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ARK(方舟微)低压低电阻双芯PMOS:AKF20P45D

2026-07-10 17:30:12阅读量:1600

一、AKF20P45D产品简介

AKF20P45D 是AKR(方舟微)推出的一款20V 双芯片P沟道 MOSFET,采用DFN-6(2x2)的封装,具有低导通电阻和非常紧凑的尺寸(典型值为35mΩ @ VGS=-4.5V)。适用于手持设备的充电管理、负载开关及DC-DC转换器,支持低电压栅极驱动(-1.5V即可导通)。‌


 

二、AKF20P45D的产品特性

产品类型:增强型双芯片P沟道 MOSFET。

低导通电阻:在栅极电压-4.5V、-2.5V、-1.8V和-1.5V下分别为35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ

功耗:最大功率耗散7.8W。

紧凑的封装设计:采用DFN-6(2x2)封装,节省空间。

图1  AKF20P45D(DFN-6(2x2)封装)


 

三、应用领域

DC/DC转换器

充电管理

负载开关


 

四、AKF20P45D的典型应用方案

1、电源控制开关

PMOS作为负载开关,用于精确控制通向特定电路模块或负载的电源。如图2为PMOS应用于负载开关的典型应用拓扑,其通过控制栅极电压实现负载的通断。

当控制信号为高电平时,三极管Q2导通,电阻R2相当于直接与地相连。由于R1和R2串联分压,MOS管Q1的VGS= - Vin*R1/(R 1+R2),若|VGS|>|VTH|, 则PMO管Q1导通。当控制信号为低电平时,三极管Q2截止,R2下端相当于悬空,PMOS管栅极电压与Vin相等,即VGS=0,PMOS管Q1处于截止状态,切断电源。

ARK(方舟微)推出的双芯PMOS产品AKF20P45D,其具有耐压20V、低电阻(35mΩ)、DFN-6(2x2)封装等特点,可直接应用于多路负载的电源控制,可节省PCB占用面积。

图2 PMOS应用于电源负载开关的典型拓扑

 

2、电池保护的应用

在锂电池保护电路中,PMOS可作为高边开关,PMOS源直接与电池正极相连,实现过充、过放、过流等保护保护功能。其电路保护方案如图3所示,两个PMOS的漏极相连,分别控制充电与放电回路。电池保护芯片通过监测电池的电压、电流,在发生过充、过放、短路或过流时,迅速关闭相应的MOSFET,切断电路。

ARK(方舟微)的AKF20P45D产品,耐压20V,电阻35mΩ,非常适合2节或3节串联锂电池保护;其内部含双芯PMOS,封装形式为DFN-6(2x2),其封装紧凑,占板面积小,可节约PCB占用面积。

图3 AKF20P45D在电池保护中的典型应用方案

 

五、ARK(方舟微)更多PMOS选型

PartNumber BVDSX VGS(th) IDSS RDS(on) Remark
FTZ30P35GFTX30P35G -350V -1V~-3V -200mA 30Ω P型
FTF30P35D -350V -1V~-3V -200mA 30Ω P+P双管
FTD03P20G -200V -1.4V~-2.4V -2A P型
FTE02P15GFTP02P15G -150V -1.8~-4V -2.3A-15A 0.2Ω P型
FTZ50P01G5 -20V -4.38V -280mA 5.2Ω P型

 


 

【购买指引】

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