美国再出击，发布HBM禁令，明年1月2日生效-立创商城

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据路透社报道，美国商务部工业与安全局（BIS）已定于12月6日发布一项针对HBM（高宽带内存）的禁令，涵盖HBM2E、HBM3，HBM3E。该禁令于2025年1月2日生效。

要知道 AI 和深度学习算法需要处理庞大的数据集，而 HBM 的高带宽和大容量特性使其成为最理想的内存解决方案。

限制中国获取HBM，可以限制中国发展大规模高性能计算的硬件能力，从而限制中国AI产业的发展。

HBM

图源：彭博社

当前，HBM市场呈现高度垄断的局面，主要由SK海力士、三星和美光这三大巨头掌控。

2023年，市场中主要应用的是HBM2、HBM2E和HBM3，下半年在英伟达H100和 AMD MI300 的推动下，HBM3渗透率提升。2024年 HBM3E 则成为主打，占比逾46%。

HBM需求主要集中在英伟达、AMD、谷歌等芯片大厂，其中英伟达是 HBM 市场的最大买家，所需 HBM 在全球占比 50%。

国内厂商受成本、科技、海外贸易政策等因素影响，需求较小，占比约6%-7%。目前主流的国产AI加速大都处于 HBM2、HBM2E区间，比HBM3E版本落后两代，主要还是来源于三星和SK海力士。

HBM

图源：SK 海力士

HBM2是前几年的技术，带宽是最新代次HBM3E的1/4，单颗最大容量大概1/5。这还没有加上集群的“代差”。本来AI 芯片就存在较大落差，加上HBM的“代差”，那么相对差距也将层级放大。

有专家分析，如果禁令实施，短期内将对中国AI 及高性能计算行业造成直接冲击，将迫使国内关联企业加速发展自主替代方案，但研发和量产压力巨大。

HBM生产需同时具备DRAM生产和先进封装工艺(核心工艺包括TSV、micro bumping和堆叠键合技术)的产业化能力。

国内部分企业虽有一定的DRAM和先进封装技术基础，但掌握的DRAM工艺制程明显落后于国际水平，且在DRAM上应用TSV、micro-bumping和堆叠键合等先进封装工艺的经验有所不足。

长期来看，禁令可能刺激中国在先进存储器领域的研发投入，加快国产化步伐。

HBM

图源：SK海力士

当然HBM三大厂商也会遭受到不同程度的冲击。

据2023年数据显示，HBM市场，SK海力士占比53%、三星占比38%，美光占比9%。

SK海力士将大部分HBM产能分配给了英伟达、AMD等巨头。美光身为美国企业，因出口管制无法向中国大陆供货。

三星抢占了大部分中国大陆的市场份额，如果禁令实施，三星受冲击最大。

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