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首页 > 热门关键词 > 驱动模块
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):68mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
  • 10+

    ¥0.2831
  • 100+

    ¥0.2255
  • 300+

    ¥0.1967
  • 3000+

    ¥0.1751
  • 6000+

    ¥0.1578
  • 9000+

    ¥0.1492
  • 有货
  • ESPM3401 - 3/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
    • 3000+

      ¥0.2087
    • 6000+

      ¥0.1871
    • 9000+

      ¥0.1763
  • 有货
  • FDS9435A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
  • 有货
  • P沟道,-60V,-1.8A,155mΩ@-10V,-1.5A,-1.6V@-250uA;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 10+

      ¥0.3539
    • 100+

      ¥0.2819
    • 300+

      ¥0.2459
  • 有货
  • AO4459(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.4583
    • 100+

      ¥0.3623
    • 300+

      ¥0.3143
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):65A 功率(Pd):42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.0mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.75V@250uA
    • 5+

      ¥0.7332
    • 50+

      ¥0.5796
    • 150+

      ¥0.5028
    • 500+

      ¥0.4452
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):62A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
    • 5+

      ¥1.1153
    • 50+

      ¥0.8835
    • 150+

      ¥0.7841
    • 500+

      ¥0.6601
    • 2500+

      ¥0.6049
    • 5000+

      ¥0.5718
  • 有货
  • N沟道,60V,37A,9mΩ@10V,20A,1.45V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥1.6972
    • 50+

      ¥1.3444
    • 150+

      ¥1.1932
    • 500+

      ¥1.0045
  • 有货
  • ESE01P30K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 1+

      ¥2.59
    • 10+

      ¥2.03
    • 30+

      ¥1.79
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.29
  • 有货
  • QA121是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达85%,SIP国际标准引脚,可持续 短路保护,可空载使用,超小隔离电容,最大容性负载1000uF,隔离电压 3000VAC工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥14.654 ¥17.24
    • 10+

      ¥12.478 ¥14.68
    • 25+

      ¥11.696 ¥13.76
    • 100+

      ¥10.302 ¥12.12
    • 500+

      ¥9.673 ¥11.38
    • 1200+

      ¥9.3925 ¥11.05
  • 有货
  • QA15115R2是专为需要两组隔离电源的 SiC MOSFET 驱动器专用电源.其内部采用了两路共地输出模式,可以更好的为SiC 的开通与关断提供能量。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1) 通用变频器;2) 交流伺服驱动系统;3) 电焊机;4) 不间断电源(UPS),效率高达 78%SIP 封装隔离电压 3500VAC超小隔离电容工作温度范围: -40℃ to +105℃可持续 短路保护国际标准引脚方式
    • 1+

      ¥14.9855 ¥17.63
    • 10+

      ¥12.8095 ¥15.07
    • 25+

      ¥11.4495 ¥13.47
    • 100+

      ¥10.0555 ¥11.83
    • 500+

      ¥9.4265 ¥11.09
    • 1200+

      ¥9.1545 ¥10.77
  • 有货
  • QA153C-2005R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS),●满足加强绝缘●隔离电压:5.0KVAC●局部放电:1700V●效率:高达 87%(Typ.)●工作环境温度:-40℃~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥15.4105 ¥18.13
    • 10+

      ¥13.209 ¥15.54
    • 25+

      ¥11.832 ¥13.92
    • 100+

      ¥10.421 ¥12.26
    • 500+

      ¥9.7835 ¥11.51
    • 1000+

      ¥9.503 ¥11.18
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.5705 ¥27.73
    • 10+

      ¥20.451 ¥24.06
    • 25+

      ¥18.598 ¥21.88
    • 100+

      ¥16.728 ¥19.68
    • 500+

      ¥15.861 ¥18.66
    • 1200+

      ¥15.47 ¥18.2
  • 有货
  • QA243HCD2-2005R3是专为 SiC MOSFET 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS)满足加强绝缘 隔离电压 5000VAC 局部放电 1700V CMTI>200 kV/µs 最大容性负载 2200µF
    • 1+

