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P沟道，-30V,，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
型号：ES9435 编号：C42412242
封装：SOP-8
品牌：ElecSuper(静芯)
ES9435 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，100V，5.0A，95mΩ@10V,2.5A，1.65V@250uA；应用领域：PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES3N06G-AB3-R 编号：C42412322
    封装：SOT-89
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，30V，50A，6mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES50N03D 编号：C42434100
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES50N03D 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-60V，-3.1A，80mΩ@-10V,-3A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：EST03P06 编号：C42434104
    封装：SOT-23-3L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-60V，-3.1A，80mΩ@-10V,-3A，-1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ZXMP10A13FTA(ES) 编号：C53199114
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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    P沟道，-20V，-11A，11mΩ@4.5V,-10A，-0.65V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESS2022A 编号：C42412309
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

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    N沟道，150V，20A，57mΩ@10V,5A，3.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESEP1520K 编号：C42420777
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA N沟道,150V,19A,57mΩ@10V

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    N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：BSC070N10NS5(ES) 编号：C49108749
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥2.3534

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    MSL=3 降压型 2.95V~5.5V 800mV~5V 3A 15W
    型号：LMZ10503TZX-ADJ/NOPB 编号：C2842401
    封装：TO-PMOD-7
    品牌：TI(德州仪器)
    LMZ10503 采用引线式表面贴装 TO 封装的 5.5V、3A 电源模块
    数据手册

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      ￥52

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      ￥45.74

    • 30+

      ￥37.33
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    采用QFN封装且具有2.95V至17V输入和电流共享的7A电源模块
    型号：LMZ31707RVQR 编号：C2685820
    封装：B3QFN-42-EP(10x10)
    品牌：TI(德州仪器)
    LMZ31707 具有均流功能、采用 10x10x4.3mm QFN 封装的 2.95V 至 17V、7A 降压电源模块
    数据手册

    • 1+

      ￥59.71

    • 10+

      ￥51.91

    • 30+

      ￥43.17

    • 100+

      ￥39.19
  • 有货
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    模块具备TurboTrans技术
    型号：PTH08T240WAH 编号：C2961590
    封装：DIP-11
    品牌：TI(德州仪器)
    PTH08T240W 采用 TurboTrans 技术的 10A 输出 4.5V 至 14V 输入的非隔离宽输出可调节电源模块
    数据手册

    • 1+

      ￥157.85

    • 30+

      ￥146.27
  • 有货
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    N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。
    型号：ESBSS123LT1G 编号：C42420862
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：0.29A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.7Ω@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA,100V,0.29A,2.7Ω@10V

    • 50+

      ￥0.1222

    • 500+

      ￥0.0952

    • 3000+

      ￥0.0802
  • 有货
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    N沟道，：30V，4.2A，40mΩ@10V,3.6A，0.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJ3402 编号：C42420875
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA N沟道,30V,4.2A,40mΩ@10V

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      ￥0.1466

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    • 600+

      ￥0.0962

    • 3000+

      ￥0.0854

    • 9000+

      ￥0.0761

    • 21000+

      ￥0.071
  • 有货
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    带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMP2035U-7(ES) 编号：C53199107
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 20+

      ￥0.2253

    • 200+

      ￥0.1767

    • 600+

      ￥0.1497

    • 3000+

      ￥0.1335
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJL3400A 编号：C42420878
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406(ES) 编号：C42434120
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJ3407 编号：C42420759
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,38mΩ@-10V

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572
  • 有货
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    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESJL3401 编号：C42420885
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

    • 20+

      ￥0.2321

    • 200+

      ￥0.1808

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      ￥0.1523

    • 3000+

      ￥0.1352
  • 有货
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    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3422(ES) 编号：C53199119
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 20+

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    • 200+

      ￥0.1879

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      ￥0.1639

    • 3000+

      ￥0.1459
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    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：FDN337N(ES) 编号：C53199112
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 10+

      ￥0.2595

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    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406A(ES) 编号：C42434121
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

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    P沟道，-30V,，-4.7A，46mΩ@-10V,-4.5A，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO6401A(ES) 编号：C42412248
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRLML0060TRPBF(ES) 编号：C42412353
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESP3407LT1G 编号：C42420884
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-3.8A 功率(Pd)：1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：51mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.2V@250uA,-30V,-3.8A,51mΩ@10V

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    P沟道，-40V，-3A，65mΩ@-10V,-1.2A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI2319(ES) 编号：C42434110
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

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    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESPM3401-3/TR 编号：C42412343
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESPM3401 - 3/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-40V,，-2.3A，110mΩ@-10V,-2A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI2319DS-T1-GE3(ES) 编号：C42412240
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)

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    P沟道，-30V，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：FDS9435A(ES) 编号：C42434119
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    FDS9435A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V，-5.8A，37.5mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4459(ES) 编号：C42412323
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4459(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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