导读：近日，国内知名IDM士兰微公告，已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术开发，并将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，即将向客户送样。

图：士兰微

公告还称，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，项目取得阶段性进展，目标在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片生产能力。

该SiC功率器件生产线项目于2022年7月正式启动，计划投资15亿元，建设一条6英寸SiC(碳化硅)功率器件芯片生产线，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能，其中SiC-MOSFET芯片12万片/年，SiC-SBD芯片2.4万片/年。

士兰微表示，目前第一代平面栅SiC-MOSFET技术性能指标达到业内同类器件结构的先进水平，芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。

在新能源汽车领域，SiC功率半导体主要用于驱动和控制电机的逆变器、车载DC/DC转换器、车载充电器(OBC)等，特斯拉Model 3主逆变器首次采用全SiC功率器件开行业先河。车载充电器和充电桩使用SiC器件后将充分发挥高频、高温和高压三方面的优势，可实现充电系统高效化、小型化和高可靠性。

目前SiC器件主要供应商为传统海外IDM(设计制造一体化)大厂，其中ST意法、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、安森美5家企业占据全球约90%的市场份额，并在近年来相继推出SiC器件扩产计划。2022下半年以来，半导体产业的发展逻辑发生了重大转变，全球化分工合作前景在逐渐降低，全产业链自主可控预计会超越产业周期，成为未来国产半导体产业的发展主线。