T1635T-6I
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装
- 英文描述N-channel 600 V,1.06 Ohm typ.,4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
- 数据手册T1635T-6I数据手册Datasheet PDF
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T1635T-6I概述
T1635T-6I中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
REACH-SVHC:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:D2PAK-3(TO-263-3)
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:4.5 A
Rds On-漏源导通电阻:1.06 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-25 V,+25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:8 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:60 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:22.5 ns
产品类型:MOSFETs
上升时间:7.4 ns
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:24 ns
典型接通延迟时间:9.5 ns
产品种类:MOSFET
REACH-SVHC:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:D2PAK-3(TO-263-3)
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:4.5 A
Rds On-漏源导通电阻:1.06 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-25 V,+25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:8 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:60 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:22.5 ns
产品类型:MOSFETs
上升时间:7.4 ns
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:24 ns
典型接通延迟时间:9.5 ns
T1635T-6I引脚图
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