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价格(含税)

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操作

32bit ARM Cortex-M4F内核MCU，集成多接口及模拟模块

型号：N32G457VEL7 编号：C2932364

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：Nations(国民技术)

N32G457系列采用32bit ARM Cortex-M4F内核，最高工作主频144MHz，支持浮点运算和DSP指令，集成多达512KB Flash、144KB SRAM、4x12bit 5Msps ADC、4xOPAMP、7xCOMP、2x1Msps 12bit DAC，支持多达24通道电容式触摸按键，集成多路U(S)ART、I2C、SPI、QSPI、USB、CAN通信接口，1xSDIO接口，1x10/100M以太网接口，数字摄像头（DVP）接口，内置密码算法硬件加速引擎

数据手册

1+
￥16.76
10+
￥14.8
30+
￥13.57
100+
￥12.32
500+
￥11.75

有货

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TDSEMIC1209数显温控器精度温度控制器控温开关微型温控板

型号：TDSEMIC-557A 编号：C49270384

封装：-

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

TDSEMIC1209数显温控器精度温度控制器控温开关微型温控板

1+
￥17.37
10+
￥14.77
30+
￥13.14

有货

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AI智能语音模块V20 海凌科离线语音开关控制语音识别控制开发板

型号：HLK-V20-SUIT 编号：C3033065

封装：-

品牌：HI-LINK(海凌科)

插件

数据手册

1+
￥37.18
10+
￥31.84
50+
￥27.64

有货

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蓝牙低功耗5.0和802.15.4模块

型号：STM32WB5MMGH6TR 编号：C5184586

封装：LFLGA-86

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗模块 - 双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32 MHz Cortex-M0+ MCU，具有1 MB Flash存储器、蓝牙LE 5.2、802.15.4、Zigbee、Thread、USB、LCD和AES-256

数据手册

1+
￥69.78
10+
￥66.24
30+
￥60.11

有货

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具备先进电流模式控制和宽温度范围的4 V至18 V输入、12 A降压电源模块

型号：TPSM843A22RDGR-ET 编号：C22428458

封装：B3QFN-25(6.5x7.5)

品牌：TI(德州仪器)

是一款高效的18V、12A同步降压模块，采用内部补偿、固定频率的先进电流模式（ACM）控制架构，始终在FCCM下运行，可产生0.5V至7V的输出电压。该模块能够在高达2.2MHz的开关频率下高效运行。采用6.5mm x 7.5mm x 4mm的包覆成型封装，适合对解决方案尺寸要求较小的设计。其他特性包括高精度电压基准、可选软启动时间、预偏置输出的单调启动、可选电流限制、通过EN引脚调节的欠压锁定（UVLO）以及全套故障保护功能。

数据手册

1+
￥121
30+
￥116.6

有货

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P沟道，-30V,，-4.7A，46mΩ@-10V,-4.5A，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO6401A(ES) 编号：C42412248

封装：SOT-23-6L

品牌：ElecSuper(静芯)

AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

有货

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N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMP1045U-7(ES) 编号：C42412352

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP1045U-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

有货

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N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRLML0060TRPBF(ES) 编号：C42412353

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

有货

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P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ZXMP10A13FTA(ES) 编号：C53199114

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.637
50+
￥0.5074
150+
￥0.4426
500+
￥0.394
3000+
￥0.3551

有货

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P沟道，-20V，-11A，11mΩ@4.5V,-10A，-0.65V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESS2022A 编号：C42412309

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

有货

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P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591
3000+
￥0.4116
6000+
￥0.3878

有货

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N沟道，30V，68.6A，4mΩ@10V,20A，2.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRLR8726TRPBF(ES) 编号：C42434096

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR8726TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9698
50+
￥0.7682
150+
￥0.6818
500+
￥0.574
2500+
￥0.526
5000+
￥0.4972

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N沟道，100V，184A，3.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：BSC040N10NS5(ES) 编号：C53199056

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，184A，3.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥2.91
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

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62mm C系列模块，采用沟槽/场截止型IGBT4和发射极控制型4二极管

