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  • 特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V(标称值1.80V),VDD2(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V),VDDQ(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V)或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V(标称值0.60V)。 频率范围2133-10MHz(数据速率范围:4266-20Mb/s/pin)。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体,用于并发操作
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      ¥149.68
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      ¥152.15
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  • 订货
  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V,标称值 1.80V;VDD2(overline) = 1.06-1.17V,标称值 1.10V;VDDQ(overline) = 1.06-1.17V,标称值 1.10V 或低 VDDQ(overline) = 0.57-0.65V,标称值 0.60V。 频率范围 2133-10 MHz(数据速率范围:4266-20 Mb/s/pin)。 16n 预取 DDR 架构。 每通道 8 个内部存储体,用于并发操作
    • 1+

      ¥285.89
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      ¥273.46
    特性:MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存。 JEDEC/MMC 标准版本 5.1 兼容(JEDEC 标准号 JESD84-B51)。 VCC:2.7-3.6V。 VCCQ:1.70-1.95V。 VCCQ(双电压):1.70-1.95V;2.7-3.6V(仅适用于 DW 封装)。 先进的 12 信号接口
    • 1+

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  • 特性:堆叠设备(两个512Mb裸片)。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量高达90 MB/s
    数据手册
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    • 960+

      ¥114.83
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  • M29W320EB70N6:FLASH - NOR-32Mbit-TSOP48,型号:M29W320EB70N6E
    数据手册
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    • 10+

      ¥13.06
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      ¥11.11
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      ¥14.19
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  • 特性:电源电压:编程、擦除和读取时,VCC = 2.7V 至 3.6V。快速编程时(可选),VPP = 12V。访问时间:70ns、90ns。编程时间:每字节/字典型值为 10μs
    数据手册
    • 1+

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  • 特性:符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8:2176字节 (2048 + 128字节)。块大小:64页 (128K + 8K字节)。平面大小:1个平面,每个平面1024个块。设备大小:1Gb,1024个块
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