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首页 > 热门关键词 > 驱动模块
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DC/DC模块电源，SiCMOSFET驱动器专用电源
型号：QA151C3 编号：C5369869
封装：SIP,19.5x9.8mm
品牌：YLPTEC(易川)
QA151C3是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式，可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出 短路保护及自恢复能力该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。可持续 短路保护效率高达82%超小隔离电容温度特性好超小隔离电容隔离电压3500VAC/6000VDCSIP国际标准引脚工作温度范围：-40℃ ~+105℃
数据手册

  • 1+

    ￥13.719 ￥16.14

  • 10+

    ￥11.543 ￥13.58

  • 25+

    ￥10.7525 ￥12.65

  • 100+

    ￥9.3585 ￥11.01

  • 500+

    ￥8.7295 ￥10.27

  • 1200+

    ￥8.4575 ￥9.95
  • 有货
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    IGBT驱动器专用DC/DC模块电源
    型号：MGJ2D122005SC 编号：C5369911
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。
    数据手册

    • 1+

      ￥14.688 ￥17.28

    • 10+

      ￥12.5885 ￥14.81

    • 25+

      ￥11.271 ￥13.26

    • 100+

      ￥9.928 ￥11.68

    • 500+

      ￥9.3245 ￥10.97

    • 1200+

      ￥9.061 ￥10.66
  • 有货
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    IGBT驱动器专用DC/DC模块电源，效率高，具备短路保护和空载使用功能
    型号：QA02 编号：C5369861
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    QA02是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达90%,可持续 短路保护,可空载使用,温度特性好,超小隔离电容,隔离电压 3000VAC,SIP国际标准引脚,工作温度范围：-40℃ ~+105℃
    数据手册

    • 1+

      ￥17 ￥20

    • 10+

      ￥16.167 ￥19.02

    • 25+

      ￥15.6655 ￥18.43

    • 100+

      ￥15.164 ￥17.84

    • 500+

      ￥14.9345 ￥17.57

    • 1200+

      ￥14.8325 ￥17.45
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    DC/DC模块电源，SiCMOSFET驱动器专用电源
    型号：QA01C 编号：C7428398
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    QA01C是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式，可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),可持续 短路保护,效率高达82%,超小隔离电容隔离电压 3500VAC/6000VDC,SIP国际标准引脚,工作温度范围：-40℃ ~+105℃

    • 1+

      ￥17.561 ￥20.66

    • 10+

      ￥15.0535 ￥17.71

    • 25+

      ￥13.566 ￥15.96

    • 100+

      ￥12.0615 ￥14.19

    • 500+

      ￥11.3645 ￥13.37

    • 1200+

      ￥11.05 ￥13
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    L298N电机驱动板模块 直流步进电机机器人智能车
    型号：TDSEMIC-095A 编号：C49270378
    封装：-
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    L298N电机驱动板模块 直流步进电机机器人智能车

    • 1+

      ￥21.59

    • 10+

      ￥18.53

    • 30+

      ￥16.7
  • 有货
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    DC/DC模块电源，SiCMOSFET驱动器专用电源
    型号：QA151M 编号：C5369875
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    特点：定电压输入，隔离稳压单输出隔离电压：1500VDC空载功耗低：0.025W(Typ.)效率：高达 84%工作环境温度：-40℃～+85℃MTBF≥350 万小时(3500000Hrs)可持续 短路保护，自动恢复小型 SIP 封装，塑料外壳国际标准引脚方式纹波/ 噪声(20MHz 带宽) :30mVp-p●
    数据手册

    • 1+

      ￥24.786 ￥29.16

    • 10+

      ￥21.437 ￥25.22

    • 25+

      ￥19.448 ￥22.88

    • 100+

      ￥17.4335 ￥20.51

    • 500+

      ￥16.507 ￥19.42

    • 1200+

      ￥16.0905 ￥18.93
  • 有货
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    IGBT驱动器专用DC/DC模块电源
    型号：MGJ2D151505SC 编号：C5369899
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。
    数据手册

