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AT25010B/020B/040B 提供 1024/2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 128/256/512 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25010B/020B/040B 采用节省空间的 JEDEC SOIC、UDFN、TSSOP、XDFN 和 VFBGA 封装

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型号：AT24C64D-XHM-T 编号：C111440

封装：TSSOP-8

AT24C64D 提供 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，每个字包含 8,192 个 8 位字。该器件的级联功能允许最多八个器件共享一条双线总线。该器件针对许多需要低功耗和低电压运行的工业和商业应用进行了优化。

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型号：IS25LP040E-JYLA3-TR 编号：C6062478

封装：USON-8-EP(2x3)

IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

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型号：AT24C512N 编号：C434600

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C512提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为65,536个8位字。该器件的可级联特性允许最多4个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

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型号：MX25L3233FM1I-08G 编号：C2802994

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

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型号：24LC64T-E/SN 编号：C615720

封装：SOIC-8

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：M24M02-DRMN6TP-TUDI 编号：C36533665

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M24M02是一款2M位（262,144 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于多种工业应用。

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型号：24FC512-I/SN 编号：C615159

封装：SOP-8

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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￥9.69
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型号：DS2431Q+T&R 编号：C879661

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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￥12.64
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型号：AT25DF321A-SH-T 编号：C6490

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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￥13.07
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型号：DS2431+T&R 编号：C2838751

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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1+
￥13.35
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型号：IS61WV6416BLL-12TLI 编号：C435811

封装：TSOPII-44-10.2mm

IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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￥14.49
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￥12.22
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型号：IS42S16400J-6TLI 编号：C2897490

封装：TSOPII-54-10.2mm

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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￥15.4
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￥11.49
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￥9.47
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￥8.77
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型号：W25Q128JWSIQ 编号：C2763561

封装：SOIC-8-208mil

W25Q128JW（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码以及存储语音……（原文“voi”后内容不完整）

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￥16.68
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￥14.75
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型号：MX25L25645GZNI-08G 编号：C2802981

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

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￥19.77
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￥16.76
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￥14.88
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￥12.95
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型号：GD25Q256EYIGR 编号：C2927043

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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￥21.85
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￥19.67
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￥18.3
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￥9.02

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型号：EPCS4SI8N 编号：C569019

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

若要使用基于SRAM的器件配置系统，每次给器件上电时，都必须加载配置数据。EPCS器件是一种闪存器件，可存储用于在FPGA上电后进行配置的数据。您可以在所有支持AS x1配置方案的FPGA上使用EPCS器件

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型号：W25Q256JWFIQ 编号：C2940196

封装：SOIC-16-300mil

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￥28.12
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￥27.66
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￥25.641 ￥25.9

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型号：AT45DB641E-SHN-T 编号：C2060948

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB641E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB641E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其69,206,016位的存储器被组织为32,768页，每页256字节或264字节

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￥28.12
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￥24.11
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￥21.72
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￥19.3
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￥18.19

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型号：IS66WVE4M16EBLL-70BLI 编号：C1350157

封装：TFBGA-48(6x8)

PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PSRAM）产品相同

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1+
￥28.38
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￥24.48
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￥22.17
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￥18.42

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型号：ZDSD02GLGEAG 编号：C2875853

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，2Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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￥34.02
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￥29.07
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￥26.13
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￥21.37
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￥19.38

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型号：W958D8NBYA5I 编号：C7420405

封装：TFBGA-24(6x8)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V。最大时钟频率：250MHz。双倍数据速率（DDR）高达500MB/s

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￥40.46
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￥37.03
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￥35
100+
￥32.94
480+
￥31.99
960+
￥31.56

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型号：W25N04KVZEIR TR 编号：C6750381

封装：WSON-8(6x8)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

40+
￥69.89
400+
￥64.24
1200+
￥60.79
4000+
￥57.3309 ￥57.91

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型号：IS42S16320F-7TLI 编号：C1348819

封装：TSOP-54-10.2mm