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首页 > 热门关键词 > 控制模块
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是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件,旨在提高电力电子产品的效率。这些应用包括:HVAC压缩机模块、前灯、直流/直流转换器、逆变器和电机控制、车载充电器(OBC)和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、感应和信号调理。采用32位锁步双C28x CPU,使得该器件无需过多的软件开销即可成为ASILB级功能安全器件。实时控制子系统基于TI的32位C28x DSP内核,可针对从片上闪存或SRAM运行的浮点或定点代码提供120MHz的信号处理性能。三角函数加速器(TMU)和VCRC(循环冗余校验)扩展指令集进一步增强了C28x CPU的性能,从而加快了实时控制系统关键常用算法的速度。支持高达256KB(128KW)的闪存
数据手册
  • 1+

    ¥30.82
  • 10+

    ¥30.05
  • 30+

    ¥29.53
  • 有货
  • 特性:工作特性:电压范围:1.71至3.6V。闪存写入电压范围:1.71至3.6V。温度范围(环境):-40至105°C。性能:高达50MHz的ARM Cortex-M4内核,带DSP指令,每MHz可提供1.25 Dhrystone MIPS。存储器和内存接口:高达128KB的程序闪存。FlexMemory设备上高达32KB的FlexNVM
    数据手册
    • 1+

      ¥33.8
    • 10+

      ¥28.24
    • 30+

      ¥24.85
  • 有货
  • 高效率48-MHz Arm Cortex-M4核心,256-KB代码闪存内存,32-KB SRAM,段式LCD控制器,电容触摸感应单元,USB 2.0全速模块,14位A/D转换器,12位D/A转换器,安全和保护功能
    • 1+

      ¥47.05
    • 10+

      ¥40.36
    • 30+

      ¥36.29
  • 有货
  • 特性:改进的玻璃钝化处理,在高温下具有高可靠性和出色的稳定性。 高di/dt和dv/dt能力。 标准封装。 低热阻。 提供公制螺纹版本。 最高VDRM/VRRM可达1200V。应用:中功率开关。 相位控制应用
    数据手册
    • 1+

      ¥105.44
    • 10+

      ¥102.22
    • 30+

      ¥97.19
  • 有货
  • RP2040-LCD-1.28 是一款微雪 (Waveshare ) 设计的低成本,高性能的微控制器开发板。在较小的板型下,板载了 1.28inch LCD 圆形屏幕、锂电池充电芯片、六轴传感器(三轴加速度与三轴陀螺仪)等外设,并且引出了所有的 GPIO 与 Debug 接口,方便开发并嵌入应用到产品中。采用 Raspberry Pi 自主设计的 RP2040 微控制器芯片。搭载双核 ARM Cortex M0 + 处理器,运行频率高达 133MHz 灵活时钟。内置 264KB 的 SRAM 和 2MB 的片上 Flash。采用 Type-C 接口,紧跟时代潮流,无需纠结正反插。板载 1.28 英寸 240 × 240 分辨率,65K 彩色 IPS LCD 显示屏,能清晰地显示彩色图片。板载锂电池充放电接口,有利于移动场景使用。全部 GPIO 经过 1.27 间距排母引出 (共 30 个,但是有引脚已经连接内部电路,复用时需要注意,详情请参考 wiki)USB1.1 主机和设备支持。支持低功耗睡眠和休眠模式。可通过 USB 识别为大容量存储器进行拖放式下载程序。2 个 SPI,2 个 I2C,2 个 UART,4 个 12 位 ADC,16 个可控 PWM 通道。精确的片上时钟和定时器。
    数据手册
    • 1+

      ¥121.92
    • 10+

      ¥116.16
    • 30+

      ¥106.18
  • 有货
  • 高达64 MHz,单发射,32位CPU核心复合体(e200z0h)。符合Power Architecture嵌入式类别。可变长度编码(VLE)。内存组织:高达512 KB片上代码闪存,带ECC和擦除/编程控制器。可选64 (4 × 16) KB片上数据闪存,带ECC用于EEPROM仿真。高达40 KB片上SRAM,带ECC
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    • 1+

