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首页 > 热门关键词 > 微处理器
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特性:处理器:Arm Cortex-M0+ CPU,最高运行频率48 MHz,具有单周期硬件乘法器和微跟踪缓冲区(MTB)。存储器:4/2/1/0.5 KB 可读写闪存部分(256KB 设备上不可用)。256/128/64/32/16 KB 系统内可自编程闪存。32/16/8/4 KB SRAM 内存。系统:上电复位(POR)和欠压检测(BOD)。内部和外部时钟选项,配备 48 MHz 数字锁相环(DFLL48M)和 48 MHz 至 96 MHz 分数数字锁相环(FDPLL96M)。外部中断控制器(EIC)。16 个外部中断
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  • 1+

    ¥29.53
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    ¥25.36
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  • 特性:高性能RISC CPU: -仅需学习35条指令。 -除分支指令外,所有指令均为单周期指令。 -工作速度: -直流-20 MHz振荡器/时钟输入。 -直流-200 ns指令周期。 -中断能力。 -8级深度硬件堆栈
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  • 有货
  • 特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和3级流水线,指令集扩展。中等密度闪存/EEPROM:程序存储器高达32 Kbytes,在55℃下10 kcycles后数据保留20年;数据存储器高达1 Kbytes真正数据EEPROM,耐久性300 kcycles。RAM:高达2 Kbytes。2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统
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    • 1+

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  • 特性:仅需学习35条指令。 除分支指令外,所有指令均为单周期指令。 工作速度:DC-20 MHz振荡器/时钟输入;DC-200 ns指令周期。 中断能力。 8级深度硬件堆栈。 直接、间接和相对寻址模式
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  • 特性:宽电压:2.6V~5.5V。 低功耗设计:低速模式,空闲模式,掉电模式(可由外部中断或内部掉电唤醒定时器唤醒)。 不需外部复位的单片机,ISP编程时16级复位门槛电压可选,内置高可靠复位电路。 不需外部晶振的单片机,ISP编程时内部时钟从5MHz~35MHz可设 (相当于普通8051:60~420MHz)内部高精度R/C时钟(±0.3%),±1%温飘(-40℃~+85℃),常温下温飘±0.6%(-20℃~+65℃)。 支持掉电唤醒的资源有:INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可), INT2 / INT3 / INT4(下降沿中断);RxD/T0/T1/T2管脚;内部掉电唤醒专用定时器。 16/24/29K/31.5K字节片内Flash程序存储器,擦写次数10万次以上。 大容量片内EEPROM功能,擦写次数10万次以上。 ISP/IAP,在系统可编程/在应用可编程,无需编程器/仿真器
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  • 2.5-5.5V供电,50MHz Cortex-M0,64KB的Flash,4KB的SRAM,工业级芯片。
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  • 商城规格书仅供参考,具体参考小华官网最新资料手册
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  • 特性:超低功耗平台,1.65V至3.6V电源,-40至125℃温度范围。 0.27μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.4μA停止模式(16个唤醒线)。 0.8μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。 运行模式下88μA/MHz。 3.5μs唤醒时间(从RAM)
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  • AVR 微控制器 IC series 8-位 20MHz 16KB(8K x 16) 闪存
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C/125°C。 存储器:高达128 KB的闪存,36 KB的SRAM(32 KB带硬件奇偶校验)。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项(±1%)的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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      ¥8.05
  • 有货
  • 特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
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      ¥14.69
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  • 特性:C编译器优化架构:可选扩展指令集,用于优化可重入代码。 高达1024字节数据EEPROM。 高达64 KB线性程序内存寻址。 高达3896字节线性数据内存寻址。 高达16 MIPS操作。 16位宽指令,8位宽数据路径。 中断优先级。 31级软件可访问硬件堆栈
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    • 1+

      ¥24.7
    • 10+

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    • 480+

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    • 960+

      ¥13.36
  • 有货
  • TMS320F28027F 具有 60MHz 频率、64KB 闪存、InstaSPIN-FOC 的 C2000™ MCU
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    • 35+

      ¥21.342048
    • 100+

      ¥20.362056
    • 1000+

      ¥19.59984
    TMS320F280039C 具有 CLA、CLB、AES 和 CAN-FD 的 C2000™ MCU 120MHz 384KB 闪存、FPU 和 TMU
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    • 1+

      ¥32.83
    • 10+

      ¥28.42
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      ¥25.8
    • 90+

      ¥23.15
  • 有货
  • MSP430F169 具有 60KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、双通道 12 位 DAC、比较器、DMA 和 I2C/SPI/UART 的 8MHz MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥33.39
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      ¥28.84
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      ¥21.59
    • 1000+

      ¥21.02
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      ¥29.5
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      ¥26.75
    • 90+

