控制模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESLM3401 编号：C42420758

封装：SOT-23

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

20+
￥0.1452
200+
￥0.1261
600+
￥0.1155
3000+
￥0.1091
9000+
￥0.1036

有货

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型号：ESDNJ03R4 编号：C42412251

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

ESDNJ03R4是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.3259
50+
￥1.1579
150+
￥1.0859
500+
￥0.996
2500+
￥0.956

有货

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型号：IRFR3607TRPBF(ES) 编号：C42434113

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR3607TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

1+
￥1.95
10+
￥1.69
30+
￥1.59
100+
￥1.45
500+
￥1.39
1000+
￥1.35

有货

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型号：SI4101DY-T1-GE3(ES) 编号：C42444331

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-12.4A，7.5mΩ@-10V,-12A，-1.4V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥2.33
10+
￥2.03
30+
￥1.91
100+
￥1.75
500+
￥1.68
1000+
￥1.64

有货

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型号：ESD90P06DN56 编号：C42385167

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-45A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.0mΩ@-20A,-10V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@-250uA

1+
￥2.41
10+
￥2.14
30+
￥2.01
100+
￥1.87
500+
￥1.79
1000+
￥1.75

有货

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型号：IKCM15L60GA 编号：C536158

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

CIPOsM 模块系列为集成各种电源和控制组件提供了机会，可提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。该封装概念特别适用于功率应用，这类应用需要良好的热传导和电气隔离，同时还需要具备抗电磁干扰的控制和过载保护功能

数据手册

1+
￥54.65
10+
￥47.26
28+
￥40.85
98+
￥37.07

有货

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型号：LMZ23605TZX/NOPB 编号：C913851

封装：TO-PMOD-7

品牌：TI(德州仪器)

LMZ23605 具有 36V 最大输入电压的 5A SIMPLE SWITCHER® 电源模块

数据手册

1+
￥65.24
10+
￥56.33
30+
￥50.9
100+
￥46.35

有货

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型号：STM32WB5MMGH6TR 编号：C5184586

封装：LFLGA-86

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗模块 - 双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32 MHz Cortex-M0+ MCU，具有1 MB Flash存储器、蓝牙LE 5.2、802.15.4、Zigbee、Thread、USB、LCD和AES-256

数据手册

1+
￥67.07
10+
￥63.67
30+
￥57.78
100+
￥52.64

有货

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型号：MPM3683GMN-10-T 编号：C20099863

封装：LGA-29(7x7)

品牌：MPS(芯源)

MPM3683 - 10是一款易用的、完全集成的DC/DC降压电源模块，连续输出电流（IOUT）可达10A。MPM3683 - 10集成了DC/DC转换器、功率电感和无源元件。它能在较宽的输入电压（VIN）供电范围内提供IOUT，具有出色的负载和线性调节能力。恒定导通时间（COT）控制方案可提供快速瞬态响应，并简化环路稳定设计。通过MODE配置，可轻松将工作开关频率（fSW）设置为600kHz、800kHz或1000kHz。这使得MPM3683 - 10的fSW无论VIN和输出电压（VOUT）如何都能保持恒定。MPM3683 - 10具有通过电容配置软启动时间（tSS）的功能。漏极开路电源正常（PG）信号指示VOUT是否在标称电压范围内。完全集成的非锁存保护功能包括过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和过温保护（OTP）。MPM3683 - 10采用紧凑的FCM LGA - 29（7mmx7mmx4.4mm）封装。

1+
￥80.9724
50+
￥71.0574
100+
￥64.478
500+
￥58.0302
1000+
￥49.7402
3000+
￥47.6961

有货

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型号：FHT4644EY 编号：C22364115

封装：BGA-77(9x15)

品牌：FH(风华)

FHT4644是非隔离式降压型一体式塑封点电源，适用于嵌入式大电流负载点，其体积仅有9×15×4.32mm可直接放置于FPGA/CPU旁边，非常适合低输出电压、多路应用的场合。可以从 4.0V~14V 电压转换至 0.8~5.5V，提供四路 ON/OFF 控制，四路 Power Good， OCP、OVP、UVP、OTP 保护功能。

1+
￥129.447 ￥143.83
10+
￥123.903 ￥137.67
30+
￥114.3 ￥127
135+
￥105.93 ￥117.7

有货

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型号：LTM4644MPY#PBF 编号：C690566

封装：BGA-77

品牌：ADI(亚德诺)

具有可配置4A输出阵列的四通道DC/DC μModule（电源模块）稳压器

数据手册

1+
￥271.44
5+
￥248.34
30+
￥236.79

有货

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型号：FZ600R17KE4 编号：C17371414

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性:扩展工作温度T(v_ijop)。低V(CEsat)。高鲁棒性。 V(CEsat)具有正温度系数。机械特性:4 kV AC 1min绝缘。 CTI > 400的封装。应用：高功率转换器。电机驱动器

