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首页 > 热门关键词 > 驱动模块
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尺寸最小的TEC电源驱动器,用于光模块、 业内尺寸最小的TEC驱动器,用于SFF/SFP模块,可减少发热50%
数据手册
  • 1+

    ¥61.03
  • 10+

    ¥52.95
  • 30+

    ¥47.22
  • 有货
  • ESE6050KA 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.056
    • 50+

      ¥0.8292
    • 150+

      ¥0.732
    • 500+

      ¥0.6107
  • 有货
  • ESNQ07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.4087
    • 50+

      ¥1.2302
    • 150+

      ¥1.1537
    • 500+

      ¥1.0583
    • 2500+

      ¥1.0158
    • 5000+

      ¥0.9903
  • 有货
  • N沟道,100V,184A,3.6mΩ@10V,30A,2.9V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.58
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.5065 ¥15.89
    • 10+

      ¥11.407 ¥13.42
    • 25+

      ¥10.2425 ¥12.05
    • 100+

      ¥8.8995 ¥10.47
    • 500+

      ¥8.2875 ¥9.75
    • 1200+

      ¥8.024 ¥9.44
  • 有货
  • QA243C-2005R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS),●满足加强绝缘●隔离电压:5.0KVAC●局部放电:1700V●效率:高达 87%(Typ.)●工作环境温度:-40℃~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥14.1525 ¥16.65
    • 10+

      ¥12.1295 ¥14.27
    • 25+

      ¥10.863 ¥12.78
    • 100+

      ¥9.5625 ¥11.25
    • 500+

      ¥8.976 ¥10.56
    • 1200+

      ¥8.721 ¥10.26
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.3225 ¥16.85
    • 10+

      ¥12.223 ¥14.38
    • 25+

      ¥10.9055 ¥12.83
    • 100+

      ¥9.5625 ¥11.25
    • 500+

      ¥8.9505 ¥10.53
    • 1200+

      ¥8.687 ¥10.22
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.1625 ¥27.25
    • 10+

      ¥19.7455 ¥23.23
    • 25+

      ¥17.714 ¥20.84
    • 100+

      ¥15.657 ¥18.42
    • 500+

      ¥14.7135 ¥17.31
    • 1200+

      ¥14.28 ¥16.8
  • 有货
  • 特性:加强绝缘。I/O隔离测试电压:5.0kVAC。局部放电1700V。共模瞬态抗扰度(CMTI)特性 > 200kV/μs。最大电容负载:2200μF。超低隔离电容:3.5pF(典型值)。应用:通用转换器。交流伺服驱动系统
    • 1+

      ¥27.76
    • 10+

      ¥24.01
    • 25+

      ¥21.78
    • 100+

      ¥19.52
  • 有货
  • 适用于为桥式电路中的 IGBT 和 Mosfet 的“高端”和“低端”栅极驱动电路供电。不对称输出电压的选择可实现最佳驱动水平,以获得最佳系统效率和 EMI。具有高隔离和 dv/dt 特性,适用于电机驱动器和逆变器中常用的桥式电路,工业级温度额定值和结构保证了长使用寿命和可靠性。
    • 1+

      ¥89.15
    • 10+

      ¥85.17
    • 25+

      ¥78.28
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,30V,0.5A,504mΩ@10V,0.2A,1.2V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 20+

      ¥0.1502
    • 200+

      ¥0.1178
    • 600+

      ¥0.0998
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.0A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19.0mΩ@10V,6.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA N沟道,30V,6.0A,19.0mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.1833
    • 200+

      ¥0.1428
    • 600+

      ¥0.1203
    • 3000+

      ¥0.1068
  • 有货
  • 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA N沟道,60V,5A,30mΩ@10V
    • 5+

      ¥0.663
    • 50+

      ¥0.579
    • 150+

      ¥0.543
    • 500+

      ¥0.498
    • 3000+

      ¥0.478
  • 有货
  • P沟道,-60V,-28A,27mΩ@-10.0V,-20A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥1.1208
    • 50+

      ¥0.8688
    • 150+

      ¥0.7608
    • 500+

      ¥0.6261
    • 2500+

      ¥0.5661
    • 5000+

      ¥0.53
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA N沟道,100V,9A,100mΩ@10V
    • 5+

