IRF540NSTRLPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N沟道,100 V,33 A,0.044 ohm,TO-263(D2PAK),表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab)D2PAK T/R
- 数据手册IRF540NSTRLPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF540NSTRLPBF概述
IRF540NSTRLPBF是一款HEXFET®单N沟道功率MOSFET，利用先进的处理技术实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势与快速的开关速度和坚固耐用的设备设计相结合，为各种应用提供了极其高效和可靠的操作。表面贴装功率封装能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。它适用于高电流应用，因为其内部连接电阻低，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2W的功率。
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dV/dt额定值
快速切换
完全雪崩等级
应用
电源管理
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dV/dt额定值
快速切换
完全雪崩等级
应用
电源管理
IRF540NSTRLPBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 100 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | 晶体管材料 | Si |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数目 | 3 | 系列 | HEXFET |
| 最大漏源电阻值 | 44 mΩ | 宽度 | 9.65mm |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 4.83mm |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC @ 10 V |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 长度 | 10.67mm |
| 最大功率耗散 | 130 W | 最高工作温度 | +175 °C |
IRF540NSTRLPBF引脚图
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