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该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，体现出优异的阻断性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对低功耗和高效率有要求的电源整流、信号检波及保护电路，常见于便携式电子设备与小型电源模块中。

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￥0.124545 ￥0.1311
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型号：MMZ0603D470ET000 编号：C502002

封装：0201

特性：噪声降低解决方案，适用于一般信号线。与MMZ系列相比，将SRF提高到GHz频段，可通过一个元件在宽频率范围内抑制噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。具有4种不同特性的材料，提供各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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型号：MMZ0603A241ET000 编号：C275393

封装：0201

特性：噪声降低解决方案，适用于一般信号线。与MMZ系列相比，将SRF提高到GHz频段，可通过一个元件在宽频率范围内抑制噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。具有4种不同特性的材料，提供各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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型号：MVGSF1N03LT1G-HXY 编号：C48996531

封装：SOT-23

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID），适用于中低功率电路设计。导通电阻（RDON）为86毫欧，能够在较低电流条件下实现较为理想的导通性能，减少能量损耗。该器件常用于便携式电子设备、小型电源模块、信号切换电路以及各类智能控制板卡中，为系统提供可靠的开关控制与稳定的电气表现。

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￥0.1482 ￥0.156
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型号：MMZ2012R121AT000 编号：C275463

封装：0805

特性：噪音降低解决方案，适用于一般信号线。具有4种不同特性的材料，提供多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪音去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪音去除

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20+
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型号：SBAS40-04LT1G-HXY 编号：C52754626

封装：SOT-23-3

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.2μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号检波场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

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￥0.16188 ￥0.1704
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型号：BSS138LT1G-VB 编号：C7428943

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.17119 ￥0.2014
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￥0.167535 ￥0.1971
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￥0.162605 ￥0.1913

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型号：LBSS138LT1G-VB 编号：C7429063

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.18791 ￥0.1978
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型号：MLF1608DR82JT000 编号：C275360

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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20+
￥0.1937
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￥0.1528
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型号：2PB710ARL-HXY 编号：C47506926

封装：SOT-23

此款PNP型三极管（BJT）具备1A的集电极电流IC，适用于需要较高电流承载能力的应用场景。其最大集电极-发射极电压VCEO为60V，确保在宽电压范围内的稳定操作。直流电流增益HFE在100至300之间，使得它在信号放大方面表现卓越。特征频率FT达到150MHz，适合于中高频应用环境。该组件广泛应用于无线通信模块、音频设备及消费类电子产品中，能够有效提升产品的性能和效率，确保信号处理的精确性和可靠性。

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￥0.2097
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￥0.2051
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￥0.202

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型号：MLF1608C180KTA00 编号：C275349

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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20+
￥0.2214
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型号：HNTJD5121NT1G 编号：C42401090

封装：SOT-363

该N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计用于精密控制场合，具备0.1A的漏极电流（ID），以及60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在20V的栅源电压（VGS）驱动下提供可靠的电流路径。此MOSFET适用于需要精细调节电流强度的应用场景，例如电子玩具、智能家居组件或小型电子模块中的信号放大与处理环节，能够确保电路在高压差下的稳定性和精确度。

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￥0.26118 ￥0.2902
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型号：MMBF170LT1G-VB 编号：C558195

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.296565 ￥0.3489
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￥0.23528 ￥0.2768
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型号：D882Y 编号：C50269822

封装：TO-126

该NPN型三极管具有3A的集电极电流（IC）和30V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于中等功率开关与放大电路。其直流电流增益（HFE）在200至300之间，具备较高的放大能力，有助于提升电路的响应效率与信号处理精度。器件可广泛用于电源转换、LED驱动、家用电器控制板及便携式设备的功率管理模块，作为开关或线性放大元件稳定工作，适合对增益和负载驱动能力有要求的通用电子应用场合。

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￥0.3014
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￥0.2904

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型号：BAT43WS-HE3-08-HXY 编号：C50176895

封装：SOD-323

该肖特基二极管具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压开关电路。其正向导通压降（VF）典型值为1V，在小电流工作条件下可有效降低功耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）低至0.5μA，表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器以及信号整流等场景，尤其适合对功耗和空间有严格要求的低功率应用，能够满足高频开关和高效能转换的技术需求。

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￥0.31122 ￥0.3276
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￥0.30438 ￥0.3204
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￥0.29982 ￥0.3156
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￥0.29526 ￥0.3108

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型号：2N7002CK-VB 编号：C7494523

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.326515 ￥0.3437
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型号：BSS159N-VB 编号：C7494474

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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型号：CD4069UBM96-HXY 编号：C48677909