      ¥136.8
    • 30+

      ¥129.6
  • 有货
  • MAX2090高线性度模拟可变增益放大器(VGA)是一款单片SiGe BiCMOS衰减器、放大器、误差放大器和报警电路,设计用于与工作在50MHz至1000MHz频率范围内的50Ω系统接口。外部模拟控制电压控制模拟衰减器。该器件的增益范围为 -10.9dB至 +26.1dB,噪声系数为4dB,OIP3线性度为 +38dBm,且具有较宽的RF带宽。这些特性使该器件成为众多接收器和发射器应用的理想VGA。此外,该器件采用单 +5.0V电源供电。该器件采用带裸露焊盘的紧凑型20引脚TQFN封装(5mm×5mm)。在 -40℃至 +95℃的扩展温度范围内,可保证其电气性能。
    • 1+

      ¥144.8
    • 30+

      ¥130.739 ¥137.62
  • 有货
  • 集成了一个模拟可变增益放大器 (VGA) 和一个上变频混频器级以及镜像滤波器。该器件在将中频 (IF) 信号与本振 (LO) 信号混合之前,对 250MHz 至 450MHz 范围内的 IF 信号进行放大。由此产生的 1735MHz 至 1935MHz 上变频信号在片上进行滤波,作为信号调理的最后一级。每个特性使该产品成为众多发射机应用的理想上变频器
    • 1+

      ¥166.21
    • 10+

      ¥161.22
    • 14+

      ¥137.037 ¥161.22
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-1.5A 功率(Pd):0.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):155mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.75V@250uA,-30V,-1.5A,155mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.0688
    • 200+

      ¥0.0672
    • 600+

      ¥0.0662
    • 3000+

      ¥0.0651
  • 订货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)
    • 20+

      ¥0.2003
    • 200+

      ¥0.1571
    • 600+

      ¥0.1331
    • 3000+

      ¥0.1187
    • 9000+

      ¥0.1062
    • 21000+

      ¥0.0995
  • 订货
  • ESE01P30K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 1+

      ¥2.59
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.8
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.3
  • 订货
  • 主要为全波交流控制应用而设计,如调光器、电机控制、加热控制和电源;或任何需要全波硅栅控固态器件的场合。三端双向可控硅(Triac)型晶闸管在施加阳极电压时,无论电压极性如何,通过正或负的门极触发,都能从阻断状态切换到导通状态。
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥3.45
    • 30+

      ¥3.4
  • 有货
  • 1T 8051内核Flash MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥3.54
    • 10+

      ¥2.85
    • 26+

      ¥2.51
    • 104+

      ¥2.17
  • 有货
  • 1T 8051内核Flash MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥3.62
    • 10+

      ¥2.91
    • 32+

      ¥2.56
    • 96+

      ¥2.21
  • 有货
  • N沟道,30V,80A,2.4mΩ@10V,20A,1.6V@250μA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 1+

      ¥6.41
    • 10+

      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.6
    • 100+

      ¥4
    • 500+

      ¥3.64
    • 1000+

      ¥3.45
  • 订货
  • 特性:工作特性:电压范围:2.7至5.5V。闪存写入电压范围:2.7至5.5V。温度范围(环境):-40至105℃。性能:高达48MHz的Arm Cortex-M0+内核。单周期32位x 32位乘法器。单周期I/O访问端口
    • 1+

      ¥34.21
    • 10+

      ¥33.39
    • 30+

      ¥32.84
  • 有货
  • 特性:工作电压范围:1.71至3.6V。 闪存写入电压范围:1.71至3.6V。 环境温度范围:-40至105℃。 高达50MHz的ARM Cortex-M4内核,带DSP指令,每MHz提供1.25 Dhrystone MIPS。 高达128KB的程序闪存。 FlexMemory设备上高达32KB的FlexNVM
    数据手册
    • 1+

      ¥35.67
    • 10+

      ¥34.77
    • 30+

      ¥34.17
  • 有货
  • 高效率48-MHz Arm Cortex-M4核心,256-KB代码闪存内存,32-KB SRAM,段式LCD控制器,电容触摸感应单元,USB 2.0全速模块,14位A/D转换器,12位D/A转换器,安全和保护功能
    • 1+

