8月7日消息，随着AI服务器、HBM、高性能计算和边缘AI持续拉动存储需求，多家存储厂商正在加速扩产。
其中，动作最大的是SK海力士。
SK海力士表示，为应对AI时代日益增长的存储需求，公司决定在龙仁和清州新建晶圆厂，总额约54万亿韩元（约合2571亿人民币），其中35.2万亿韩元用于龙仁“Y2”晶圆厂，19.1万亿韩元用于清州“M17”晶圆厂。
Y2是龙仁半导体集群规划建设的四座晶圆厂中的第二座，将作为DRAM生产基地，重点生产HBM以及其他下一代DRAM产品。该项目计划于明年7月动工，目标是在2029年6月启用首个洁净室。
M17主要是NAND Flash生产基地，计划于明年2月动工，并于2028年12月启用首个洁净室。
图源：SK海力士
中国台湾地区DRAM厂商南亚科也开始大规模投资。
南亚科宣布，将从2026年至2029年，启动5A新厂长期投资计划，资本支出上限达到3466亿新台币（约合725亿人民币）。
这是南亚科历史上最大规模投资，也是中国台湾地区DRAM行业近20年来最大单一投资案之一。
南亚科5A新厂将分阶段建设，并导入1B、1C、1D、1E等先进10nm级DRAM制程，同时规划引入EUV极紫外光刻设备，作为下一代DRAM工艺的重要生产基地。
按照规划，5A新厂将在2027年下半年开始投片，2028年月产能达到3万片晶圆，2029年提升至3.59万片晶圆。未来如果市场需求继续增长，最大规划月产能可提升至4.5万片晶圆。
图源：trendforce
另一家是华邦电。
华邦电董事会也正式拍板，启动高雄第二座“双子星”12英寸晶圆厂P2建设计划。
该项目预计2027年1月动工，2029年初开始装机，2029年第四季度量产，并将导入EUV光刻设备，布局14nm、12nm等下一代DRAM制程。
华邦电总经理陈沛铭表示，高雄第一厂完成扩产后，今年底月产能将从目前约1.5万片提升至2.4万片，但仍无法满足客户需求，因此公司决定启动第二座12英寸厂建设。
高雄第二厂洁净室面积约3万平方米，约为第一厂的两倍，未来可容纳约5万至6万片月产能。不过，设备会根据市场需求分阶段导入，不会一次到位，以保留未来制程升级和产品弹性。
据公司透露，目前已有不少客户希望提前预订高雄P2厂未来产能，不仅希望签订至2028年的长期合约，也在洽谈2029年甚至2030年以后的供货安排。
图源：trendforce
Omdia近期也上调了半导体市场预测，认为DRAM和NAND将在AI需求和供应紧张推动下继续成为半导体收入增长的核心。
Omdia数据显示，2026年存储芯片收入预计将占全球半导体收入超过一半。
消息数据来源：朝鲜日报、工商时报、SK海力士
