坏。这些设备在正常运行时不会影响信号。然而，在发生过电压浪涌（如雷击）时，GDT会切换到低阻抗状态，并将能量从敏感设备转移开。GDT提供高水平的浪涌保护、宽电压范围、低电容，并且有多种外形尺寸，包括新的表面贴装器件，这使其适用于主配线架（MDF）模块、高数据速率电信应用（如ADSL、VDSL）以及电源线上的浪涌保护。其低电容还可减少信号失真。当与自恢复保险丝设备配合使用时，它们可以帮助设备制造商满足严格的安全法规标准。

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￥1.261315 ￥1.3277
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￥1.035215 ￥1.0897
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￥0.738055 ￥0.7769

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型号：2R400TA-5 编号：C39831956

封装：插件,D5.5xL6mm

品牌：RUILON(瑞隆源)

GDT 安装在电力线、通信线、信号线和数据传输线等敏感电信设备的前端，并与之并联，以帮助保护这些设备免受雷击和设备开关操作可能产生的瞬态浪涌电压的损坏。这些器件在正常运行时不会影响信号。然而，在发生雷击等过电压浪涌时，GDT 会切换到低阻抗状态，将能量从敏感设备引开。我们的 GDT 提供高水平的浪涌保护、宽电压范围、低电容，并且有多种外形尺寸，包括新型表面贴装器件，这使其适用于主配线架 (MDF) 模块、高数据速率电信应用（如 ADSL、VDSL）以及电力线浪涌保护等应用。其低电容还能减少信号失真。当与自恢复保险丝 (PolySwitch) 器件配合使用于协调式电路保护解决方案中时，它们可以帮助设备制造商满足严格的安全法规标准。

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￥1.26714 ￥2.1119
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￥0.66804 ￥1.1134
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￥0.6291 ￥1.0485

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型号：MJE350 编号：C50275343

封装：TO-126

该PNP型三极管具有0.5A集电极电流和300V集电极-发射极耐压，适用于中等功率的信号放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）范围为100至250，表现出稳定的电流放大能力与良好的线性特性。器件可用于电源反向控制、电平转换、继电器驱动及小功率音频信号处理等应用。较高的电压耐受性能使其适合在存在电压波动的环境中工作，广泛适用于家用电子设备、电源模块、消费类电器控制电路及通用模拟数字混合电路中的信号切换与功率控制需求。

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￥0.81206 ￥0.8548
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￥0.7676 ￥0.808

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型号：SM4305PSKC-TRG-VB 编号：C5438963

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥1.207 ￥1.42
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￥1.173 ￥1.38

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型号：CC6420SPB-FG 编号：C22391867

封装：SOP-8

品牌：CrossChip(成都芯进)

CC6420是一款用于单线圈无刷直流电机/风扇的单芯片解决方案，具备PWM速度控制功能。该芯片采用创新的先进高压BiCMOS工艺设计和制造，此工艺针对霍尔传感器和电机驱动器进行了优化。它集成了驱动功率管、电压调节模块、高精度霍尔传感器、斩波失调消除模块、霍尔信号线性放大与调制模块以及数字逻辑控制模块

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型号：TPC8119-VB 编号：C18212504

封装：SO-8