      ¥40.91
    • 10+

      ¥35.3
    • 30+

      ¥31.88
  • 有货
  • 是通用、低成本的32位微控制器(MCU),具备Wi-Fi和网络连接功能、基于硬件的安全加速器、收发器和电源管理单元(PMU),支持连接外部前端模块。支持丰富的标准PIC32外设,如Wi-Fi、以太网MAC、USB、CAN、CAN-FD、SPI、I²C、SQI、UART、CVD、ADC和JTAG。基于TCP/IP的连接协议以及SSL支持,使低成本、低复杂度的系统能够实现全功能的互联网连接和可靠的信息交换。
    • 1+

      ¥45.08
    • 10+

      ¥44
    • 30+

      ¥43.28
  • 有货
  • KS2x产品系列基于ARM Cortex-M4处理器构建,具有更低的功耗和更高的存储密度,提供多种封装。该器件可通过集成的单精度浮点单元(FPU)提供120 MHz性能。嵌入式flash存储器大小为128KB至256KB。该器件还包括USB全速2.0器件,无需外部晶振;FlexCAN,支持ISO11898-1标准和CAN2.0B协议规范;FlexIO,高度可配置模块,提供多种协议支持,包括但不限于UART、LPI2C、SPI、I2S和PWM/波形生成。
    数据手册
    • 1+

      ¥54.7
    • 10+

      ¥53.35
    • 30+

      ¥52.45
  • 有货
  • CIPOs™模块系列提供了集成各种电源和控制组件的机会,以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。由于关断开关损耗极低,该模块专为控制三相交流电机和永磁电机而设计,适用于诸如洗衣机等需要高开关频率(约15kHz)的变速驱动器应用。其封装理念特别适用于电源应用,这类应用既需要良好的热传导和电气隔离,也需要具备抗电磁干扰的控制和过载保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥60.15
    • 10+

      ¥58.1
  • 有货
  • 适用场景:工业自动化系统,智能建筑系统,农业自动化系统
    • 单价:

      ¥81.2 / 个
  • 有货
  • 适用场景:工业自动化系统,智能建筑系统,农业自动化系统
    • 单价:

      ¥91.64 / 个
  • 有货
  • Microchip SAMA5D27 无线系统模块1 (ATSAMA5D27-WLSOM1) 是一个基于高性能系统级封装(SiP)32位Arm CorteX-A5处理器的微处理器SAMA5D27、运行频率高达500MHz的2Gb LPDDR2-SDRAM以及Wi-Fi加蓝牙(Wi-Fi/BT)无线模块的小型单面SOM。ATSAMA5D27-WLSOM1 基于一套通用的经过验证的Microchip组件构建,通过简化硬件设计和软件开发来缩短上市时间。ATSAMA5D27-WLSOM1 还限制了主应用板的设计规则,从而降低了整体PCB的复杂性和成本。ATSAMA5D27-WLSOM1 配备了免费的LinuX发行版和裸机C示例。
    数据手册
    • 1+

      ¥457.51
    • 10+

      ¥442.52
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):0.29A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7Ω@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA,100V,0.29A,2.7Ω@10V
    • 50+

      ¥0.0626
    • 500+

      ¥0.0611
    • 3000+

      ¥0.0602
    • 6000+

      ¥0.0592
  • 订货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.9V@250uA N沟道,30V,4.2A,40mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.0751
    • 200+

      ¥0.0733
    • 600+

      ¥0.0722
    • 3000+

      ¥0.071
  • 订货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):68mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
    • 3000+

      ¥0.1751
    • 6000+

      ¥0.1578
    • 9000+

      ¥0.1492
  • 订货
  • N沟道,60V,3.2A,58mΩ@10V,3A,1.35V@250uA;应用领域:LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 10+

      ¥0.3539
    • 100+

      ¥0.2819
    • 300+

      ¥0.2459
    • 3000+

      ¥0.2189
    • 6000+

      ¥0.1973
    • 9000+

      ¥0.1865
  • 订货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):64W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA N沟道,40V,80A,4.2mΩ@10V
    • 5+

      ¥1.1733
    • 50+

      ¥0.9213
    • 150+

      ¥0.8133
    • 500+

      ¥0.6786
    • 2500+

      ¥0.6186
    • 5000+

      ¥0.5825
  • 订货
  • N沟道,60V,190A,1.9mΩ@10V,30A,1.6V@250uA;应用领域:LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 1+

      ¥1.95
    • 10+

      ¥1.91
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.85
  • 订货
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