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MKDV1GIL-AS的升级款，1Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV1GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C4；IOPS R/W 1343/35；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

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￥42.7785 ￥45.03
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型号：W25N02KVZEIR TR 编号：C17626844

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N02KV是一款2G-bit SLC QSPI NAND Flash存储器，支持双/四线SPI接口，具有低功耗、宽温度范围的特点。工作电压为2.7V至3.6V，支持高达104MHz的SPI时钟频率。

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型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C500274

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：FM24V05-GTR 编号：C66021

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造，提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口，最高时钟频率为3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。

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型号：MT25QU512ABB8ESF-0SIT 编号：C2061983

封装：SO-16-300mil

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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型号：MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR 编号：C2062650

封装：W-PDFN-8-EP(5x6)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

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型号：MT25QL01GBBB8ESF-0SIT 编号：C2061920

封装：SO-16-300mil

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为133 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s

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￥136.64
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型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥146.25
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型号：H5AN8G6NCJR-VKC 编号：C2803261

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行 8 位预取，以实现非常高的带宽。

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￥188.83
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￥168

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型号：MKEV008GCB-SC510 编号：C2987689

封装：FBGA-153

MLC, 8GB, eMMC5.1, 11.5x13mm,-25°C to +85°C

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￥260.7275 ￥274.45
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￥237.234 ￥249.72

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型号：MKDV16GCL-STPA 编号：C47118465

封装：LGA-8(6.6x8)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV16GCL-STP的升级款。尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥273.0585 ￥287.43
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￥259.844 ￥273.52

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型号：MT25QU01GBBB8E12-0SIT 编号：C2061873

封装：TPBGA-24(6x8)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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￥413.37
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￥398.3

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型号：H9HCNNNCPMMLXR-NEE 编号：C19192462

封装：BGA-200

品牌：HYNIX(海力士)

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￥511.15
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￥485

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型号：MKDV64GCL-STPA 编号：C48937380

封装：LGA-8(6.6x8)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STP升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 5000次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥607.9905 ￥639.99
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￥578.8255 ￥609.29

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型号：24C08BN(XBLW) 编号：C18723544

封装：SOP-8

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

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￥0.30476 ￥0.3208
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￥0.24092 ￥0.2536
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￥0.18506 ￥0.1948
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￥0.156275 ￥0.1645

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型号：24C32N(XBLW) 编号：C18723552

封装：DIP-8

24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V。

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￥0.2997

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型号：HX24C32DGKRG 编号：C42396716

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

32K串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥0.4242
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型号：BL24C02F-SFRC 编号：C2763396

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F提供2048位的串行EEPROM，组织为256个字节，支持I2C双向数据传输协议。具有硬件数据保护功能，支持部分页写入，高可靠性，增强ESD/闩锁保护，数据保留时间为100年。

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￥0.4627
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￥0.3811
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￥0.3403
3000+
￥0.3097
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￥0.2852
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￥0.273

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型号：FM24C02C-SO-T-G 编号：C189501

封装：SOIC-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C02C是一款低工作电压的2-Wire Serial EEPROM，具有2048位存储容量，组织为256个8位字。该设备适用于多种工业和商业应用，特别是需要低功耗和低电压操作的场合。

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￥0.5162
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￥0.4044
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￥0.3485
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￥0.3065
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￥0.273
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￥0.2562

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型号：24C64N(XBLW) 编号：C18723553

封装：DIP-8

24C64系列是65,536位的串行电气可擦除和可编程只读存储器，使用标准2线串行接口进行所有读写操作。

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￥0.64258 ￥0.6764
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￥0.512335 ￥0.5393
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￥0.447165 ￥0.4707
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￥0.398335 ￥0.4193
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￥0.359195 ￥0.3781
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￥0.33972 ￥0.3576

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型号：24C128BN(XBLW) 编号：C19708136

封装：SOP-8