    • 1+

      ￥24.888 ￥29.28

    • 10+

      ￥21.5135 ￥25.31

    • 25+

      ￥19.5075 ￥22.95

    • 100+

      ￥17.4845 ￥20.57

    • 500+

      ￥16.5495 ￥19.47

    • 1200+

      ￥16.1245 ￥18.97
  • 有货
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    P沟道，-30V，-4.7A，46mΩ@-10V,-4.7A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO6405(ES) 编号：C42434118
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.6238

    • 50+

      ￥0.4894

    • 150+

      ￥0.4222

    • 500+

      ￥0.3718

    • 3000+

      ￥0.3315
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AON7403(ES) 编号：C42412244
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.7208

    • 50+

      ￥0.6263

    • 150+

      ￥0.5858

    • 500+

      ￥0.5352

    • 2500+

      ￥0.5127

    • 5000+

      ￥0.4992
  • 有货
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    N沟道，30V，32A，10.0mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AON6204(ES) 编号：C42412241
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AON6204(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.7458

    • 50+

      ￥0.6513

    • 150+

      ￥0.6108

    • 500+

      ￥0.5603

    • 2500+

      ￥0.5378

    • 5000+

      ￥0.5243
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V,，-12.4A，7.5mΩ@-10V,-12A，-1.4V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4409A(ES) 编号：C42412351
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4409A(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4409A(ES)为无铅产品

    • 5+

      ￥0.8248

    • 50+

      ￥0.652

    • 150+

      ￥0.5656

    • 500+

      ￥0.5008

    • 2500+

      ￥0.449

    • 4000+

      ￥0.423
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AONR21321(ES) 编号：C42412347
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.9387

    • 50+

      ￥0.7371

    • 150+

      ￥0.6507

    • 500+

      ￥0.5429

    • 2500+

      ￥0.4949

    • 5000+

      ￥0.466
  • 有货
    • 立即购买
    IGBT驱动器专用DC/DC模块电源
    型号：MGJ2D051802SC 编号：C5369904
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。
    数据手册

    • 1+

      ￥14.6965 ￥17.29

    • 10+

      ￥12.597 ￥14.82

    • 25+

      ￥11.2795 ￥13.27

    • 100+

      ￥9.9365 ￥11.69

    • 500+

      ￥9.3245 ￥10.97

    • 1200+

      ￥9.061 ￥10.66
  • 有货
    • 立即购买
    IGBT驱动器专用DC/DC模块电源，效率高，具备短路保护和空载使用功能
    型号：QA01 编号：C5369859
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    QA01是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达90%,可持续 短路保护,可空载使用,温度特性好,超小隔离电容,隔离电压 3000VAC,SIP国际标准引脚,工作温度范围：-40℃ ~+105℃
    数据手册

    • 1+

      ￥18.7595 ￥22.07

    • 10+

      ￥16.0395 ￥18.87

    • 25+

      ￥14.4245 ￥16.97

    • 100+

      ￥12.7925 ￥15.05

    • 500+

      ￥12.036 ￥14.16

    • 1200+

      ￥11.696 ￥13.76
  • 有货
    • 立即购买
    SiC MOSFET 驱动器专用 DC/DC 模块电源
    型号：QA123C-1803R3 编号：C20615419
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：MORNSUN(金升阳)
    特性：加强绝缘。I/O隔离测试电压：5.0kVAC。局部放电1700V。共模瞬态抗扰度（CMTI）特性 > 200kV/μs。最大电容负载：2200μF。超低隔离电容：3.5pF（典型值）。应用：通用转换器。交流伺服驱动系统

    • 1+

      ￥23.24

    • 10+

      ￥20.73

    • 25+

      ￥19.25

    • 100+

      ￥18.01

    • 500+

      ￥17.18
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE3401 编号：C42420869
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

    • 20+

      ￥0.2077

    • 200+

      ￥0.1618

    • 600+

      ￥0.1363

    • 3000+

      ￥0.121
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，40A，6.5mΩ@10V,18A，1.35V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AON7466(ES) 编号：C42412303
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.7458

