IRF3710STRLPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，100V，57A，0.023ohm，TO-263(D2PAK)，表面安装
- 英文描述Power Field-Effect Transistor，57A I(D)，100V，0.023ohm，1-Element，N-Channel，Silicon，Metal-oxide Semiconductor FET，TO-263AB，LEAD FREE，PLASTIC，D2PAK-3
- 数据手册IRF3710STRLPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF3710STRLPBF概述
IRF3710STRLPBF采用先进Advanced工艺技术，可在每硅片面积实现极低的导通电阻。它适用于高电流应用、因为其内部连接电阻低、在典型表面安装应用中可耗散高达2.0w。
优势
用于宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
硅针对开关低于<100kHz的应用进行了优化
行业标准的表面贴装电源封装
高载流能力封装（高达195 A，取决于芯片尺寸）
可波峰焊
优势
用于宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
硅针对开关低于<100kHz的应用进行了优化
行业标准的表面贴装电源封装
高载流能力封装（高达195 A，取决于芯片尺寸）
可波峰焊
IRF3710STRLPBF中文参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:57 A
Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:130 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:200 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:47 ns
正向跨导-最小值:32 S
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:58 ns
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:45 ns
典型接通延迟时间:12 ns
宽度:6.22 mm
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:57 A
Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:130 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:200 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:47 ns
正向跨导-最小值:32 S
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:58 ns
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:45 ns
典型接通延迟时间:12 ns
宽度:6.22 mm
IRF3710STRLPBF引脚图
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