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ESE6050KA 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
  • 5+

    ¥0.7458
  • 50+

    ¥0.6513
  • 150+

    ¥0.6108
  • 500+

    ¥0.5603
  • 有货
  • ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.8019
    • 50+

      ¥0.6339
    • 150+

      ¥0.5499
    • 500+

      ¥0.4869
  • 有货
  • P沟道,-40V,-12A,34mΩ@-10V,-3A,-1.6V@-250uA;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    • 5+

      ¥0.8847
    • 50+

      ¥0.7047
    • 150+

      ¥0.6147
    • 500+

      ¥0.5472
  • 有货
  • 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA N沟道,60V,5A,30mΩ@10V
    • 5+

      ¥0.9698
    • 50+

      ¥0.7682
    • 150+

      ¥0.6818
    • 500+

      ¥0.574
    • 3000+

      ¥0.526
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA N沟道,100V,9A,100mΩ@10V
    • 5+

      ¥1.0482
    • 50+

      ¥1.0252
    • 150+

      ¥1.0098
    • 500+

      ¥0.9944
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.226 ¥15.56
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      ¥11.135 ¥13.1
    • 25+

      ¥9.8175 ¥11.55
    • 100+

      ¥8.4745 ¥9.97
    • 500+

      ¥7.8625 ¥9.25
    • 1200+

      ¥7.599 ¥8.94
  • 有货
  • QA04是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达90%,可持续 短路保护,可空载使用,温度特性好,超小隔离电容,隔离电压 3000VAC,SIP国际标准引脚,工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    • 1+

      ¥13.7105 ¥16.13
    • 10+

      ¥11.5345 ¥13.57
    • 25+

      ¥10.1745 ¥11.97
    • 100+

      ¥8.7805 ¥10.33
    • 500+

      ¥8.1515 ¥9.59
    • 1200+

      ¥7.8795 ¥9.27
  • 有货
  • QA153C-2005R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS),●满足加强绝缘●隔离电压:5.0KVAC●局部放电:1700V●效率:高达 87%(Typ.)●工作环境温度:-40℃~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥14.3225 ¥16.85
    • 10+

      ¥12.121 ¥14.26
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      ¥10.744 ¥12.64
    • 100+

      ¥9.3245 ¥10.97
    • 500+

      ¥8.687 ¥10.22
    • 1000+

      ¥8.415 ¥9.9
  • 有货
  • QA053C-2004R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS),●满足加强绝缘●隔离电压:5.0KVAC●局部放电:1700V●效率:高达 87%(Typ.)●工作环境温度:-40℃~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥17.4845 ¥20.57
    • 10+

      ¥16.6345 ¥19.57
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      ¥15.5295 ¥18.27
    • 100+

      ¥15.0195 ¥17.67
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      ¥14.7815 ¥17.39
    • 1200+

      ¥14.671 ¥17.26
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.4935 ¥24.11
    • 10+

      ¥17.782 ¥20.92
    • 25+

      ¥16.167 ¥19.02
    • 100+

      ¥14.5435 ¥17.11
    • 500+

      ¥13.787 ¥16.22
    • 1200+

      ¥13.4555 ¥15.83
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.474 ¥26.44
    • 10+

      ¥19.0995 ¥22.47
    • 25+

      ¥17.476 ¥20.56
    • 100+

      ¥15.453 ¥18.18
    • 500+

      ¥14.518 ¥17.08
    • 1200+

      ¥14.093 ¥16.58
  • 有货
  • 特性:高效率可达82%。SIP封装。I/O隔离测试电压:3.5kVAC/6kVDC。超低隔离电容。工作环境温度范围:-40℃至+105℃。连续短路保护。应用:通用转换器。AC伺服驱动系统
    数据手册
    • 1+

      ¥33.03
    • 10+

      ¥28.36
    • 25+

      ¥25.59
    • 100+

      ¥22.78
  • 有货
  • N沟道,30V,0.5A,515mΩ@4.5V,0.2A,0.7V@250uA;应用领域:LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 50+

