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L6398DTR

L6398DTR

  • 厂商名称意法半导体
  • 元件分类栅极驱动芯片
  • 中文描述栅极驱动器, 2 放大器, 高压侧和低压侧, IGBT, MOSFET, 8 引脚, SOIC
  • 英文描述High voltage high and low-side driver
  • 数据手册L6398DTR数据手册Datasheet PDF
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L6398DTR概述

L6398DTR是一款高压高低压侧驱动器。它采用BCD™离线技术制造。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高压侧(浮动)部分可承受高达600V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容,低至3.3V,便于连接微控制器/DSP。该驱动器非常适合家电、工厂自动化、工业驱动器和风扇等应用的电机驱动器。

全温度范围内dV/dt抗扰度为±50V/ns

驱动器电流能力:源极290mA,汇极430mA

开关时间为75/35ns上升/下降,负载为1nF

集成自举二极管,外壳样式为SO-8

固定320ns死区时间

联锁功能

布局紧凑、简化

减少材料清单

设计灵活、简便、快速

电源电压为10V至20V,结温为-40°C至+125°C

L6398DTR中文参数

制造商:STMicroelectronics

产品种类:栅极驱动器

产品:Half-Bridge Drivers

类型:High-Side,Low-Side

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOIC-8

激励器数量:2 Driver

输出端数量:2 Output

输出电流:430 mA

电源电压-最小:10 V

电源电压-最大:20 V

上升时间:75 ns

下降时间:35 ns

最小工作温度:-40℃

最大工作温度:+125℃

系列:L6398

最大关闭延迟时间:200 ns

最大开启延迟时间:200 ns

湿度敏感性:Yes

工作电源电流:90 uA

输出电压:-11 V to 580 V

Pd-功率耗散:800 mW

L6398DTR引脚图

L6398DTR引脚图和PCB焊盘图

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