IRFB4610是Infineon英飞凌推出的一款N沟道功率MOSFET，专为高效开关电源（SMPS）、电机驱动、电源管理和高频DC-DC转换器设计。其特点是超低Rds(on)、大电流承载能力和快切换特性，适用于高性能功率变换和低损耗应用。
商品特性
- 超低导通电阻：典型值13.7 mΩ（Vgs=10V）
- 高电流能力：持续漏极电流可达130 A
- 高耐压：Vds最大200 V，适合中高压应用
- 高能量吸收能力：优异的雪崩能量能力(UIS test)
- 快速切换性能：适合高频开关应用
- 逻辑电平栅极驱动：兼容10V驱动，易与常见PWM控制器配合
- 封装：TO-220，散热能力强
商品应用
- 开关电源(SMPS)主开关或整流
- 电机驱动与电动工具
- DC-DC转换器
- 不间断电源（UPS）、逆变器
- 汽车电源系统中的高效功率开关
商品参数
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参数名称 |
参数值 |
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类型 |
N 沟道功率 MOSFET |
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漏极-源极电压 Vds |
200 V |
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漏极连续电流 Id |
130 A |
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漏极功耗 Pd |
300 W (@ Tc=25°C) |
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栅极阈值电压 Vgs(th) |
2.0 ～ 4.0 V |
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栅极电压 Vgs(max) |
±20 V |
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导通电阻 Rds(on) |
13.7 mΩ (@ Vgs=10V, Id=70A) |
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总栅电荷 Qg |
260 nC (典型) |
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反向恢复电荷 Qrr |
880 nC |
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封装 |
TO-220 |
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工作温度范围 |
-55 ℃ ～ +175 ℃ |
替代推荐
根据IRFB4610的核心参数Vds、Id、Rds(on)、Qg ，列出以下可替代产品，在实际的替换中根据应用来挑选最合适的方案。
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型号 |
Vds (最大) |
Id (25°C) |
Rds(on) (典型) |
Pd (25°C) |
Qg (典型) |
封装 |
备注 |
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200 V |
130 A |
13.7 mΩ |
300 W |
260 nC |
TO-220 |
原型号，性能均衡 |
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200 V |
120 A |
11 mΩ |
520 W |
350 nC |
TO-247 |
更大功率，低阻抗 |
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200 V |
120 A |
15 mΩ |
500 W |
280 nC |
TO-247 |
适合高功率应用 |
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200 V |
100 A |
12 mΩ |
300 W |
220 nC |
TO-220 |
高频应用优选 |
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250 V |
120 A |
18 mΩ |
380 W |
210 nC |
D²PAK |
更高耐压，适合升级 |
注意事项：
若要求低Rds(on)+大功率→IRFP4668、IXFH120N20
若要求封装兼容（TO-220）→AOT240L
若要求更高耐压&低EMI→IPB200N25N3 G