    • 50+

      ￥0.6513

    • 150+

      ￥0.6108

    • 500+

      ￥0.5603

    • 2500+

      ￥0.5378
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AON7401(ES) 编号：C53199126
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥0.7549

    • 50+

      ￥0.6013

    • 150+

      ￥0.5245

    • 500+

      ￥0.4669

    • 2500+

      ￥0.4208
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESD3066DN33 编号：C42385166
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.0mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA

    • 5+

      ￥0.7787

    • 50+

      ￥0.6737

    • 150+

      ￥0.6287

    • 500+

      ￥0.5725

    • 2500+

      ￥0.5475

    • 5000+

      ￥0.5325
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道，30V，13A，7.5mΩ@10V,13A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4838(ES) 编号：C42412249
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4838(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.9944

    • 50+

      ￥0.8684

    • 150+

      ￥0.8144

    • 500+

      ￥0.747
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    N沟道，40V，80A，4.2mΩ@10V,30A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE4060K 编号：C42420753
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：64W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,40V,80A,4.2mΩ@10V

    • 5+

      ￥1.1733

    • 50+

      ￥0.9213

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    • 500+

      ￥0.6786

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      ￥0.6186

    • 5000+

      ￥0.5825
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    N沟道，60V，80A，4.6mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：NTMFS5C670NLT1G(ES) 编号：C42434112
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    NTMFS5C670NLT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥1.2888

    • 50+

      ￥1.1208

    • 150+

      ￥1.0488

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    • 5000+

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    2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRF7341TRPBF(ES) 编号：C53199110
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥1.4547

    • 50+

      ￥1.1523

    • 150+

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    • 500+

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      ￥0.789
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    P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESPM3021-8/TR 编号：C42412331
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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      ￥1.5253

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      ￥1.1977

    • 150+

      ￥1.0573

    • 500+

      ￥0.8821

    • 3000+

      ￥0.8041
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    N沟道，100V，15A，80mΩ@10V,10A，1.8V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRLR3410TRPBF(ES) 编号：C42412310
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路

    • 5+

      ￥1.5745

    • 50+

      ￥1.2217

    • 150+

      ￥1.0705

    • 500+

      ￥0.8819
  • 有货
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    N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRFR3410TRPBF(ES) 编号：C42412346
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRFR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥1.6

    • 50+

      ￥1.39

    • 150+

      ￥1.3

    • 500+

      ￥1.19
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    IGBT驱动器专用DC/DC模块电源
    型号：MGJ2D121503SC 编号：C5369907
    封装：SIP,19.5x9.8mm
    品牌：YLPTEC(易川)
    MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。
    数据手册

    • 1+

      ￥14.654 ￥17.24

    • 10+

      ￥12.5545 ￥14.77

    • 25+

      ￥11.237 ￥13.22

    • 100+

      ￥9.894 ￥11.64

    • 500+

      ￥9.282 ￥10.92

    • 1200+

      ￥9.0185 ￥10.61
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    N沟道，30V，0.5A，515mΩ@4.5V,0.2A，0.7V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：NX3008NBK,215(ES) 编号：C49108760
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，30V，0.5A，515mΩ@4.5V,0.2A，0.7V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 50+

      ￥0.0877

    • 500+

      ￥0.0688

    • 3000+

      ￥0.0583
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    N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ESJ2312 编号：C42420866
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,4.5A,23mΩ@10V

    • 20+

      ￥0.1711

    • 200+

      ￥0.1333

    • 600+

      ￥0.1123

    • 3000+

      ￥0.0997

    • 9000+

      ￥0.0887

    • 21000+

      ￥0.0829
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    N沟道，30V，40A，6.5mΩ@10V,18A，1.35V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AON7400A(ES) 编号：C42434123
    封装：PDFN3X3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AON7400A(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.574

    • 50+

      ￥0.504

    • 150+

      ￥0.469

    • 500+

      ￥0.4428

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      ￥0.4218

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