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    ¥51.87
  • 订货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 150 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥72.93
    • 10+

      ¥70.58
  • 订货
  • 特性:高速H3技术提供:硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat中的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用:工业UPS。充电器
    • 240+

      ¥21.45
    • 960+

      ¥20.865
    N沟道,Vces=500V,Ic=28A
    数据手册
    • 1+

      ¥787.497
    • 10+

      ¥753.258
    • 50+

      ¥739.5624
    特性:VCE = 1200 V。 IC = 120 A。 最高结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25℃时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥90.47
    • 10+

      ¥85.91
    • 30+

      ¥78.01
    • 90+

      ¥71.12
  • 订货
  • N沟道,双极晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥656.2475
    • 10+

      ¥627.715
    • 50+

      ¥616.302
    • 1+

      ¥91.81
    • 10+

      ¥87.6
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      ¥80.3
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      ¥73.93
  • 订货
  • FGY140T120SWD采用新型场截止第七代IGBT技术和Gen7二极管,采用TO247三引脚封装,具备低开关损耗和低传导损耗的卓越性能,可在太阳能、UPS和ESS等各种应用中实现高效运行。
    • 1+

      ¥93.15
    • 10+

      ¥88.58
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    • 90+

      ¥73.79
  • 订货
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      ¥117.05
    • 10+

      ¥111.67
    • 30+

      ¥102.37
    • 90+

      ¥94.25
  • 订货
    • 1+

      ¥117.14
    • 10+

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  • 订货
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    • 10+

      ¥122.43
    • 30+

      ¥112.23
    • 100+

      ¥103.33
  • 订货
  • 安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥150.36
    • 30+

      ¥143.16
  • 订货
  • IGBT模块
    数据手册
    • 1+

      ¥202.09
    • 5+

      ¥181.54
    • 24+

      ¥161.01
  • 订货
    • 1+

      ¥252.45
    • 10+

      ¥244.29
  • 订货
  • 特性:低 VcEsat。 Trenchstop™ IGBT7。 高达 175℃ 的过载运行。 2.5 kV 交流 1 分钟绝缘。 Al₂O₃ 低热阻基板。 高功率密度。应用:辅助逆变器。 空调
    数据手册
    • 1+

      ¥315.6
    • 24+

      ¥301.08
  • 订货
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      ¥200.76
    • 1000+

      ¥197.14
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    • 200+

      ¥240.06
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      ¥231.62
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