MJL21193G
- 厂商名称onsemi
- 元件分类三极管
- 中文描述单晶体管，双极，音频，PNP，250 V，16 A，200 W，TO-264，通孔
- 英文描述TRANSISTOR，PNP，TO-264
- 数据手册MJL21193G数据手册Datasheet PDF
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MJL21193G概述
MJL21193G是一款PNP双极互补型音频功率晶体管，采用了穿孔发射器技术。专门设计用于高功率音频输出、盘头定位器和其他线性应用。
作为MJL21194G的补充
卓越的增益线性度
总谐波失真特性
准确再现输入信号
更高功率下的可靠性能
应用
音频，消费电子产品，信号处理
作为MJL21194G的补充
卓越的增益线性度
总谐波失真特性
准确再现输入信号
更高功率下的可靠性能
应用
音频，消费电子产品，信号处理
MJL21193G中文参数
制造商:onsemi
产品种类:双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-264-3
晶体管极性:PNP
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:250 V
集电极—基极电压VCBO:400 V
发射极-基极电压VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:1.4 V
最大直流电集电极电流:16 A
Pd-功率耗散:200 W
增益带宽产品fT:4 MHz
最小工作温度:-65 C
最大工作温度:+150 C
系列:MJL21193
封装:Tube
商标:onsemi
集电极连续电流:16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:25
产品种类:双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-264-3
晶体管极性:PNP
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:250 V
集电极—基极电压VCBO:400 V
发射极-基极电压VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:1.4 V
最大直流电集电极电流:16 A
Pd-功率耗散:200 W
增益带宽产品fT:4 MHz
最小工作温度:-65 C
最大工作温度:+150 C
系列:MJL21193
封装:Tube
商标:onsemi
集电极连续电流:16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:25
MJL21193G引脚图
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