控制模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMV250EPEAR(ES) 编号：C42412923

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

PMV250EPEAR(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.3336
100+
￥0.2616
300+
￥0.2256
3000+
￥0.1986
6000+
￥0.177
9000+
￥0.1662

有货

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型号：AON7401(ES) 编号：C53199126

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.7549
50+
￥0.6013
150+
￥0.5245
500+
￥0.4669
2500+
￥0.4208
5000+
￥0.3978

有货

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型号：AO4838(ES) 编号：C42412249

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4838(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9944
50+
￥0.8684
150+
￥0.8144
500+
￥0.747

有货

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型号：IRF7341TRPBF(ES) 编号：C53199110

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861
3000+
￥0.789

有货

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型号：ESPM3021-8/TR 编号：C42412331

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.5253
50+
￥1.1977
150+
￥1.0573
500+
￥0.8821
3000+
￥0.8041

有货

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型号：IRFR3410TRPBF(ES) 编号：C42412346

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.66
50+
￥1.45
150+
￥1.36
500+
￥1.25

有货

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型号：IKCM10H60GA 编号：C3615235

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种电源和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制三相交流电机和永磁电机，适用于高开关频率应用（约15kHz）的变速驱动器，如洗衣机，因为其关断开关损耗非常低。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

1+
￥38.12
10+
￥31.89
28+
￥28.86
98+
￥25.8

有货

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型号：NRF9160-SICA-B1A-R 编号：C1518973

封装：LGA-127(10x16)

品牌：NORDIC

特性：ARM Cortex-M33 243 EEMBC CoreMark 评分，从闪存运行。数据观察点和跟踪 (DWT)、嵌入式跟踪宏单元 (ETM) 和仪器跟踪宏单元 (ITM)。串行线调试 (SwD) 跟踪端口。 1 MB 闪存。 256 kB 低泄漏 RAM。 ARM Trustzone。应用：传感器网络。物流和资产跟踪

数据手册

1+
￥141.82
10+
￥135.25
30+
￥123.88

有货

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型号：ESNQ07R086 编号：C42412312

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESNQ07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.4087
50+
￥1.2302
150+
￥1.1537
500+
￥1.0583
2500+
￥1.0158
5000+
￥0.9903

有货

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型号：IRLR3410TRPBF(ES) 编号：C42412310

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路

5+
￥1.6426
50+
￥1.2898
150+
￥1.1386
500+
￥0.95

有货

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型号：IPT015N10N5(ES) 编号：C49108770

封装：TOLL-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，430A，1.07mΩ@10V,30A，3V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥8.43
10+
￥6.91
30+
￥6.08
100+
￥5.15

有货

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型号：R7FA4M1AB3CFM#AA0 编号：C1340737

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

高效率48-MHz Arm Cortex-M4核心，256-KB代码闪存内存，32-KB SRAM，段式LCD控制器，电容触摸感应单元，USB 2.0全速模块，14位A/D转换器，12位D/A转换器，安全和保护功能

1+
￥33.46
10+
￥28.84
30+
￥26.03
100+
￥23.67

有货

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型号：TMC5160-BOB 编号：C465957

封装：-

品牌：TRINAMIC

特性：步进控制器。电源电压：9-60V（受MOSFET限制）。相电流有效值（I_phase,RMS）高达2.8A。通过SPI进行配置和控制。可通过焊接选项选择S/D模式。可使用可选的低ESR电解电容，约150uF。板宽1.5英寸，板高1.1英寸。2x11引脚，0.1英寸引脚排用于引脚/连接器。链接到附加信息和IC数据手册。链接到评估套件

数据手册

1+
￥109.98
10+
￥107.16

有货

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型号：FZ600R17KE4 编号：C17371414

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性:扩展工作温度T(v_ijop)。低V(CEsat)。高鲁棒性。 V(CEsat)具有正温度系数。机械特性:4 kV AC 1min绝缘。 CTI > 400的封装。应用：高功率转换器。电机驱动器

1+
￥597.98
30+
￥566.8

有货

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型号：ESE3401 编号：C42420869

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

20+
￥0.2128
200+
￥0.1669
600+
￥0.1414
3000+
￥0.1261

有货

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型号：AO4407C(ES) 编号：C42412318

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7231
50+
￥0.5647
150+
￥0.4855
500+
￥0.4261

有货

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型号：ESE6050KA 编号：C42412311

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE6050KA 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603

