MMBT5551LT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类三极管
- 中文描述单晶体管，双极，通用，NPN，160 V，225 mW，600 mA，80 hFE
- 英文描述Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册MMBT5551LT1G数据手册Datasheet PDF
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MMBT5551LT1G概述
MMBT5551LT1G是一款NPN硅高压晶体管，设计用于独特的场地与控制变化要求。该晶体管符合PPAP，并符合AEC-Q101要求。
无卤素
带S或NSV前缀的制造商部件号具有汽车资格。
应用
车用，工业
无卤素
带S或NSV前缀的制造商部件号具有汽车资格。
应用
车用，工业
MMBT5551LT1G中文参数
| 晶体管类型 | NPN | 最大发射极-基极电压 | 6 V |
| 最大直流集电极电流 | 600 mA | 引脚数目 | 3 |
| 最大集电极-发射极电压 | 160 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 300 mW | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.2 V |
| 晶体管配置 | 单 | 最大基极-发射极饱和电压 | 1 V |
| 最大集电极-基极电压 | 180 V | 尺寸 | 0.94 x 2.9 x 1.3mm |
MMBT5551LT1G引脚图
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