1+
￥638.49
30+
￥609.41

有货

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型号：AO6405(ES) 编号：C42434118

封装：SOT-23-6L

品牌：ElecSuper(静芯)

AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.6238
50+
￥0.4894
150+
￥0.4222
500+
￥0.3718
3000+
￥0.3315

有货

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型号：AON7403(ES) 编号：C42412244

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7208
50+
￥0.6263
150+
￥0.5858
500+
￥0.5352
2500+
￥0.5127
5000+
￥0.4992

有货

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型号：AON6204(ES) 编号：C42412241

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6204(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378
5000+
￥0.5243

有货

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型号：AO4409A(ES) 编号：C42412351

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4409A(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4409A(ES)为无铅产品

5+
￥0.8248
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￥0.652
150+
￥0.5656
500+
￥0.5008
2500+
￥0.449
4000+
￥0.423

有货

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型号：AONR21321(ES) 编号：C42412347

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9387
50+
￥0.7371
150+
￥0.6507
500+
￥0.5429
2500+
￥0.4949
5000+
￥0.466

有货

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型号：AC6966B4 编号：C22440776

封装：QFN-32(4x4)

品牌：JL(杰理)

特性：32位DSP，支持硬件浮点单元（FPU）。高达160MHz可编程处理器。 64向量中断。 4级中断优先级。应用：蓝牙耳机。蓝牙音箱

1+
￥4.07
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￥3.34
30+
￥2.97
100+
￥2.61
500+
￥2.39
1000+
￥2.27

有货

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型号：HX11024-Q 编号：C49181126

封装：LGA-16(2x2)

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

专为多模宽带蜂窝应用设计，支持GSM、WCDMA、LTE和5G NR，频率范围为100MHz至5.0GHz。优化了射频性能，实现低插入损耗和最小谐波，满足所有LTE标准的严格要求。只要没有直流电压施加到任何射频路径，就不需要外部隔直电容。在单个SOI芯片上集成了DP4T开关和RFFE串行控制器

1+
￥5.67 ￥6.3
10+
￥4.599 ￥5.11
30+
￥4.068 ￥4.52
100+
￥3.537 ￥3.93
500+
￥3.213 ￥3.57
1000+
￥3.051 ￥3.39

有货

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型号：R7FA4M1AB3CFM#AA0 编号：C1340737

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

高效率48-MHz Arm Cortex-M4核心，256-KB代码闪存内存，32-KB SRAM，段式LCD控制器，电容触摸感应单元，USB 2.0全速模块，14位A/D转换器，12位D/A转换器，安全和保护功能

1+
￥32.49
10+
￥27.86
30+
￥25.1
100+
￥22.32

有货

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型号：ESE3401 编号：C42420869

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

20+
￥0.2077
200+
￥0.1618
600+
￥0.1363
3000+
￥0.121

有货

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型号：AON7466(ES) 编号：C42412303

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378

有货

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型号：AON7401(ES) 编号：C53199126

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.7549
50+
￥0.6013
150+
￥0.5245
500+
￥0.4669
2500+
￥0.4208

有货

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型号：ESD3066DN33 编号：C42385166

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.0mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA

5+
￥0.7787
50+
￥0.6737
150+
￥0.6287
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￥0.5725
2500+
￥0.5475
5000+
￥0.5325

有货

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型号：AO4838(ES) 编号：C42412249

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4838(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9944
50+
￥0.8684
150+
￥0.8144
500+
￥0.747

有货

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型号：ESE4060K 编号：C42420753

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：64W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,40V,80A,4.2mΩ@10V

5+
￥1.1733
50+
￥0.9213
150+
￥0.8133
500+
￥0.6786
2500+
￥0.6186
5000+
￥0.5825

有货

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型号：NTMFS5C670NLT1G(ES) 编号：C42434112

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

NTMFS5C670NLT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.2888
50+
￥1.1208
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￥1.0488
500+
￥0.959
2500+
￥0.919
5000+
￥0.895

有货

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型号：IRF7341TRPBF(ES) 编号：C53199110

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861
3000+
￥0.789

有货

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型号：ESPM3021-8/TR 编号：C42412331

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.5253
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￥1.1977
150+
￥1.0573
500+
￥0.8821
3000+
￥0.8041

有货

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型号：IRLR3410TRPBF(ES) 编号：C42412310

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路

5+
￥1.5745
50+
￥1.2217
150+
￥1.0705
500+
￥0.8819

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