二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流Io。
伏安特性曲线
外加电压Uw方向为P→N时，Uw大于起动电压，二极管导通。
外加电压Uw方向为N→P时，Uw大于反向击穿电压，二极管击穿。
产品型号
| 稳压二极管 |
|||||
| 序号 |
型号 |
封装 |
Pd（mW） |
VF（V） |
VZ（V） |
| 1 |
SOD-123 |
500 |
0.9 |
3 |
|
| 2 |
SOD-123 |
500 |
0.9 |
5.1 |
|
| 3 |
SOD-123 |
500 |
0.9 |
5.6 |
|
| 4 |
SOD-123 |
500 |
0.9 |
15 |
|
| 5 |
SOD-323 |
200 |
0.9 |
6.8 |
|
| 6 |
SOD-323 |
200 |
0.9 |
7.5 |
|
| 7 |
LL34 |
500 |
1 |
5.1 |
|
| 8 |
LL34 |
500 |
1 |
7.5 |
|
| 开关二极管 |
|||||
| 序号 |
型号 |
封装 |
VRM（V） |
IF（mA） |
VF（V） |
| 1 |
SOD-123 |
100 |
150 |
1 |
|
| 2 |
SOD-323 |
90 |
100 |
1.2 |
|
| 3 |
SOD-323 |
100 |
250 |
1 |
|
| 4 |
SOD-523 |
100 |
150 |
1 |
|
| 5 |
LL34 |
100 |
150 |
1 |
|
LDO是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点在于，LDO线性稳压器是一个自耗很低的微型片上系统（SoC）。它可用于电流主通道控制。LDO线性稳压器的噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。
产品型号
| LDO线性稳压器 |
|||||
| 序号 |
型号 |
封装 |
VOUT（V） |
VIN（V） |
Ilimt（A） |
| 1 |
SOT-23-3L |
3.3 |
6 |
0.25 |
|
| 2 |
SOT-223 |
1.5 |
12 |
1.8 |
|
| 3 |
SOT-223 |
3.3 |
12 |
1.8 |
|
应用场合
1.电视、显示器、投影仪等产品
2.MID、电视盒等数码产品
3.PC及其周边产品
4.血压计、血糖仪等医疗产品
5.新型智能穿戴式产品
6.汽车电子产品、工控产品
7.DVR、NCR、等安防设备
8.手机、路由POE等通信产品
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| BSMD1812-200-30V/自恢复保险丝 | 0.38069 | |
| FS55X106K101EGG/贴片电容(MLCC) | 1.28 | |
| CA45-A016K106T/钽电容 | 0.224 | |
| LKS665B/仿真器/烧录器 | 429.55 | |
| FS32X225K101EGG/贴片电容(MLCC) | 0.229602 | |
| FE2HX475M251LGL/贴片电容(MLCC) | 7.07 | |
| DMS3R3224RS/超级电容器 | 1.57 | |
| SM3R3703T01U/超级电容器 | 0.952 | |
| FS32X106K101EGG/贴片电容(MLCC) | 1.42 | |
| CA45-A010K106T/钽电容 | 0.2016 |
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