封装：SOP-14

此款反相器设计用于转换逻辑电平，具备较宽的工作电压范围，从3V到15V，适合多种电源环境。其典型工作电流仅为1uA，确保了低功耗运行，特别适用于对能耗敏感的应用场景。它拥有6个独立通道，每个通道接受单一输入信号，能够有效实现信号的反相处理，提升电路设计灵活性。该产品在数字电路设计中表现出色，比如信号处理和通信模块等场合，为设计师提供了强大的解决方案。

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￥0.34523 ￥0.3634
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￥0.33763 ￥0.3554
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型号：BD682 编号：C50269815

封装：TO-252-2L

该PNP型三极管具有4A的集电极电流和100V的集射极耐压，适用于中高功率的模拟与开关应用。其直流电流放大系数（HFE）在2000至8000之间，具备较高的增益性能，有利于提升信号放大精度与驱动效率。器件适用于电源管理电路、音频输出级、直流电机控制及家用电子设备中的开关调节模块，支持稳定可靠的电流控制，适合对导通损耗和响应速度有一定要求的场景。

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￥0.58501 ￥0.6158
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￥0.572185 ￥0.6023
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￥0.563635 ￥0.5933
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￥0.555085 ￥0.5843

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型号：WS2813B-2121 编号：C22371528

封装：SMD2121-6P

品牌：worldsemi

WS2813B-2121是一个集控制电路与发光芯片于一体的智能外控LED光源。其外型与一个2121LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路，防反接电路，还包含有高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。

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￥0.6114
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￥0.4098
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￥0.2989

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型号：ZM4740A-GS08-HXY 编号：C50177008

封装：LL-41

该稳压二极管具有10V的稳定反向击穿电压（VR），在正常工作条件下可提供精确的电压参考。正向导通电流（IF）为0.091A，正向导通压降（VF）为1.2V，具备较低的导通损耗。反向漏电流（IR）典型值为10μA，表现出良好的反向阻断特性与能效表现。器件适用于小功率电源管理、电压钳位、电路保护及信号电平调节等应用，常用于消费类电子、便携式设备和通信模块中，为敏感电路提供可靠的电压稳定与瞬态保护功能。

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￥0.622345 ￥0.6551
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￥0.608665 ￥0.6407
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型号：CC6211ES5 编号：C19724222

封装：SOT-553

品牌：CrossChip(成都芯进)

CC6211E是一款微功耗、超高灵敏度的单极性霍尔效应开关传感器件。CC6211E内部电路包括霍尔薄片、电压调节模块、信号放大处理模块、动态失调消除模块、锁存模块和CMOS输出级。由于CC6211E采用了先进的Bi-CMOS工艺，整体优化的电路结构使产品获得极低的输入误差反馈

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￥0.4807

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型号：FDC604P-VB 编号：C7428950

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.647615 ￥0.7619
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型号：ZM4735A-GS08-HXY 编号：C50177007

封装：LL-41

该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为6.2V，适用于提供稳定的参考电压，广泛用于模拟信号处理和电源电压钳位电路中。其正向导通电流（IF）可达0.146A，正向压降（VF）为1.2V，具备一定的电流承载能力。在反向截止状态下，漏电流（IR）典型值为10μA，表现出良好的反向阻断特性。器件常用于低功率电源模块、电压检测电路、过压保护单元以及信号电平转换场合，适合对电压精度和工作稳定性有一定要求的电子设备应用。

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￥0.672125 ￥0.7075
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型号：PMN50XP-VB 编号：C558228

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.644575 ￥0.6785

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型号：NTGS3455T1G-VB 编号：C5137394

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：KST2222AMTF-HXY 编号：C46682453

封装：SOT-23

这款NPN型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流IC和40V的集电极-发射极电压VCEO，适用于广泛的电子设备。其直流电流增益HFE范围在100至300之间，确保了信号放大时的稳定性和效率。特别值得一提的是，该三极管的过渡频率FT高达300MHz，使其成为高速开关和高频应用的理想选择。此款三极管适合于需要快速响应和高频率处理能力的电路设计中，如无线通信模块、音频处理设备等，能够满足对性能有较高要求的应用场景。

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型号：MMBT589LT1G-HXY 编号：C47502951

封装：SOT-23

这款PNP三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC）能力，适用于需要中等功率处理的电路。其集电极-发射极电压（VCEO）为30V，确保在低压应用中的稳定性和可靠性。直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，提供了良好的信号放大效果。该三极管的过渡频率（FT）达到100MHz，使其在高频操作条件下依然表现出色。此元件非常适合用于构建对信号放大精度和响应速度有高要求的电子设备，如无线通讯模块或便携式音频装置，满足复杂电路设计的需求。

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型号：CMDSH-3-HXY 编号：C52754582

封装：SOD-323