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价格(含税)

库存

操作

AI智能语音模块V20 海凌科离线语音开关控制语音识别控制开发板

型号：HLK-V20-SUIT 编号：C3033065

封装：-

品牌：HI-LINK(海凌科)

插件

数据手册

1+
￥40.09
10+
￥34.75
50+
￥30.56

有货

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控制集成电源系统，双列直插式智能功率模块，3Φ桥600V/30A

型号：IKCM30F60GA 编号：C491346

封装：MDIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

CIPOs™ 模块系列提供了集成各种电源和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。该封装概念特别适用于电源应用，这类应用需要良好的热传导和电气隔离，同时也需要具备抗电磁干扰控制和过载保护功能

数据手册

1+
￥63.11
10+
￥57.45
28+
￥55.97
98+
￥54.68

有货

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20VIN 8A 降压型 DC/DC uModule 稳压器

型号：LTM4657EY#PBF 编号：C7453952

封装：BGA-49(6.2x6.2)

品牌：ADI(亚德诺)

LTM4657是一款完整的8A降压开关模式μModule（微型模块）稳压器，采用6.25mm × 6.25mm × 3.87mm的小型BGA封装。该封装内包含开关控制器、功率FET、电感器和支持组件。LTM4657的输入电压范围为3.1V至20V，支持0.5V至5.5V的输出电压范围，可通过单个外部电阻设置。其高效设计可提供高达8A的连续输出电流，仅需大容量输入和输出电容器。LTM4657支持可选的不连续模式操作和输出电压跟踪，用于电源轨排序。其高开关频率和电流模式控制可实现对线路和负载变化的快速瞬态响应，同时不影响稳定性。故障保护功能包括过压、过流和过温保护。LTM4657提供含铅（SnPb）或符合RoHS标准的端子镀层。

1+
￥101.23
10+
￥96.6
30+
￥88.59

有货

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步进控制器，供电电压9 - 36V，相电流RMS达2.8A，支持SPI配置与控制

型号：TMC5160-BOB 编号：C465957

封装：-

品牌：TRINAMIC

特性：步进控制器。电源电压：9-60V（受MOSFET限制）。相电流有效值（I_phase,RMS）高达2.8A。通过SPI进行配置和控制。可通过焊接选项选择S/D模式。可使用可选的低ESR电解电容，约150uF。板宽1.5英寸，板高1.1英寸。2x11引脚，0.1英寸引脚排用于引脚/连接器。链接到附加信息和IC数据手册。链接到评估套件

数据手册

1+
￥115.62
10+
￥112.8

有货

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双通道 8A 或单通道 16A DC/DC uModule 稳压器

型号：LTM4628IY#PBF 编号：C108037

封装：BGA-144(15x15)

品牌：ADI(亚德诺)

双通道 8A 或单通道 16A DC/DC μModule 稳压器

数据手册

1+
￥209.92
30+
￥199.09

有货

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N沟道，20V，0.88A，220mΩ@4.5V,0.5A，0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMG1012UW-7(ES) 编号：C42412344

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1711
200+
￥0.1333
600+
￥0.1123

有货

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N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：SI2308A(ES) 编号：C42434101

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
3000+
￥0.1139
9000+
￥0.1014
21000+
￥0.0947

有货

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P沟道，-12V，-3.8A，29mΩ@-4.5V,-3.8A，-0.62V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：SI2305CDS(ES) 编号：C42434109

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283

有货

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P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESJL3401A 编号：C42420867

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：49mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250μA

20+
￥0.2292
200+
￥0.1812
600+
￥0.1572
3000+
￥0.1392

有货

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P沟道，-20V，-4.1A，26mΩ@-4.5V,-4A，-0.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：SSM3J328R,LF(ES) 编号：C49108745

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-20V，-4.1A，26mΩ@-4.5V,-4A，-0.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

10+
￥0.2831
100+
￥0.2255
300+
￥0.1967

有货

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N沟道，60V，3.2A，58mΩ@10V,3A，1.35V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMN6075S-7(ES) 编号：C49108758

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，60V，3.2A，58mΩ@10V,3A，1.35V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

10+
￥0.3539
100+
￥0.2819
300+
￥0.2459
3000+
￥0.2189
6000+
￥0.1973
9000+
￥0.1865

有货

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P沟道，-40V,，-2.3A，110mΩ@-10V,-2A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMP4065SQ-7(ES) 编号：C42412924

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

有货

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N沟道，100V，3A，120mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ES0103Y 编号：C42394322

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.0A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120.0mΩ@10V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

有货

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P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4407C(ES) 编号：C42412318

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7332
50+
￥0.5796
150+
￥0.5028
500+
￥0.4452

有货

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N沟道，100V，4.5A，120mΩ@10V,4A，1.7V@250uA；应用领域：PLC控制器、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESP10N10C 编号：C42412243

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869

有货

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N沟道，30V，68.6A，4mΩ@10V,20A，2.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRLR8726TRPBF(ES) 编号：C42434096

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR8726TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9698
50+
￥0.7682
150+
￥0.6818
500+
￥0.574
2500+
￥0.526
5000+
￥0.4972

有货

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N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESE0117K 编号：C42420881

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

5+
￥1.0412
50+
￥0.9152
150+
￥0.8612
500+
￥0.7938

有货

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N沟道，60V，6.5A，23mΩ@10V,3A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMP6023LE-13(ES) 编号：C42434111