有货

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型号：ESP10N10C 编号：C42412243

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869

有货

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型号：ESE6005AS 编号：C42420768

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA N沟道,60V,5A,30mΩ@10V

5+
￥0.9698
50+
￥0.7682
150+
￥0.6818
500+
￥0.574
3000+
￥0.526

有货

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型号：ESE01P18K 编号：C42420846

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,100V,9A,100mΩ@10V

5+
￥1.0482
50+
￥1.0252
150+
￥1.0098
500+
￥0.9944

有货

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型号：RX8130CE:BB 编号：C1542426

封装：SMD-10P

品牌：EPSON(爱普生)

内置频率调整的32.768 kHz晶体单元接口类型：PC-Bus 低备用电流：300 nA Typ./3V 自动电源切换功能：通过监控Vop电压自动切换到备用电源备用电池充电控制功能：用于可充电电池带延迟的复位功能：检测主电源并消除复位中断输出：每分钟或每秒唤醒闹钟中断：日、日期、小时、分钟、秒自动重复唤醒定时器中断自我监控中断：晶体振荡停止、VBAT低、Vop低接口类型为2C-Bus接口，快速模式400 kHz 自动电源切换功能：监控Vop电压，自动切换到备用电源，备用电源切换电压1.2V Min. 时钟输出功能：输出频率可从32.768 kHz、1024 Hz、1 Hz中选择唤醒定时器功能：可从244 μs到7.5年（16位x 1通道）中选择，定时器源时钟可从1/3600 Hz、1/60 Hz、1 Hz、64 Hz、4096 Hz中选择，定时器完成后从/IRQ引脚输出中断后自动释放，此操作以选定周期自动重复，可像看门狗定时器一样使用备用电池充电控制功能：通过检测充满电自动停止充电，在寄存器中记录检测到的备用电源电压下降带延迟的复位功能：当主电源供电时，复位输出释放，复位/释放电压由寄存器选择（2种），从备用模式释放的延迟时间为60ms Min.

数据手册

1+
￥5.64
10+
￥4.57
30+
￥4.03
100+
￥3.5
500+
￥3.03

有货

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型号：NX3008NBK,215(ES) 编号：C49108760

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，0.5A，515mΩ@4.5V,0.2A，0.7V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

50+
￥0.0459
500+
￥0.0449
3000+
￥0.0442

有货

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型号：DMG1012UW-7(ES) 编号：C42412344

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1783
200+
￥0.1405
600+
￥0.1195

有货

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型号：ESLM3400 编号：C42420776

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.0A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19.0mΩ@10V,6.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,30V,6.0A,19.0mΩ@10V

20+
￥0.1878
200+
￥0.1473
600+
￥0.1248
3000+
￥0.1113

有货

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型号：ESJL3401A 编号：C42420867

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：49mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250μA

20+
￥0.2359
200+
￥0.1879
600+
￥0.1639
3000+
￥0.1459

有货

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型号：SSM3J328R,LF(ES) 编号：C49108745

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-20V，-4.1A，26mΩ@-4.5V,-4A，-0.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

10+
￥0.2831
100+
￥0.2255
300+
￥0.1967

有货

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型号：EST03P06 编号：C42434104

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-60V，-3.1A，80mΩ@-10V,-3A，-1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.5662
50+
￥0.451
150+
￥0.3934
500+
￥0.3502

有货

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型号：AO6405(ES) 编号：C42434118

封装：SOT-23-6L

品牌：ElecSuper(静芯)

AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.6606
50+
￥0.5262
150+
￥0.459
500+
￥0.4086

有货

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型号：DMP6023LE-13(ES) 编号：C42434111

封装：SOT-223

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP6023LE - 13(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9172
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￥0.897
150+
￥0.8836
500+
￥0.8701

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型号：MAXQ610A-2541+T 编号：C31797199

封装：TQFN-32-EP(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAXQ610是一款低功耗16位MAXQ微控制器，专为低功耗应用而设计，包括通用遥控器、消费电子产品和家用电器。MAXQ610结合了强大的16位RISC微控制器和集成外设，包括两个USART和一个SPI主/从通信端口，以及具有载波频率生成和灵活端口I/O功能的红外模块，能够实现复用键盘控制。MAXQ610包含64KB闪存和2KB数据SRAM。安全MMU提供知识产权（IP）保护，支持多个应用程序权限级别，并保护代码免受复制和逆向工程。权限级别使供应商能够提供在MAXQ610上执行的库和应用程序，同时限制对仅允许其权限级别的数据和代码的访问。为了实现最终的低功耗电池供电性能，MAXQ610包含超低功耗停止模式（0.2μA，典型值）。在此模式下，供电的电路最少。唤醒源包括外部中断、掉电中断和定时器中断。该微控制器的工作电压范围为1.70V至3.6V。

1+
￥7.84
10+
￥6.33
30+
￥5.5
100+
￥4.56
500+
￥4.14
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