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型号：ES0103Y 编号：C42394322

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.0A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120.0mΩ@10V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

有货

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型号：AO4407C(ES) 编号：C42412318

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7332
50+
￥0.5796
150+
￥0.5028
500+
￥0.4452

有货

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型号：ESP10N10C 编号：C42412243

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869

有货

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型号：AOD413A(ES) 编号：C49108748

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-40V，-12A，34mΩ@-10V,-3A，-1.6V@-250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

5+
￥0.8847
50+
￥0.7047
150+
￥0.6147
500+
￥0.5472

有货

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型号：IRLR8726TRPBF(ES) 编号：C42434096

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR8726TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9698
50+
￥0.7682
150+
￥0.6818
500+
￥0.574
2500+
￥0.526
5000+
￥0.4972

有货

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型号：ESE0117K 编号：C42420881

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

5+
￥1.0412
50+
￥0.9152
150+
￥0.8612
500+
￥0.7938

有货

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型号：DMP6023LE-13(ES) 编号：C42434111

封装：SOT-223

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP6023LE - 13(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.2147
50+
￥1.0677
150+
￥1.0047
500+
￥0.9261
3000+
￥0.8911
6000+
￥0.8701

有货

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型号：ESE40P40K 编号：C42420755

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

5+
￥1.3015
50+
￥1.144
150+
￥1.0765
500+
￥0.9923

有货

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型号：IRF9310TRPBF(ES) 编号：C46970793

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-21A，4.1mΩ@10V,-15A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥2.1821
50+
￥1.7285
150+
￥1.5341
500+
￥1.2915

有货

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型号：ACPL-M483-500E 编号：C691954

封装：SO-5

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

数据手册

1+
￥12.77
10+
￥10.73
30+
￥9.46
100+
￥8.02
500+
￥7.43
1500+
￥7.17

有货

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型号：QA151 编号：C5369873

封装：SIP-5

品牌：YLPTEC(易川)

QA151是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

数据手册

1+
￥12.8265 ￥15.09
10+
￥10.8205 ￥12.73
25+
￥9.5625 ￥11.25
100+
￥8.2705 ￥9.73
500+
￥7.6925 ￥9.05
1200+
￥7.4375 ￥8.75

有货

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型号：QA151C 编号：C5369867

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA151C是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式，可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出短路保护及自恢复能力该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。可持续短路保护效率高达82%超小隔离电容温度特性好超小隔离电容隔离电压3500VAC/6000VDCSIP国际标准引脚工作温度范围：-40℃ ~+105℃

数据手册

1+
￥14.0505 ￥16.53
10+
￥11.798 ￥13.88
25+
￥10.9905 ￥12.93
100+
￥9.5455 ￥11.23
500+
￥8.891 ￥10.46
1200+
￥8.6105 ￥10.13

有货

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型号：MGJ2D242005SC 编号：C5369922

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

数据手册

1+
￥14.3905 ￥16.93
10+
￥12.291 ￥14.46
25+
￥10.9735 ￥12.91
100+
￥9.6305 ￥11.33
500+
￥9.0185 ￥10.61
1200+
￥8.7635 ￥10.31

有货

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型号：MGJ2D051505SC 编号：C5369901

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2D051505SC系列是专为 IGBT驱动器而设计的输出电压15V，输出电流（mA）80, DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

数据手册

1+
￥14.6795 ￥17.27
10+
￥12.58 ￥14.8
25+
￥11.2625 ￥13.25
100+
￥9.9195 ￥11.67
500+
￥9.3075 ￥10.95
1200+
￥9.0525 ￥10.65

有货

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型号：MGJ2D241802SC 编号：C5369920

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

数据手册

1+
￥14.722 ￥17.32
10+
￥12.6225 ￥14.85
25+
￥11.305 ￥13.3
100+
￥9.962 ￥11.72
500+
￥9.35 ￥11
1200+
￥9.095 ￥10.7

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型号：QA153C-1504R3 编号：C5369882

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA153C-1504R3R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃

数据手册

1+
￥15.2405 ￥17.93
10+
￥13.0645 ￥15.37
25+
￥11.7045 ￥13.77
100+
￥10.3105 ￥12.13
500+
￥9.6815 ￥11.39
1200+
￥9.4095 ￥11.07

有货

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型号：QA053C-1803R3 编号：C5369878

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA053C-1803R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃

数据手册

1+
￥15.759 ￥18.54
10+
￥13.5065 ￥15.89
25+
￥12.0955 ￥14.23
100+
￥10.6505 ￥12.53
500+
￥10.0045 ￥11.77
1200+
￥9.7155 ￥11.43

有货

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型号：QA051C 编号：C5369866

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA051C是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式，可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),可持续短路保护,效率高达82%,超小隔离电容隔离电压 3500VAC/6000VDC,SIP国际标准引脚,工作温度范围：-40℃ ~+105℃

数据手册

1+
￥16.6855 ￥19.63
10+
￥14.433 ￥16.98
25+
￥13.022 ￥15.32
100+
￥11.577 ￥13.62
500+
￥10.931 ￥12.86
1200+
￥10.642 ￥12.52

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型号：QA01-17 编号：C5369860

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA01-17是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达90%,可持续短路保护,可空载使用,温度特性好,超小隔离电容,隔离电压 3000VAC,SIP国际标准引脚,工作温度范围：-40℃ ~+105℃

数据手册

1+
￥19.2525 ￥22.65
10+
￥16.5155 ￥19.43
25+
￥15.708 ￥18.48
100+
￥14.0675 ￥16.55
500+
￥13.311 ￥15.66
1200+
￥12.9625 ￥15.25

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型号：QA243HCD2-1504R3 编号：C5369894

封装：DIP,31.7x20.3mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA243HCD2-1504R3是专为 SiC MOSFET 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS)满足加强绝缘 隔离电压 5000VAC 局部放电 1700V CMTI>200 kV/µs 最大容性负载 2200µF

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