据《经济日报》报道，英特尔和联电将进行世纪大合作，联手抢占AI市场。
报道称，英特尔计划将其原本独家用于下一代埃米级制程及先进封装的关键技术—Super MIM 电容，授权给联电使用。
英特尔正规划优先将Super MIM电容技术向下导入与联电既有合作的12nm/14nm制程平台，并延伸至先进封装相关应用。
知情人士透露，联电内部已成立专门团队推进该合作项目，而英特尔方面则对此消息保持不予置评的态度。
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Super MIM 电容是英特尔进军埃米级制程的关键技术，该技术采用铁电铪锆氧化物（HZO）、氧化钛（TiO）、钛酸锶（STO）等材料堆叠设计，兼容既有后段制程（BEOL）的前提下，大幅提升单位面积的电容密度，同时显著降低漏电水准。
可以解决先进制程下电源噪声与瞬时功率波动问题，是英特尔迈入下世代制程节点的秘密武器。
随着晶体管尺寸的不断缩小，芯片在高负载计算期间会面临瞬时电流需求的急剧峰值。传统的去耦电容受限于有限的电容密度或过大的漏电流，越来越难以支持埃级芯片的稳定运行。
而该技术可以在晶圆内部即时提供瞬间电流支援、抑制电压下陷与电源杂讯，也是18A制程顺良量产的关键电力基础模组之一。
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如果联电能够顺利获得相关授权并成功导入Super MIM 电容，其先进电源模块能力，将有助于联电切入人工智能加速器、高性能计算以及先进封装电源层等高附加值应用领域。
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