芯片巨头交付业界最快HBM4！

9月26日消息，美光确认已向客户交付业绩速度最快的HBM4 DRAM，其引脚速度达到11 Gbps，带宽高达2.8 TB/s。同时美光宣布将于将与台积电合作开发下一代 HBM4E，预计2027年推出。

财报显示，美光2025财年第四季度营收为113.2亿美元，环比增长20%以上，全年营收从251.1亿美元增至373.8亿美元，主要得益于DRAM和NAND业务在性能升级与需求扩张上的双重驱动。

随之而来的，是存储市场价格的全面上涨。

据消息人士表示，原厂的策略是抓大放小，高毛利产品优先涨价，尤其是RDIMM DRAM和企业级SSD，目的是测试市场接受度。

目前 DDR4临近停产，供应趋紧，DDR4和DDR5价格均出现明显上涨，其中DDR5平均涨幅在15%-20%，部分DDR4特殊规格涨幅甚至超过20%。

图源：美光

美光与台积电的合作还包括生产HBM4E所需的逻辑芯片，涵盖标准版和定制版。随着数据中心业务已占美光营收的一半以上，并预计在2026年继续提升，美光正与客户提前规划供需，以确保AI和服务器市场的持续增长。

除了HBM，高带宽存储之外，传统存储市场也在调整。

TrendForce预计，2025年第四季度传统DRAM价格将环比上涨8%-13%，若计入HBM，整体涨幅可达13%-18%。

其中DDR5需求依旧强劲，而DDR4因停产导致的稀缺，也推高了价格。

NAND方面，尽管消费市场需求有限，但云厂商对大容量SSD的急单推动了价格上涨，上游产能也被优先分配至高毛利产品。

图源：电子时报

此外，美光也在陆陆续续推进GDDR7内存和1γ DRAM节点的发展。

其中GDDR7预计引脚速度将超过40 Gbps，比此前32 Gbps版本提升25%，并在GPU领域得到应用。

1γ DRAM节点的成熟良率也创下新纪录，比上一代快了50%，G9 NAND产能同步提升，支持TLC和QLC方案，为数据中心及高性能存储市场提供更多解决方案。

图源：videocardz

总体来看，美光的战略布局主要在以下3个方面。

第一，高带宽内存（HBM4/HBM4E）已经进入量产和技术升级阶段；第二，DRAM和NAND价格全面上扬，高端市场优先保障，利润提升明显；第三、新一代内存技术（GDDR7、1γ DRAM、G9 NAND）加速落地，进一步服务AI和数据中心市场。

短期内，随着价格调升和需求旺盛，存储器市场正在经历新一轮调整。这不仅直接提升了上游企业盈利，也让下游客户的成本与采购压力显著增加。