封装：SOT-223

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP6023LE - 13(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.2147
50+
￥1.0677
150+
￥1.0047
500+
￥0.9261
3000+
￥0.8911
6000+
￥0.8701

有货

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P沟道，-40V，-45A，13mΩ@-10V,-20A，-1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESE40P40K 编号：C42420755

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

5+
￥1.3015
50+
￥1.144
150+
￥1.0765
500+
￥0.9923

有货

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P沟道，-30V，-21A，4.1mΩ@10V,-15A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRF9310TRPBF(ES) 编号：C46970793

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-21A，4.1mΩ@10V,-15A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥2.1821
50+
￥1.7285
150+
￥1.5341
500+
￥1.2915

有货

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实时时钟模块（I2C总线）

型号：RX8130CE:B3 编号：C5903514

封装：SMD-10P

品牌：EPSON(爱普生)

内置频率调整的32.768 kHz晶体单元。接口类型：I2C总线接口，快速模式400 kHz。低备用电流：300 nA（典型值）/ 3 V。自动电源切换功能：通过监控VDD电压自动切换到备用电源，备用电源切换电压1.2V（最小值）

1+
￥5.64
10+
￥4.63
30+
￥4.12
100+
￥3.62
500+
￥3.32
1000+
￥3.16

有货

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TDSEMIC1209数显温控器精度温度控制器控温开关微型温控板

型号：TDSEMIC-557A 编号：C49270384

封装：-

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

TDSEMIC1209数显温控器精度温度控制器控温开关微型温控板

1+
￥17.37
10+
￥14.77
30+
￥13.14

有货

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降压型 2.75V~6V 600mV~6V 2A

型号：MPM3822CGRH-Z 编号：C5799652

封装：QFN-18(2.5x3.5)

品牌：MPS(芯源)

MPM3822C是一款集成电感的同步降压电源模块。MPM3822C在2.75V至6V的输入电压范围内可实现2A的连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。MPM3822C工作在强制连续导通模式（CCM），使用一个输出电容时电压纹波小于10mV，适用于光模块、FPGA、ASIC及其他需要低纹波噪声的应用。输出电压可低至0.6V进行调节。只需使用反馈电阻、输入电容和输出电容即可完成设计。恒定导通时间控制（COT）方案提供快速瞬态响应、高效率和易于实现的环路稳定性。全面的保护功能包括逐周期电流限制和热关断。MPM3822C所需的现成标准外部组件数量极少，采用超小型QFN - 18（2.5mmx3.5mmx1.6mm）封装。

1+
￥17.45
50+
￥15.7296
100+
￥14.8284
500+
￥12.1249
1000+
￥9.831
3000+
￥9.427

有货

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用于中功率开关和相位控制的高压可控硅整流器

型号：VS-50TPS12L-M3 编号：C468105

封装：TO-247AD

品牌：VISHAY(威世)

VS - 50TPS12高压系列可控硅整流器专为中功率开关和相位控制应用而设计。采用的玻璃钝化技术可确保在高达150°C的结温下可靠运行。

数据手册

1+
￥20.21
10+
￥17.35
30+
￥15.57
100+
￥13.74

有货

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控制集成电源系统（CIPos）双列直插式智能功率模块 3Φ - 桥 600V / 20A

型号：IGCM20F60GA 编号：C490788

封装：MDIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护功能。反向导通 IGBT 与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

数据手册

1+
￥81.85
10+
￥71.46
28+
￥62.91
98+
￥57.6

有货

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具备先进电流模式控制和宽温度范围的4 V至18 V输入、12 A降压电源模块

型号：TPSM843A22RDGR-ET 编号：C22428458

封装：B3QFN-25(6.5x7.5)

品牌：TI(德州仪器)

是一款高效的18V、12A同步降压模块，采用内部补偿、固定频率的先进电流模式（ACM）控制架构，始终在FCCM下运行，可产生0.5V至7V的输出电压。该模块能够在高达2.2MHz的开关频率下高效运行。采用6.5mm x 7.5mm x 4mm的包覆成型封装，适合对解决方案尺寸要求较小的设计。其他特性包括高精度电压基准、可选软启动时间、预偏置输出的单调启动、可选电流限制、通过EN引脚调节的欠压锁定（UVLO）以及全套故障保护功能。

数据手册

1+
￥132
30+
￥127.6

有货

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P沟道，-30V，-1.5A，155mΩ@-10V,-1.5A，-1.75V@250uA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESJ2303 编号：C42420763

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-1.5A 功率(Pd)：0.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：155mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.75V@250uA,-30V,-1.5A,155mΩ@10V

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882
3000+
￥0.0783
9000+
￥0.0697
21000+
￥0.0651

有货

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N沟道，30V，6.2A，17mΩ@10V,5.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESJ3404 编号：C42420784

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,30V,6.2A,16mΩ@10V

20+
￥0.2321
200+
￥0.1808
600+
￥0.1523
3000+
￥0.1352

有货

立即购买

N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMP1045U-7(ES) 编号：C42412352

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP1045U-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

有货

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带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMG3415U-7(ES) 编号：C42379950

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD保护，类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-4.9A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@-4.5V,-4.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-0.7V@250uA

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043

有货

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
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物料可追溯
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