      ¥23.98
    • 540+

      ¥22.69
    • 1080+

      ¥22.12
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,MPU,DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC滤波器数学加速器。 512 Kbytes闪存,支持ECC,双存储体可读写,专有代码读取保护(PCROP),可保护存储区域,1 Kbyte OTP。 96 Kbytes SRAM,前32 Kbytes有硬件奇偶校验。 常规增强器:指令和数据总线上32 Kbytes SRAM,有硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 外部静态存储器接口FSMC,支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 四路SPI存储器接口
    数据手册
    • 1+

      ¥38.49
    • 10+

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      ¥30.85
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      ¥27.97
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex™-M3 CPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存,高达64 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器,带有4个片选,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口,8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz带校准的RC,32 kHz带校准的RTC振荡器。 睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电
    数据手册
    • 1+

      ¥46.59
    • 10+

      ¥40.39
    • 30+

      ¥34.92
    • 100+

      ¥31.19
    • 500+

      ¥29.47
    • 1000+

      ¥28.69
  • 有货
  • 特性:32-bit Arm Cortex-M7核心,带双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存,允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行;频率高达400MHz,具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达2MB的闪存,支持读时写。 1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。 多达168个具有中断能力的I/O端口
    数据手册
    • 1+

      ¥55.83
    • 10+

      ¥49.26
    • 30+

      ¥45.06
  • 有货
  • TMS320F28335 具有 150MIPS、FPU、512KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的 C2000™ MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥56.94
    • 10+

      ¥50.07
    • 40+

      ¥45.68
    • 80+

      ¥41.43
  • 有货
  • 特性:32-bit Arm Cortex-M7 CPU with DP-FPU, L1 cache: 32-Kbyte data cache and 32-Kbyte instruction cache allowing 0-wait state execution from embedded Flash memory and external memories, frequency up to 550 MHz, MPU, 1177 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1), and DSP instructions。Up to 1 Mbyte of embedded Flash memory with ECC。SRAM: total 564 Kbytes all with ECC, including 128 Kbytes of data TCM RAM for critical real-time data + 432 Kbytes of system RAM (up to 256 Kbytes can remap on instruction TCM RAM for critical real time instructions) + 4 Kbytes of backup SRAM (available in the lowest-power modes)。Flexible external memory controller with up to 16-bit data bus: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND memories。2 x Octo-SPI interface with XiP。2 x SD/SDIO/MMC interface。Bootloader。Chrom-ART Accelerator graphical hardware accelerator enabling enhanced graphical user interface to reduce CPU load
    • 1+

      ¥69.21
    • 10+

      ¥59.6
    • 30+

      ¥53.75
    • 100+

      ¥48.84
  • 有货
  • 特性:双核:32 位 Arm Cortex-M7 内核,带双精度 FPU 和 16KB 数据、16KB 指令缓存,频率高达 480MHz,有 MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令;32 位 Arm Cortex-M4 内核,带 FPU、自适应实时加速器,频率高达 240MHz,有 MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥79.38
    • 10+

      ¥69.29
    • 30+

      ¥63.14
    • 100+

      ¥57.98
  • 有货
  • 是32位通用MCU微处理器,基于标准RISC-V指令集RV32I子集RV32E,仅16个通用寄存器,结构更精简,适用于对面积和功耗有要求的深度嵌入式场景。支持标准RV32EC指令扩展,V2C支持硬件乘法。除自定义XW扩展外,还支持硬件序言/尾声(HPE)、无向量表(VTF)、更精简的1线/2线串行调试接口(SDI),并支持“WFE”指令。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3471
    • 50+

      ¥1.0498
    • 150+

      ¥0.9223
    • 500+

      ¥0.7633
    • 2500+

      ¥0.6925
    • 4000+

      ¥0.6501
  • 有货
  • PY32F030系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex -M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存储器,最高工作频率48MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1566
    • 50+

      ¥1.6947
    • 150+

      ¥1.4967
    • 500+

      ¥1.1722
    • 2500+

      ¥1.0623
    • 6000+

      ¥0.9963
  • 有货
    • 1+

      ¥4.33
    • 10+

      ¥3.49
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      ¥3.07
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      ¥2.66
    • 500+

      ¥2.41
    • 1000+

      ¥2.28
  • 有货
  • 内核:M0+ 13个定时器 RTC:1 USB:1
    • 1+

      ¥4.36
    • 10+

      ¥3.49
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      ¥3.06
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      ¥2.38
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      ¥2.24
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    • 1+

      ¥4.37
    • 10+

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      ¥2.9
    • 100+

      ¥2.55
    • 500+

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    • 1000+

      ¥2.22
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      ¥4.8
    • 10+

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    • 30+

      ¥3.22
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    • 500+

      ¥2.36
    • 1000+

      ¥2.2
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.32
    • 10+

      ¥4.76
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    • 100+

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