AO4441

厂商名称AOS
元件分类MOS管
中文描述<div class="result-frame svelte-1ahuwtk" style="color:#292C32;font-family:"Open Sans", sans-serif;font-size:14px;background-color:#FFFFFF;"> 小信号场效应晶体管，P通道，金属氧化物半导体场效应晶体管。<br /> </div> <div class="dl-toolbar svelte-e8s2f1" style="color:#292C32;font-family:"Open Sans", sans-serif;font-size:14px;background-color:#FFFFFF;"> <div class="dl-link-container"> </div> </div>
英文描述<span>Small Signal Field-Effect Transistor，P-Channel，Metal-oxide Semiconductor FET，</span>
数据手册AO4441数据手册Datasheet PDF
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AO4441概述

AO4441采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和超低的低栅极电荷。

优秀的RDS(ON)，以及超低的低栅极电荷。

该器件适合用作负载开关或在PWM应用中使用。

类型：P沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：4A

功率(Pd)：3.1W

导通电阻(RDS(on) Vgs，Id)：100mΩ 10V，4A

阈值电压(Vgs(th) Id)：3V 250uA

P沟道，-60V，-4A，100mΩ -10V

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