常见电子元器件的性能指标，我们通常要关注 电气特性（电压、电流、功率、频率）、精度与稳定性、封装尺寸以及可靠性。在元器件选型时，需根据 应用场景（消费类、工业级、汽车级、军工级）综合权衡 性能、成本、供应商稳定性。下面我们列下阻容感，二/三极管、MOSFET，集成电路IC和接口芯片的性能指示要关注哪些？
1. 电阻器（Resistor）
阻值范围：Ω ～ MΩ
精度（容差）：±1%、±5%、±10%
功率额定值：1/16W、1/8W、1/4W、1/2W、1W+
温度系数（TCR）：±50 ppm/℃ ~ ±500 ppm/℃
封装：0603、0805、1206、轴向插件等
- 2. 电容器（Capacitor）
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电容量：pF ～ mF
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额定电压：6.3V、16V、25V、50V、100V+
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介质材质：C0G、X7R、Y5V、电解、钽、固态
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等效串联电阻（ESR）：低 ESR 适用于电源滤波
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耐温范围：-40℃ ～ +125℃（部分高可靠 >150℃）
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寿命指标：尤其电解电容，通常 2000h@105℃
- 3. 电感器（Inductor）
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电感量：nH ～ mH
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额定电流：0.1A ～ 数十 A
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直流电阻（DCR）：影响效率
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饱和电流：超过后电感量下降
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Q 值：品质因数，影响高频性能
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封装：贴片电感、插件电感、功率电感
- 4. 二极管（Diode）
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反向耐压（VRRM）：几十伏 ~ 上千伏
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正向电流（IF）：mA ～ 数十 A
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反向漏电流（IR）：nA ～ μA
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正向压降（VF）：普通硅管 ~0.7V，肖特基 ~0.2-0.4V
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反向恢复时间（trr）：快恢复/超快恢复 <35ns
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封装：SMA、SMB、TO-220 等
- 5. 三极管（BJT）
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集电极电流（IC）：mA ～ 数 A
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击穿电压（VCEO）：几十 V ～ 上百 V
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放大倍数（hFE / β）：几十 ～ 数百
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功率耗散（Pd）：小功率、中功率、大功率
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封装：SOT-23、TO-92、TO-220
- 6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
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漏源电压（VDS）：20V ～ 1000V
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连续漏极电流（ID）：几 A ～ 上百 A
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导通电阻（Rds(on)）：低至 mΩ 级
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栅极电荷（Qg）：影响开关速度
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阈值电压（Vth）：1V ～ 4V
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封装：SOT-223、TO-220、DFN、QFN
- 7. 集成电路（IC）
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工作电压：1.2V、1.8V、3.3V、5V、12V
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工作频率：几十 MHz ～ 数 GHz
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功耗：mW ～ W 级
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封装类型：DIP、QFP、QFN、BGA、CSP
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功能类别：运放、逻辑器件、MCU、FPGA、SoC
- 8. 接口芯片（如 USB 转串口、驱动 IC）
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通信速率：bps ～ Mbps / Gbps
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支持协议：UART、I2C、SPI、CAN、USB、Ethernet
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电源电压：3.3V / 5V
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静电防护等级（ESD）：2kV ～ 15kV
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兼容性：是否兼容主流标准协议和驱动
