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  • 128Mb SDRAM,具有同步接口,内部配置为四组bank,每个bank2兆x16位x4组。
    数据手册
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      ¥37.4
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      ¥29.94
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      ¥27.57
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  • 订货
  • DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。
    数据手册
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    特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV,片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O,TC 最高可达 95°C。 64ms,8192 周期刷新,最高可达 85°C。 32ms,8192 周期刷新,温度范围为 >85°C 至 95°C。 16 个内部存储体 (x4, x8):每组 4 个存储体,共 4 组
    数据手册
    • 1+

      ¥77.71
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      ¥67.1
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    • 30+

      ¥66.71
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      ¥61.53
  • 订货
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      ¥106.44
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      ¥81.88
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      ¥88.36
  • 订货
  • 16Gb DDR4 SDRAM 芯片;两个 x8 组合成一个 x16。它使用与单 x16 类似的信号,并且有一个额外的 ZQ 连接用于更快的 ZQ 校准,以及一个 x8 寻址所需的 BG1 控制信号。
    • 1+

      ¥114.63
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      ¥108.85
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      ¥98.84
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      ¥90.1
  • 订货
    • 单价:

      ¥168.75 / 个
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      ¥197.19
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      ¥187.02
  • 订货
  • 特性:堆叠设备(两个512Mb裸片)。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量高达90 MB/s
    数据手册
    • 1+

      ¥202.01
    • 30+

      ¥191.57
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      ¥9.5
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  • M29W320EB70N6:FLASH - NOR-32Mbit-TSOP48,型号:M29W320EB70N6E
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  • 特性:2Gb堆叠设备(两个1Gb裸片)。 单级单元(SLC)工艺技术。 电源电压: -VCC = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取)。 -VCCQ = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页面读取。 页面大小:16字
    数据手册
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