      ¥27.472 ¥32.32
    • 10+

      ¥23.4855 ¥27.63
    • 28+

      ¥21.1225 ¥24.85
    • 98+

      ¥18.7255 ¥22.03
    • 560+

      ¥17.6205 ¥20.73
    • 980+

      ¥17.119 ¥20.14
  • 有货
  • QA153HCD2-1803R3是专为SiC MOSFET驱动器而设计的DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiC MOSFET 的驱动损耗:1) 通用变频器;2) 交流伺服驱动系统;3) 电焊机;4) 不间断电源(UPS)
    数据手册
    • 1+

      ¥27.472 ¥32.32
    • 10+

      ¥23.4855 ¥27.63
    • 28+

      ¥21.1225 ¥24.85
    • 98+

      ¥18.7255 ¥22.03
    • 560+

      ¥17.6205 ¥20.73
    • 980+

      ¥17.119 ¥20.14
  • 有货
  • QA153HCD2-1504R3是专为 SiC MOSFET 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS)满足加强绝缘 隔离电压 5000VAC 局部放电 1700V CMTI>200 kV/µs 最大容性负载 2200µF
    数据手册
    • 1+

      ¥29.138 ¥34.28
    • 10+

      ¥25.1515 ¥29.59
    • 30+

      ¥22.78 ¥26.8
    • 105+

      ¥20.383 ¥23.98
    • 600+

      ¥19.278 ¥22.68
    • 900+

      ¥18.7765 ¥22.09
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.0A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19.0mΩ@10V,6.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA N沟道,30V,6.0A,19.0mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.1833
    • 200+

      ¥0.1428
    • 600+

      ¥0.1203
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-3.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.5V@250uA,-30V,-3.8A,46mΩ@10V
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.65V@250uA,100V,2.6A,90mΩ@10V
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
    • 3000+

      ¥0.1751
    • 6000+

      ¥0.1578
    • 9000+

      ¥0.1492
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):8.0A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@4.5V,8.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.65V@250uA N沟道,20V,8.0A,13mΩ@4.5V
    • 10+

      ¥0.3208
    • 100+

      ¥0.2536
    • 300+

      ¥0.22
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7.5A 功率(Pd):1.39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA N沟道,20V,7.5A,13mΩ@10V
    • 10+

      ¥0.3303
    • 100+

      ¥0.2631
    • 300+

      ¥0.2295
  • 有货
  • P沟道,-20V,-3.8A,36mΩ@-4.5V,-3.8A;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 10+

      ¥0.4483
    • 100+

      ¥0.3571
    • 300+

      ¥0.3115
  • 有货
  • N沟道,100V,17.5A,37mΩ@10V,10A,1.5V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥0.5241
    • 50+

      ¥0.5126
    • 150+

      ¥0.5049
    • 500+

      ¥0.4972
  • 有货
  • N沟道,40V,93.56A,2.2mΩ@10V,20A,1.5V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥0.9698
    • 50+

      ¥0.7682
    • 150+

      ¥0.6818
    • 500+

      ¥0.574
  • 有货
  • AOD4184A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.0915
    • 50+

      ¥0.8646
    • 150+

      ¥0.7674
    • 500+

      ¥0.646
  • 有货
  • AON7264E(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.408
    • 50+

      ¥1.1056
    • 150+

      ¥0.976
    • 500+

      ¥0.8143
    • 2500+

      ¥0.7423
    • 5000+

      ¥0.699
  • 有货
  • P沟道,-60V,-28A,27mΩ@-10.0V,-20A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥1.6982
    • 50+

      ¥1.3452
    • 150+

      ¥1.1939
  • 有货
  • ESE6080A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.7599
    • 50+

      ¥1.3819
    • 150+

      ¥1.2199
    • 500+

      ¥1.0178
    • 2500+

      ¥0.9278
    • 5000+

      ¥0.8738
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