      ¥1.3883
    • 50+

      ¥1.2203
    • 150+

      ¥1.1483
    • 500+

      ¥1.0584
  • 有货
  • QA03是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达90%,可持续 短路保护,可空载使用,温度特性好,超小隔离电容,隔离电压 3000VAC,SIP国际标准引脚,工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥12.5885 ¥14.81
    • 10+

      ¥10.591 ¥12.46
    • 25+

      ¥9.8685 ¥11.61
    • 100+

      ¥8.5935 ¥10.11
    • 500+

      ¥8.0155 ¥9.43
    • 1200+

      ¥7.7605 ¥9.13
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    • 1+

      ¥14.6455 ¥17.23
    • 10+

      ¥12.546 ¥14.76
    • 25+

      ¥11.2285 ¥13.21
    • 100+

      ¥9.8855 ¥11.63
    • 500+

      ¥9.2735 ¥10.91
    • 1200+

      ¥9.0185 ¥10.61
  • 有货
  • QA053C-2004R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS),●满足加强绝缘●隔离电压:5.0KVAC●局部放电:1700V●效率:高达 87%(Typ.)●工作环境温度:-40℃~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥16.507 ¥19.42
    • 10+

      ¥15.6485 ¥18.41
    • 25+

      ¥15.1385 ¥17.81
    • 100+

      ¥14.6285 ¥17.21
    • 500+

      ¥14.3905 ¥16.93
    • 1200+

      ¥14.28 ¥16.8
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.8135 ¥23.31
    • 10+

      ¥17.085 ¥20.1
    • 25+

      ¥15.4615 ¥18.19
    • 100+

      ¥13.821 ¥16.26
    • 500+

      ¥13.0645 ¥15.37
    • 1200+

      ¥12.7245 ¥14.97
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.545 ¥27.7
    • 10+

      ¥20.128 ¥23.68
    • 25+

      ¥18.0965 ¥21.29
    • 100+

      ¥16.048 ¥18.88
    • 500+

      ¥15.096 ¥17.76
    • 1200+

      ¥14.671 ¥17.26
  • 有货
  • QA2401C-20是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式,可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),可持续 短路保护,效率高达82%,超小隔离电容隔离电压 3500VAC/6000VDC,SIP国际标准引脚,工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥24.8115 ¥29.19
    • 10+

      ¥21.4625 ¥25.25
    • 25+

      ¥19.4735 ¥22.91
    • 100+

      ¥17.459 ¥20.54
    • 500+

      ¥16.5325 ¥19.45
    • 1200+

      ¥16.1075 ¥18.95
  • 有货
  • DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.1711
    • 200+

      ¥0.1333
    • 600+

      ¥0.1123
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)
    • 20+

      ¥0.1955
    • 200+

      ¥0.1523
    • 600+

      ¥0.1283
    • 3000+

      ¥0.1139
    • 9000+

      ¥0.1014
    • 21000+

      ¥0.0947
  • 有货
  • ESP2301LT1G(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于直流 - 直流转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.1955
    • 200+

      ¥0.1523
    • 600+

      ¥0.1283
  • 有货
  • SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.1955
    • 200+

      ¥0.1523
    • 600+

      ¥0.1283
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250μA
    • 20+

      ¥0.2292
    • 200+

      ¥0.1812
    • 600+

      ¥0.1572
    • 3000+

      ¥0.1392
  • 有货
  • P沟道,-20V,-4.1A,26mΩ@-4.5V,-4A,-0.7V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
  • 有货
  • P沟道,-40V,-3A,65mΩ@-10V,-1.2A,-1.6V@-250uA;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 10+

      ¥0.3185
    • 100+

      ¥0.2537
    • 300+

      ¥0.2213
    • 3000+

      ¥0.197
    • 6000+

      ¥0.1776
    • 9000+

      ¥0.1679
  • 有货
  • N沟道,60V,3.2A,58mΩ@10V,3A,1.35V@250uA;应用领域:LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 10+

      ¥0.3539
    • 100+

      ¥0.2819
    • 300+

      ¥0.2459
    • 3000+

      ¥0.2189
    • 6000+

      ¥0.1973
    • 9000+

      ¥0.1865
  • 有货
  • P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。
    • 10+

      ¥0.4583
    • 100+

      ¥0.3623
    • 300+

      ¥0.3143
  • 有货
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