
L6398DTR
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类栅极驱动芯片
- 中文描述栅极驱动器, 2 放大器, 高压侧和低压侧, IGBT, MOSFET, 8 引脚, SOIC
- 英文描述High voltage high and low-side driver
- 数据手册L6398DTR数据手册Datasheet PDF
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L6398DTR概述
L6398DTR是一款高压高低压侧驱动器。它采用BCD™离线技术制造。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高压侧(浮动)部分可承受高达600V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容,低至3.3V,便于连接微控制器/DSP。该驱动器非常适合家电、工厂自动化、工业驱动器和风扇等应用的电机驱动器。
全温度范围内dV/dt抗扰度为±50V/ns
驱动器电流能力:源极290mA,汇极430mA
开关时间为75/35ns上升/下降,负载为1nF
集成自举二极管,外壳样式为SO-8
固定320ns死区时间
联锁功能
布局紧凑、简化
减少材料清单
设计灵活、简便、快速
电源电压为10V至20V,结温为-40°C至+125°C
全温度范围内dV/dt抗扰度为±50V/ns
驱动器电流能力:源极290mA,汇极430mA
开关时间为75/35ns上升/下降,负载为1nF
集成自举二极管,外壳样式为SO-8
固定320ns死区时间
联锁功能
布局紧凑、简化
减少材料清单
设计灵活、简便、快速
电源电压为10V至20V,结温为-40°C至+125°C
L6398DTR中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:栅极驱动器
产品:Half-Bridge Drivers
类型:High-Side,Low-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:430 mA
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
上升时间:75 ns
下降时间:35 ns
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
系列:L6398
最大关闭延迟时间:200 ns
最大开启延迟时间:200 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:90 uA
输出电压:-11 V to 580 V
Pd-功率耗散:800 mW
产品种类:栅极驱动器
产品:Half-Bridge Drivers
类型:High-Side,Low-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:430 mA
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
上升时间:75 ns
下降时间:35 ns
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
系列:L6398
最大关闭延迟时间:200 ns
最大开启延迟时间:200 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:90 uA
输出电压:-11 V to 580 V
Pd-功率耗散:800 mW
L6398DTR引脚图

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