2N7002
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，115 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册2N7002数据手册Datasheet PDF
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2N7002概述
2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度，DMOS技术生产.该产品最大限度地降低了导通电阻，同时提供耐用，可靠与快速的开关性能.可用于大多数需要高达400mA DC的应用，并可提供高达2A的脉冲电流.适用于低电压，低电流应用，如小型伺服电机控制或功率MOSFET门驱动器.
高密电池设计，用于极低RDS(ON)
高饱和电流能力
电压控制小信号开关
坚固可靠
应用
电源管理，电机驱动与控制，音频
高密电池设计，用于极低RDS(ON)
高饱和电流能力
电压控制小信号开关
坚固可靠
应用
电源管理，电机驱动与控制，音频
2N7002中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 高度 | 0.93mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数目 | 3 | 晶体管材料 | Si |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 Ω | 宽度 | 1.3mm |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 2.92mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
2N7002引脚图
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