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描述

价格(含税)

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操作

100V 35A GaN半桥功率模块

型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

数据手册

1+
￥34.41
10+
￥30.79
30+
￥28.48

有货

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P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON7403(ES) 编号：C42412244

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378
5000+
￥0.5243

有货

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N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESD3066DN33 编号：C42385166

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.0mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA

5+
￥0.8188
50+
￥0.7138
150+
￥0.6688
500+
￥0.6126
2500+
￥0.5876
5000+
￥0.5726

有货

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P沟道，-30V,，-12.4A，7.5mΩ@-10V,-12A，-1.4V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4409A(ES) 编号：C42412351

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4409A(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4409A(ES)为无铅产品

5+
￥0.8493
50+
￥0.6765
150+
￥0.5901
500+
￥0.5253
2500+
￥0.4734
4000+
￥0.4475

有货

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P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AONR21321(ES) 编号：C42412347

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9387
50+
￥0.7371
150+
￥0.6507
500+
￥0.5429
2500+
￥0.4949
5000+
￥0.466

有货

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应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：SI4101DY-T1-GE3(ES) 编号：C42444331

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-12.4A，7.5mΩ@-10V,-12A，-1.4V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥3.4
10+
￥2.69
30+
￥2.39
100+
￥2.01
500+
￥1.85
1000+
￥1.75

有货

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N沟道，100V，92A，6mΩ@10V,30A，2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESAC80SN10 编号：C42434108

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

ESAC80SN10 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥4.49
10+
￥3.63
30+
￥3.2
100+
￥2.77
500+
￥2.51
1000+
￥2.38

有货

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IGBT驱动器专用DC/DC模块电源

型号：MGJ2D151509SC 编号：C5369912

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

数据手册

1+
￥9.945 ￥11.7
10+
￥9.0695 ￥10.67
25+
￥8.5255 ￥10.03
100+
￥7.9645 ￥9.37
500+
￥7.7095 ￥9.07
1200+
￥7.599 ￥8.94

有货

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IGBT驱动器专用DC/DC模块电源

型号：MGJ2D241802SC 编号：C5369920

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

数据手册

1+
￥13.2345 ￥15.57
10+
￥11.135 ￥13.1
25+
￥9.8175 ￥11.55
100+
￥8.4745 ￥9.97
500+
￥7.8625 ￥9.25
1200+
￥7.599 ￥8.94

有货

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IGBT驱动器专用DC/DC模块电源

型号：QA121 编号：C5369872

封装：SIP-5

品牌：YLPTEC(易川)

QA121是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达85%,SIP国际标准引脚,可持续短路保护,可空载使用,超小隔离电容,最大容性负载1000uF,隔离电压 3000VAC工作温度范围：-40℃ ~+105℃

数据手册

1+
￥13.719 ￥16.14
10+
￥11.543 ￥13.58
25+
￥10.1745 ￥11.97
100+
￥8.7805 ￥10.33
500+
￥8.1515 ￥9.59
1200+
￥7.8795 ￥9.27

有货

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P沟道，-40V,，-1A，273mΩ@-10V,-1A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：PMV250EPEAR(ES) 编号：C42412923

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

PMV250EPEAR(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.3336
100+
￥0.2616
300+
￥0.2256
3000+
￥0.1986
6000+
￥0.177
9000+
￥0.1662

有货

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P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON7401(ES) 编号：C53199126

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.7549
50+
￥0.6013
150+
￥0.5245
500+
￥0.4669
2500+
￥0.4208
5000+
￥0.3978

有货

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2个N沟道，30V，13A，7.5mΩ@10V,13A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4838(ES) 编号：C42412249

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4838(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9944
50+
￥0.8684
150+
￥0.8144
500+
￥0.747

有货

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2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRF7341TRPBF(ES) 编号：C53199110

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861
3000+
￥0.789

有货

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P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESPM3021-8/TR 编号：C42412331

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.5253
50+
￥1.1977
150+
￥1.0573
500+
￥0.8821
3000+
￥0.8041

有货

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N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRFR3410TRPBF(ES) 编号：C42412346

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.66
50+
￥1.45
150+
￥1.36
500+
￥1.25