型号：FZ600R12KE4 编号：C535643

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

IGBT模块

数据手册

1+
￥608.4
30+
￥587.6

有货

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带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMG3415U-7(ES) 编号：C42379950

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD保护，类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-4.9A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@-4.5V,-4.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-0.7V@250uA

10+
￥0.2947
100+
￥0.2323
300+
￥0.2011

有货

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P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESPM3401-3/TR 编号：C42412343

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

ESPM3401 - 3/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357

有货

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P沟道，-40V,，-2.3A，110mΩ@-10V,-2A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：SI2319DS-T1-GE3(ES) 编号：C42412240

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357
3000+
￥0.2087
6000+
￥0.1871
9000+
￥0.1763

有货

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P沟道，-30V，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：FDS9435A(ES) 编号：C42434119

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

FDS9435A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.3539
100+
￥0.2819
300+
￥0.2459

有货

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P沟道，-40V,，-2.3A，110mΩ@-10V,-2A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMP4065SQ-7(ES) 编号：C42412924

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2783

有货

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N沟道，100V，3A，120mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ES0103Y 编号：C42394322

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.0A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120.0mΩ@10V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

有货

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N沟道，100V，5.0A，95mΩ@10V,2.5A，1.65V@250uA；应用领域：PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ES3N06G-AB3-R 编号：C42412322

封装：SOT-89

品牌：ElecSuper(静芯)

ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2783
6000+
￥0.2495
9000+
￥0.235

有货

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P沟道，-30V，-5.8A，37.5mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4459(ES) 编号：C42412323

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4459(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.4718
100+
￥0.3758
300+
￥0.3278

有货

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N沟道，30V，50A，6mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ES50N03D 编号：C42434100

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ES50N03D 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
500+
￥0.3061
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

有货

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支持多种功能的芯片，具备安全完整性模块、模拟模块、通信接口等

型号：MKE04Z8VFK4 编号：C3233098

封装：QFN-24(4x4)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：工作特性: -电压范围：2.7至5.5V。闪存写入电压范围：2.7至5.5V。温度范围（环境）：-40至105℃。性能: -高达48MHz的Arm Cortex-M0 +内核。单周期32位x 32位乘法器。单周期I/O访问端口

数据手册

1+
￥8.89
10+
￥8.16
30+
￥7.7
100+
￥6.8685 ￥7.23
490+
￥6.6595 ￥7.01
980+
￥6.574 ￥6.92

有货

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62mm C系列模块，采用快速沟槽/场截止型IGBT4和发射极控制型4二极管

型号：FF200R17KE4 编号：C541005

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性：扩展工作温度 T(v_ijop)。低 V(CEsat)。高鲁棒性。V(CEsat) 具有正温度系数。机械特性：4 kV 交流 1 分钟绝缘。CTI > 400 的封装。应用：典型应用：高性能变频器。电机驱动

数据手册

1+
￥433.54
30+
￥410.93

有货

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带ESD防护，N沟道，30V，0.5A，504mΩ@10V,0.2A，1.2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：NX3008NBKW,115(ES) 编号：C53199118

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，30V，0.5A，504mΩ@10V,0.2A，1.2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

20+
￥0.0787
200+
￥0.0769
600+
￥0.0758

有货

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P沟道，-12V，-3.8A，29mΩ@-4.5V,-3.8A，-0.62V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：SI2305CDS(ES) 编号：C42434109

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1001
200+
￥0.0978
600+
￥0.0962

有货

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N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESJL3400A 编号：C42420878

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

20+
￥0.1243
200+
￥0.1214
600+
￥0.1195

有货

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P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESJ3407 编号：C42420759

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,38mΩ@-10V

20+
￥0.1243
200+
￥0.1214
600+
￥0.1195

有货

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P沟道，-30V，-3.8A，46mΩ@-10V，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESP3407LT1G 编号：C42420884

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-3.8A 功率(Pd)：1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：51mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.2V@250uA,-30V,-3.8A,51mΩ@10V

10+
￥0.1573
100+
￥0.1538
300+
￥0.1515
1000+
￥0.1492

有货

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品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

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降低成本

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