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类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.3A 功率(Pd):0.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA N沟道,20V,3.3A,45mΩ@10V
  • 20+

    ¥0.0876
  • 200+

    ¥0.0855
  • 600+

    ¥0.0842
  • 有货
  • SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.1001
    • 200+

      ¥0.0978
    • 600+

      ¥0.0962
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):3.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@4.5V,3.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
    • 20+

      ¥0.1126
    • 200+

      ¥0.11
    • 600+

      ¥0.1082
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
    • 20+

      ¥0.1243
    • 200+

      ¥0.1214
    • 600+

      ¥0.1195
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,38mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.1243
    • 200+

      ¥0.1214
    • 600+

      ¥0.1195
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-3.8A 功率(Pd):1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):51mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.2V@250uA,-30V,-3.8A,51mΩ@10V
    • 10+

      ¥0.1573
    • 100+

      ¥0.1538
    • 300+

      ¥0.1515
    • 1000+

      ¥0.1492
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7.5A 功率(Pd):1.39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA N沟道,20V,7.5A,13mΩ@10V
    • 10+

      ¥0.1835
    • 100+

      ¥0.1794
    • 300+

      ¥0.1768
    • 1000+

      ¥0.1741
  • 有货
  • P沟道,-20V,-2.3A,82mΩ@-4.5V,-2.0A;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 20+

      ¥0.2003
    • 200+

      ¥0.1571
    • 600+

      ¥0.1331
    • 3000+

      ¥0.1187
  • 有货
  • N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 20+

      ¥0.2128
    • 200+

      ¥0.1669
    • 600+

      ¥0.1414
    • 3000+

      ¥0.1261
  • 有货
  • 带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 20+

      ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.1497
    • 3000+

      ¥0.1335
  • 有货
  • AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.2292
    • 200+

      ¥0.1812
    • 600+

      ¥0.1572
  • 有货
  • N沟道,60V,3A,75mΩ@10V,3A,1.4V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 20+

      ¥0.2359
    • 200+

      ¥0.1879
    • 600+

      ¥0.1639
    • 3000+

      ¥0.1459
  • 有货
  • P沟道,-20V,-2.3A,82mΩ@-4.5V,-2.0A;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 20+

      ¥0.2359
    • 200+

      ¥0.1879
    • 600+

      ¥0.1639
    • 3000+

      ¥0.1459
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.2378
    • 200+

      ¥0.1865
    • 600+

      ¥0.158
    • 3000+

      ¥0.1409
  • 有货
  • N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 10+

      ¥0.2595
    • 100+

      ¥0.2067
    • 300+

      ¥0.1803
    • 3000+

      ¥0.1605
  • 有货
  • N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
    • 3000+

      ¥0.1751
  • 有货
  • ES9435 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
    • 3000+

      ¥0.2087
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):62A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
    • 5+

      ¥0.6027
    • 50+

      ¥0.5895
    • 150+

      ¥0.5807
    • 500+

      ¥0.5718
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):65A 功率(Pd):42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.0mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.75V@250uA
    • 5+

      ¥0.7332
    • 50+

      ¥0.5796
    • 150+

      ¥0.5028
    • 500+

      ¥0.4452
  • 有货
  • ESE6080A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.7599
    • 50+

      ¥1.3819
    • 150+

      ¥1.2199
    • 500+

      ¥1.0178
    • 2500+

      ¥0.9278
    • 5000+

      ¥0.8738
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.651 ¥16.06
    • 10+

      ¥11.5515 ¥13.59
    • 25+

      ¥10.2425 ¥12.05
    • 100+

      ¥8.891 ¥10.46
    • 500+

      ¥8.2875 ¥9.75
    • 1200+

      ¥8.024 ¥9.44
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.651 ¥16.06
    • 10+

      ¥11.5515 ¥13.59
    • 25+

      ¥10.2425 ¥12.05
    • 100+

      ¥8.891 ¥10.46
    • 500+

      ¥8.2875 ¥9.75
    • 1200+

      ¥8.024 ¥9.44
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.668 ¥16.08
    • 10+

      ¥11.5685 ¥13.61
    • 25+

      ¥10.251 ¥12.06
    • 100+

      ¥8.908 ¥10.48
    • 500+

      ¥8.296 ¥9.76
    • 1200+

      ¥8.0325 ¥9.45
  • 有货
  • QA151C是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式,可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出 短路保护及自恢复能力该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。可持续 短路保护效率高达82%超小隔离电容温度特性好超小隔离电容隔离电压3500VAC/6000VDCSIP国际标准引脚工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥14.2035 ¥16.71
    • 10+

      ¥11.9425 ¥14.05
    • 25+

      ¥10.54 ¥12.4
    • 100+

      ¥9.095 ¥10.7
    • 500+

      ¥8.4405 ¥9.93
    • 1200+

      ¥8.16 ¥9.6
  • 有货
  • QA243HCD2-1504R3是专为 SiC MOSFET 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS)满足加强绝缘 隔离电压 5000VAC 局部放电 1700V CMTI>200 kV/µs 最大容性负载 2200µF
    数据手册
    • 1+

      ¥18.122 ¥21.32
    • 10+

      ¥17.6885 ¥20.81
    • 30+

      ¥17.408 ¥20.48
    • 105+

      ¥17.119 ¥20.14
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.53 ¥21.8
    • 10+

      ¥15.8355 ¥18.63
    • 25+

      ¥14.2375 ¥16.75
    • 100+

      ¥12.6225 ¥14.85
    • 500+

      ¥11.883 ¥13.98
    • 1200+

      ¥11.543 ¥13.58
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.0745 ¥25.97
    • 10+

      ¥18.8785 ¥22.21
    • 25+

      ¥16.9745 ¥19.97
    • 100+

      ¥15.045 ¥17.7
    • 500+

      ¥14.161 ¥16.66
    • 1200+

      ¥13.753 ¥16.18
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.4685 ¥27.61
    • 10+

      ¥20.0855 ¥23.63
    • 25+

      ¥18.071 ¥21.26
    • 100+

      ¥16.0395 ¥18.87
    • 500+

      ¥15.096 ¥17.76
    • 1200+

      ¥14.671 ¥17.26
  • 有货
  • R05P21509D是专为SiC和 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥24.293 ¥28.58
    • 10+

      ¥20.655 ¥24.3
    • 25+

      ¥18.8955 ¥22.23
    • 100+

      ¥16.7025 ¥19.65
    • 500+

      ¥15.691 ¥18.46
    • 1200+

      ¥15.232 ¥17.92
  • 有货
  • QA123HCD2-1504R3是专为 SiC MOSFET 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS)满足加强绝缘 隔离电压 5000VAC 局部放电 1700V CMTI>200 kV/µs 最大容性负载 2200µF  效率高达 85%
    • 1+

      ¥27.472 ¥32.32
    • 10+

      ¥23.4855 ¥27.63
    • 28+

      ¥21.1225 ¥24.85
    • 98+

      ¥18.7255 ¥22.03
    • 560+

      ¥17.6205 ¥20.73
    • 980+

      ¥17.119 ¥20.14
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