有货

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IGBT驱动器专用DC/DC模块电源

型号：MGJ2D241505SC 编号：C5369917

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

数据手册

1+
￥9.945 ￥11.7
10+
￥9.0695 ￥10.67
25+
￥8.5255 ￥10.03
100+
￥7.9645 ￥9.37
500+
￥7.7095 ￥9.07
1200+
￥7.599 ￥8.94

有货

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IGBT驱动器专用DC/DC模块电源

型号：MGJ2D051505SC 编号：C5369901

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2D051505SC系列是专为 IGBT驱动器而设计的输出电压15V，输出电流（mA）80, DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

数据手册

1+
￥13.2345 ￥15.57
10+
￥11.135 ￥13.1
25+
￥9.8175 ￥11.55
100+
￥8.4745 ￥9.97
500+
￥7.8625 ￥9.25
1200+
￥7.599 ￥8.94

有货

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IGBT驱动器专用DC/DC模块电源

型号：MGJ2D241509SC 编号：C5369918

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

1+
￥13.651 ￥16.06
10+
￥11.5515 ￥13.59
25+
￥10.2425 ￥12.05
100+
￥8.891 ￥10.46
500+
￥8.2875 ￥9.75
1200+
￥8.024 ￥9.44

有货

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L298N电机驱动板模块直流步进电机机器人智能车

型号：TDSEMIC-095A 编号：C49270378

封装：-

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

L298N电机驱动板模块直流步进电机机器人智能车

1+
￥21.59
10+
￥18.53
30+
￥16.7

有货

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N沟道，68V，80A，6.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESNQ07R086 编号：C42412312

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESNQ07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.4087
50+
￥1.2302
150+
￥1.1537
500+
￥1.0583
2500+
￥1.0158
5000+
￥0.9903

有货

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N沟道，100V，15A，80mΩ@10V,10A，1.8V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRLR3410TRPBF(ES) 编号：C42412310

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路

5+
￥1.6426
50+
￥1.2898
150+
￥1.1386
500+
￥0.95

有货

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N沟道，100V，430A，1.07mΩ@10V,30A，3V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IPT015N10N5(ES) 编号：C49108770

封装：TOLL-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，430A，1.07mΩ@10V,30A，3V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥8.43
10+
￥6.91
30+
￥6.08
100+
￥5.15

有货

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SiC驱动器专用DC/DC模块电源

型号：QA153C-1504R3 编号：C5369882

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA153C-1504R3R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃

数据手册

1+
￥13.7105 ￥16.13
10+
￥11.5345 ￥13.57
25+
￥10.1745 ￥11.97
100+
￥8.7805 ￥10.33
500+
￥8.1515 ￥9.59
1200+
￥7.8795 ￥9.27

有货

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SiC驱动器专用DC/DC模块电源

型号：QA053C-1803R3 编号：C5369878

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA053C-1803R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃

数据手册

1+
￥14.212 ￥16.72
10+
￥11.9595 ￥14.07
25+
￥10.5485 ￥12.41
100+
￥9.1035 ￥10.71
500+
￥8.449 ￥9.94
1200+
￥8.1685 ￥9.61

有货

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SiC MOSFET驱动器专用DC/DC模块电源

型号：QA243HCD2-1803R3 编号：C5369895

封装：DIP,31.7x20.3mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA243HCD2-1803R3是专为 SiC MOSFET 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS)满足加强绝缘 隔离电压 5000VAC 局部放电 1700V CMTI>200 kV/µs 最大容性负载 2200µF

数据手册

1+
￥27.472 ￥32.32
10+
￥23.4855 ￥27.63
30+
￥21.1225 ￥24.85
105+
￥18.7255 ￥22.03
600+
￥17.6205 ￥20.73
900+
￥17.119 ￥20.14

有货

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IGBT驱动器用DC/DC转换器

型号：QA01 编号：C49718

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

可正负配置 IGBT驱动器专用DC/DC模块，输入范围：14.5V~15.5V，双组输出：15V/80mA，-8.7V/-40mA

数据手册

1+
￥28.91
10+
￥24.54
25+
￥21.95
100+
￥19.32

有货

立即购买

N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

型号：ESJ2312 编号：C42420866

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,4.5A,23mΩ@10V

20+
￥0.1753
200+
￥0.1375
600+
￥0.1165
3000+
￥0.1039
9000+
￥0.0929
21000+
￥0.0871

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P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESE3401 编号：C42420869

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

20+
￥0.2128
200+
￥0.1669
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P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4407C(ES) 编号：C42412318

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7231
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