      ¥0.0459
    • 500+

      ¥0.0449
    • 3000+

      ¥0.0442
  • 有货
  • DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.1783
    • 200+

      ¥0.1405
    • 600+

      ¥0.1195
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.0A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19.0mΩ@10V,6.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA N沟道,30V,6.0A,19.0mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.1878
    • 200+

      ¥0.1473
    • 600+

      ¥0.1248
    • 3000+

      ¥0.1113
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250μA
    • 20+

      ¥0.2359
    • 200+

      ¥0.1879
    • 600+

      ¥0.1639
    • 3000+

      ¥0.1459
  • 有货
  • P沟道,-20V,-4.1A,26mΩ@-4.5V,-4A,-0.7V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
  • 有货
  • P沟道,-60V,-3.1A,80mΩ@-10V,-3A,-1.6V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥0.5662
    • 50+

      ¥0.451
    • 150+

      ¥0.3934
    • 500+

      ¥0.3502
  • 有货
  • AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.6606
    • 50+

      ¥0.5262
    • 150+

      ¥0.459
    • 500+

      ¥0.4086
  • 有货
  • DMP6023LE - 13(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.9172
    • 50+

      ¥0.897
    • 150+

      ¥0.8836
    • 500+

      ¥0.8701
  • 订货
  • QA01是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达90%,可持续 短路保护,可空载使用,温度特性好,超小隔离电容,隔离电压 3000VAC,SIP国际标准引脚,工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥12.6735 ¥14.91
    • 10+

      ¥10.659 ¥12.54
    • 25+

      ¥9.401 ¥11.06
    • 100+

      ¥8.109 ¥9.54
    • 500+

      ¥7.531 ¥8.86
    • 1200+

      ¥7.276 ¥8.56
  • 有货
  • QA151是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.0815 ¥15.39
    • 10+

      ¥10.999 ¥12.94
    • 25+

      ¥9.707 ¥11.42
    • 100+

      ¥8.3725 ¥9.85
    • 500+

      ¥7.769 ¥9.14
    • 1200+

      ¥7.514 ¥8.84
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.2345 ¥15.57
    • 10+

      ¥11.135 ¥13.1
    • 25+

      ¥9.8175 ¥11.55
    • 100+

      ¥8.4745 ¥9.97
    • 500+

      ¥7.8625 ¥9.25
    • 1200+

      ¥7.599 ¥8.94
  • 有货
  • QA151C3是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式,可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出 短路保护及自恢复能力该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。可持续 短路保护效率高达82%超小隔离电容温度特性好超小隔离电容隔离电压3500VAC/6000VDCSIP国际标准引脚工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥13.719 ¥16.14
    • 10+

      ¥11.543 ¥13.58
    • 25+

      ¥10.1745 ¥11.97
    • 100+

      ¥8.7805 ¥10.33
    • 500+

      ¥8.1515 ¥9.59
    • 1200+

      ¥7.8795 ¥9.27
  • 有货
  • 特点:定电压输入,隔离稳压单输出隔离电压:1500VDC空载功耗低:0.025W(Typ.)效率:高达 84%工作环境温度:-40℃~+85℃MTBF≥350 万小时(3500000Hrs)可持续 短路保护,自动恢复小型 SIP 封装,塑料外壳国际标准引脚方式纹波/ 噪声(20MHz 带宽) :30mVp-p●
    数据手册
    • 1+

      ¥22.287 ¥26.22
    • 10+

      ¥18.938 ¥22.28
    • 25+

      ¥16.9575 ¥19.95
    • 100+

      ¥14.943 ¥17.58
    • 500+

      ¥14.0165 ¥16.49
    • 1200+

      ¥13.6 ¥16
  • 有货
  • AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • DMP1045U-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥0.637
    • 50+

      ¥0.5074
    • 150+

      ¥0.4426
    • 500+

      ¥0.394
    • 3000+

      ¥0.3551
  • 有货
  • ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.6874
    • 50+

      ¥0.5434
    • 150+

      ¥0.4714
    • 500+

      ¥0.4174
    • 3000+

      ¥0.3742
    • 6000+

      ¥0.3525
  • 有货
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