ST存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC128T-I/SN 编号：C99368

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA128/24LC128/24FC128（24××128*）是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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1+
￥3.41
10+
￥2.67
30+
￥2.34
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￥1.95
500+
￥1.68
1000+
￥1.58

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型号：MT25QL512ABB8ESF-0SIT 编号：C1350089

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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￥62.83
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￥55.43
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￥50.92
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￥47.15

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型号：MKDV32GCL-STPA 编号：C47118466

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH/MKDV32GCL-STPA升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥87.7705 ￥92.39
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￥83.7615 ￥88.17
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￥76.8075 ￥80.85
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￥70.756 ￥74.48

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型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥95.17
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￥82.57
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￥72.47
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￥66.03

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型号：MKDN032GIL-AA 编号：C2935348

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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￥114.551 ￥120.58
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￥109.7155 ￥115.49
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￥91.238 ￥96.04
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￥83.923 ￥88.34

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥177.88
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￥166.81
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￥152.76
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￥140.51

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型号：H9HCNNNCPUMLXR-NEE 编号：C42396545

封装：BGA

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥527.8
30+
￥509.82

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型号：ZD24C02B-SSGMB 编号：C5374786

封装：SOP8-150

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

20+
￥0.21816 ￥0.2424
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￥0.16965 ￥0.1885
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￥0.14265 ￥0.1585
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￥0.12645 ￥0.1405
10000+
￥0.11241 ￥0.1249
20000+
￥0.10494 ￥0.1166

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型号：AT24C02D-SSHM-T 编号：C22452050

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

10+
￥0.3493
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￥0.2773
300+
￥0.2413
1000+
￥0.2143

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型号：24C32S(XBLW) 编号：C41408504

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位串行EEPROM，每个字节为8位，共4096字节。支持低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.8V至5.5V，具有32字节页写模式，标准2线双向串行接口，自定时写周期（最大5ms），100万次擦写寿命，100年数据保留，工业温度范围（-40℃至85℃）。

10+
￥0.426835 ￥0.4493
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￥0.335635 ￥0.3533
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￥0.290035 ￥0.3053
3000+
￥0.255835 ￥0.2693
6000+
￥0.228475 ￥0.2405
9000+
￥0.214795 ￥0.2261

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型号：BL24C08F-PARC 编号：C2681317

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C08F是一款8K位串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。存储容量为8K位（1024字节），页大小为16字节，写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。

数据手册

10+
￥0.4436
100+
￥0.356
300+
￥0.3123
2500+
￥0.2794
5000+
￥0.2532

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型号：AT24C04-TD 编号：C49270315

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

EEPROM

5+
￥0.6991
50+
￥0.555
150+
￥0.4829
500+
￥0.4289
2500+
￥0.3856

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型号：FT24C64A-ESR-T 编号：C232887

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C64A系列是65,536位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为8192个字节（每个字节8位）。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低压应用。支持标准的2线双向串行接口。

数据手册

5+
￥0.7006
50+
￥0.5662
150+
￥0.499
500+
￥0.4486
2500+
￥0.3807
5000+
￥0.3605

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型号：BL24C64A-NTRC 编号：C691879

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C64A是一款64K位（8K字节）的I2C接口EEPROM，支持页写操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

数据手册

5+
￥0.8131
50+
￥0.6355
150+
￥0.5467
500+
￥0.4801
3000+
￥0.4268
6000+
￥0.4002

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型号：HG24C64M/TR 编号：C20613251

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C32/HG24C64提供32,768/65,536位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为4096/8192个8位字。该设备通过两线串行接口访问，适用于多种应用。

5+
￥0.8381
50+
￥0.6653
150+
￥0.5789
500+
￥0.5141
2500+
￥0.4623
5000+
￥0.4364

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型号：AT24C128M/TR 编号：C356707

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为4096个8位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，适用于低功耗和低成本操作，采用8引脚MSOP封装，并通过两线串行接口访问。

数据手册

5+
￥0.9543
50+
￥0.7452
150+
￥0.6555
500+
￥0.5437
2500+
￥0.4864
5000+
￥0.4565

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型号：AT24C64-TD 编号：C49270316

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

EEPROM

5+
￥0.9676
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￥0.7639
150+
￥0.6766
500+
￥0.5676
2500+
￥0.5191

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型号：AT24C256CDR073 编号：C51026306

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C256是一款256K位I2C兼容串行EEPROM，设计用于1.7V至5.5V的供电电压范围，最高传输速率为1MHz。工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件写保护功能，可永久锁定整个存储阵列。

5+
￥1.132612 ￥1.2311
50+
￥0.8878 ￥0.965
150+
￥0.782828 ￥0.8509
500+
￥0.651912 ￥0.7086
2500+
￥0.593676 ￥0.6453
4000+
￥0.558624 ￥0.6072

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型号：ZD24C256A-SSGMT 编号：C2896642

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥1.2294
50+
￥0.9766
150+
￥0.8683
500+
￥0.7331
3000+
￥0.6129
6000+
￥0.5768

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型号：HT25WD40ARZ 编号：C2928800

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

宽温,宽电压带有双SPI的4M容量flash

数据手册

1+
￥1.5828
10+
￥1.2552
30+
￥1.1148
100+
￥0.9396
500+
￥0.8191
1000+
￥0.7722

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型号：AT24C16D-SSHM-T 编号：C615966

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D是一款16Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有2,048个8位字，支持1.7V至3.6V低电压操作。它提供标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和快速模式Plus（1MHz）的I2C接口。该器件具有硬件写保护、超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥2.1498
50+
￥1.6836
150+
￥1.4837
500+
￥1.2344
2500+
￥1.1234

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型号：24LC08BT-I/OT 编号：C89050

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款8K位电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备由四个256×8位存储器块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达16字节数据的页写入能力。

数据手册

5+
￥2.4718
50+
￥1.9885
150+
￥1.7814
500+
￥1.4116

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型号：93LC56BT-I/OT 编号：C190271

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.14
30+
￥1.87
100+
￥1.54
500+
￥1.4
1000+
￥1.31

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型号：24AA64T-I/SN 编号：C45707

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥3.28
10+
￥2.56
30+
￥2.25
100+
￥1.86
500+
￥1.69
1000+
￥1.59

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型号：W25X10CLUXIG 编号：C2895612

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25X10CL（1M 位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用，以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥3.92
10+
￥3.41
30+
￥3.18
100+
￥2.8809 ￥2.91
500+
￥2.7522 ￥2.78
1000+
￥2.6829 ￥2.71

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型号：MX25R4035FZUIL0 编号：C7009757

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

4Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 524,288 x 8。在四 I/O 模式下，结构变为 1048,576 位 x 4 或 2,097,152 位 x 2。具有串行外设接口和软件功能。

1+
￥4.11
10+
￥3.34
30+
￥2.95
100+
￥2.56
500+
￥2.34
1000+
￥2.22

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型号：GX2431Q 编号：C2763593

封装：QFN-16

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431Q是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

数据手册

1+
￥4.66
10+
￥3.75
30+
￥3.29
100+
￥2.84
500+
￥2.5
1000+
￥2.36

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型号：GX28E01D2F 编号：C22435413

封装：DFN-6(3x3)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX28E01D2F是一款带有SHA-1引擎保护的1Kb单总线EEPROM，用于提供高度的身份验证安全性。该芯片可以处理64位和320位的SHA-1输入块密钥以及64位随机挑战和附加芯片数据。EEPROM阵列配置分为4页256位，带有一个64位暂存器来执行写操作。所有的存储器页都可以设置为写保护，其中一页可以置于EEPROM仿真模式。