STM32F412ZGT6

STM32F412xE/G器件基于高性能的Arm®Cortex®-M4 32位RISC内核，工作频率高达100 MHz。其Cortex®-M4内核具有单精度浮点运算单元(FPU)，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了全套DSP指令和内存保护单元(MPU)，从而提高了应用的安全性。

STM32F412xE/G器件属于STM32 Dynamic Efficiency™产品线（产品集功效、性能和集成度于一身），同时增加了一项名为批量采集模式(BAM)的创新功能，可在数据批处理期间节省更多功耗。

STM32F412xE/G器件集成了高速嵌入式存储器（高达1 Mbyte的闪存和256 Kbytes的SRAM），以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的各种增强型I/O和外设。

所有器件均提供一个12位ADC、一个低功耗RTC、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。

它们还具有标准和高级通信接口：

多达4个I2C，包括一个支持快速模式增强的I2C

5个SPI

5个I2S，其中两个为全双工。为达到音频级精度，I2S外围设备可通过专用的内部音频PLL或外部时钟进行同步。

4个USART

一个SDIO/MMC接口

一个USB 2.0 OTG全速接口

2个CAN

此外，STM32F412xE/G器件还嵌入了高级外设：

灵活的静态存储器控制器接口（FSMC）

一个Quad-SPI存储器接口

Σ调制器数字滤波器(DFSDM)、两个滤波器、多达四个输入以及麦克风MEM支持。

STM32F412xE/G器件采用7种封装，引脚数量从48个到144个不等。可用的外设取决于所选的封装。

STM32F412xE/G的工作温度范围为-40至+125°C，电源电压为1.7 V（PDR关闭）至3.6 V。全面的省电模式允许设计低功耗应用。