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P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
型号：ZXMP10A13FTA(ES) 编号：C53199114
封装：SOT-23
品牌：ElecSuper(静芯)
P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

  • 5+

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    P沟道，-20V，-11A，11mΩ@4.5V,-10A，-0.65V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESS2022A 编号：C42412309
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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      ￥0.4174

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    P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

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      ￥0.4714

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      ￥0.4174

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      ￥0.3742

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      ￥0.3525
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    N沟道，150V，20A，57mΩ@10V,5A，3.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESEP1520K 编号：C42420777
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA N沟道,150V,19A,57mΩ@10V

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    N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：BSC070N10NS5(ES) 编号：C49108749
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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      ￥2.3534

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    IGBT驱动器专用DC/DC模块电源
    型号：MGJ2D122003SC 编号：C5369910
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。
    数据手册

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      ￥8.3895 ￥9.87
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    SiC驱动器专用DC/DC模块电源
    型号：QA123C-1502R3 编号：C5369879
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    QA123C-1502R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃
    数据手册

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    IGBT驱动器专用DC/DC模块电源
    型号：MGJ2D051509SC 编号：C5369902
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。
    数据手册

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      ￥17.3145 ￥20.37

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    SiC驱动器专用DC/DC模块电源
    型号：QA123C-2005R3 编号：C5369884
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    QA123C-2005R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃

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    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESJL2302B 编号：C42420857
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V

    • 50+

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    • 24000+

      ￥0.0583

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      ￥0.0545
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    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESE2302 编号：C42420778
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V

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      ￥0.0545
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    N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。
    型号：ESBSS123LT1G 编号：C42420862
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：0.29A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.7Ω@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA,100V,0.29A,2.7Ω@10V

    • 50+

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    • 500+

      ￥0.0952

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      ￥0.0802
  • 有货
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    N沟道，：30V，4.2A，40mΩ@10V,3.6A，0.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJ3402 编号：C42420875
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA N沟道,30V,4.2A,40mΩ@10V

    • 20+

      ￥0.1466

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      ￥0.0761

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      ￥0.071
  • 有货
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    P沟道，-20V，-2.3A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ES2301 S1 编号：C42412314
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES2301 S1 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

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    • 600+

      ￥0.1042
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESJ2302S 编号：C42420865
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A 功率(Pd)：0.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,3.3A,45mΩ@10V

    • 20+

      ￥0.1711

    • 200+

      ￥0.1333

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      ￥0.1123
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V，-4.1A，37mΩ@-10V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：SSM3J332R,LF(ES) 编号：C53199054
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-4.1A，37mΩ@-10V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

    • 20+

      ￥0.1753

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      ￥0.1165
  • 有货
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    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：FDN335N(ES) 编号：C53199124
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

    • 20+

      ￥0.2128

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      ￥0.1261
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-12V，-3.8A，29mΩ@-4.5V,-3.8A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESJ2305 编号：C42420852
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：3.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@4.5V,3.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

    • 20+

      ￥0.2199

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    • 立即购买
    带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMP2035U-7(ES) 编号：C53199107
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 20+

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    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJL3400A 编号：C42420878
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

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  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406(ES) 编号：C42434120
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.2292

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      ￥0.1812

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    P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJ3407 编号：C42420759
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,38mΩ@-10V

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    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJL3401 编号：C42420885
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

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    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3422(ES) 编号：C53199119
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：FDN337N(ES) 编号：C53199112
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406A(ES) 编号：C42434121
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V,，-4.7A，46mΩ@-10V,-4.5A，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO6401A(ES) 编号：C42412248
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRLML0060TRPBF(ES) 编号：C42412353
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    型号：NTR4501NT1G(ES) 编号：C53199128
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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    型号：ESP3407LT1G 编号：C42420884
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-3.8A 功率(Pd)：1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：51mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.2V@250uA,-30V,-3.8A,51mΩ@10V

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