据路透社报道，SK海力士已向主要客户交付最新一代高带宽内存HBM4E样品。
HBM4E采用12层堆叠结构，单颗容量高达48GB，每引脚传输速度最高可达16Gbps，能效相比上一代产品提升20%以上。
HBM是AI芯片中最关键的存储组件之一，主要用于AI训练、推理和高性能计算场景。它可以帮助GPU、AI加速器等处理器快速读取和处理海量数据，是英伟达、AMD等AI芯片平台不可或缺的一部分。
目前，SK海力士是英伟达主要HBM供应商之一，而三星、美光也正在加速争夺下一代HBM市场份额。
图源：SK海力士
HBM4E的重要性在于，它将直接服务于下一代AI数据中心。未来，NVIDIA Rubin系列、AMD Instinct后续平台等AI芯片，都将对更高带宽、更大容量、更低功耗的HBM提出更高要求。
在技术上，SK海力士此次HBM4E采用了先进的MR-MUF封装工艺，在12层堆叠结构中实现48GB容量，同时确保堆叠结构稳定。
尤其值得注意的是，和上一代HBM4相比，SK海力士将耐热性提升了约17%，让内存芯片在高性能计算环境下也能更稳定运行。
因为HBM不是单颗芯片平铺，而是多颗DRAM芯片垂直堆叠。层数越高，容量越大，带宽越高，但散热压力也越明显。
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除了封装和散热，SK海力士还通过新的接口和设计优化，降低数据传输延迟，并在高带宽环境下保持稳定运行。
这意味着客户在AI数据中心和大规模计算系统中，可以进一步提高数据处理效率。
消息数据来源：SK海力士、路透社
