ST存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS62C256AL-45ULI-TR 编号：C14323

封装：SOIC-28-8.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

数据手册

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￥12.39
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￥10.72
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￥9.8
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￥8.77
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￥7.8
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￥7.59

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型号：W25Q128JVFIQ TR 编号：C2456298

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

数据手册

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￥14.53
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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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￥14.8105 ￥15.59
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￥12.521 ￥13.18
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￥9.614 ￥10.12
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￥8.9585 ￥9.43
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￥8.664 ￥9.12

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型号：AT24CM02-SSHD-T-TUDI 编号：C36533662

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥14.8865 ￥15.67
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￥9.0345 ￥9.51
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￥8.7495 ￥9.21

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型号：DS24B33S+T&R 编号：C117539

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

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￥19.56
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￥14.71
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￥12.79
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￥11.93
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型号：MX25L25645GMI-08G 编号：C526821

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

数据手册

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￥21.54
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￥18.68
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￥16.89
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￥12.8
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￥11.97
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型号：MT29F2G01ABAGDWB-IT:G 编号：C410863

封装：U-PDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元 (SLC) 技术。2Gb 密度。页面大小 x1：2176 字节 (2048 + 128 字节)。块大小：64 页 (128K + 8K 字节)。平面大小：2Gb (2 个平面，每个平面 1024 个块)。标准和扩展 SPI 兼容串行总线接口

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￥26.91
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￥23.44
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￥21.38
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￥19.29
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￥18.33

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型号：W631GG6MB-12 编号：C408825

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

W631GG6MB 是 1G bits 的 DDR3 SDRAM，组织方式为 8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。该设备支持最高传输速率可达 2133 MT/s (DDR3-2133)，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。其中，12 工业级支持 0°C 至 95°C。

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￥28.7
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￥25.8
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￥24.08
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￥22.1166 ￥22.34
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￥20.9583 ￥21.17

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型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

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￥31.14
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￥26.79
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￥24.21
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￥20.45
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￥19.25
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￥18.71

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型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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1+
￥31.25
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￥26.72
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￥24.03
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￥19.74
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￥18.49

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型号：IS61LV25616AL-10TLI 编号：C17354

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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￥34.32
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￥29.5
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￥26.63
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￥22.09

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型号：IS61WV102416DBLL-10BLI 编号：C1348743

封装：BGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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￥82.59
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￥68.2
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￥61.54
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￥55.96

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型号：MKDN512GCL-ZC 编号：C52753986

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:TLC, 512Gbit(64GByte),工作温度 -25°C to +85°C，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压，别名SDNAND、贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;

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￥141.2484 ￥151.88
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￥134.0688 ￥144.16

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型号：MKDV32GIL-STPB 编号：C48937379

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

32Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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￥160.189 ￥168.62
30+
￥152.437 ￥160.46

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型号：MKDN512GCL-ZAA 编号：C17700147

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:TLC,SD NAND LDPC纠错;商业级，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压，速度等级：C10,U1,V10,A1,SDNAND别名贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥292.1915 ￥307.57
30+
￥277.343 ￥291.94

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型号：AD24C02 编号：C7507360

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AD24C02是一款低电压、低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护的施密特触发输入，自定时编程周期（最大5ms），1MHz（2.5-5V）和400kHz（1.8V）兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护的写保护引脚，高可靠性：通常1,000,000次耐久性，100年数据保留时间。标准8引脚DIP/SOP/MSOP/TSSOP/DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23无铅封装。

10+
￥0.2745
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￥0.2197
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￥0.1923
3000+
￥0.1456
6000+
￥0.1292
9000+
￥0.121

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型号：TP24C02S5 编号：C18197836

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

TP24C02S是一款2 Kbit、与I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。它包含一个256×8位的存储阵列，每页组织为8字节。TP24C02S为不同应用提供以下器件

10+
￥0.3354
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￥0.2634
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￥0.2274
3000+
￥0.2004
6000+
￥0.1788
9000+
￥0.168

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型号：ZD24C08A-SSGMT 编号：C2896641

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

数据手册

10+
￥0.3468
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￥0.2699
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￥0.2315
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￥0.2027
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￥0.1797
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￥0.1681

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型号：AT24C64-HXY 编号：C18198380

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C64是一款64K位I2C兼容串行EEPROM，包含8K x 8位的存储阵列，每页32字节。支持单电源电压和高速模式，最低工作电压可达1.7V，1MHz时钟频率从2.5V到5.5V，400kHz时钟频率从1.7V到2.5V。具有低功耗CMOS技术，读电流0.2mA（400kHz，典型值），写电流0.6mA（400kHz，典型值）。输入端具有施密特触发和噪声抑制功能。支持顺序和随机读取，32字节页面写入模式，部分页面写入允许。整个存储阵列可写保护，附加可锁定写保护页面，附加128位序列号。自定时写周期（最大5ms），高可靠性，耐久性：1百万次写周期，数据保持时间：100年。