SI8233BD-D-ISR
- 厂商名称Silicon Labs
- 元件分类数字隔离器
- 中文描述数字隔离器, 2通道, 30 ns, 4.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 引脚
- 英文描述MOSFET DRIVER，-40 TO 125DEG C
- 数据手册SI8233BD-D-ISR数据手册Datasheet PDF
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SI8233BD-D-ISR概述
Si823x系列隔离式驱动器具有两个独立的隔离驱动器.最大供电电压为24V.Si823x驱动器采用Silicon Labs的硅隔离技术，可提供高达5kVRMS的耐受电压(符合UL1577)，与60ns快速传播时间.驱动器输出可以接地至相同或不同的地线，或连接至正或负电压.高度集成，低传播延迟，小尺寸安装，优秀的灵活性与性价比，使该产品成为隔离MOSFET/IGBT栅极驱动应用的理想选择.可选TTL电平兼容输入，>400mV迟滞.
高电磁抗扰度(EMI)
重叠保护与可编程死区时间
高达5kVRMS输入至输出隔离
峰值驱动器至驱动器差分电压高达1500VDC
开关频率高达8MHz
>45kV/?s瞬态抗扰度
应用
电机驱动与控制，照明，电源管理，工业
高电磁抗扰度(EMI)
重叠保护与可编程死区时间
高达5kVRMS输入至输出隔离
峰值驱动器至驱动器差分电压高达1500VDC
开关频率高达8MHz
>45kV/?s瞬态抗扰度
应用
电机驱动与控制，照明，电源管理，工业
SI8233BD-D-ISR中文参数
制造商:Skyworks
产品种类:门驱动器
产品:Isolated Gate Drivers
类型:High-Side，Low-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-16
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:4 A
电源电压-最小:4.5 V
电源电压-最大:5.5 V
上升时间:12 ns
下降时间:12 ns
最小工作温度:-40 C
最大工作温度:+125 C
系列:Si823x
资格:AEC-Q100
封装:Tube
商标:Skyworks Solutions，Inc.
绝缘电压:5000 Vrms
最大关闭延迟时间:60 ns
最大开启延迟时间:60 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:3.5 mA
工作电源电压:9.4 V to 24 V
Pd-功率耗散:1.2 W
产品类型:Gate Drivers
传播延迟—最大值:60 ns，60 ns
产品种类:门驱动器
产品:Isolated Gate Drivers
类型:High-Side，Low-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-16
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:4 A
电源电压-最小:4.5 V
电源电压-最大:5.5 V
上升时间:12 ns
下降时间:12 ns
最小工作温度:-40 C
最大工作温度:+125 C
系列:Si823x
资格:AEC-Q100
封装:Tube
商标:Skyworks Solutions，Inc.
绝缘电压:5000 Vrms
最大关闭延迟时间:60 ns
最大开启延迟时间:60 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:3.5 mA
工作电源电压:9.4 V to 24 V
Pd-功率耗散:1.2 W
产品类型:Gate Drivers
传播延迟—最大值:60 ns，60 ns
SI8233BD-D-ISR引脚图
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