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  • DDR3L SDRAM (1.35V) 是DDR3 (1.5V) SDRAM的低电压版本,支持1.5V兼容模式。具备8个内部bank,支持差分时钟输入和8位预取架构。
    数据手册
    • 1+

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      ¥22.38
  • 订货
  • 512Mb DDR SDRAM,具有双数据速率架构,支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字,在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作,提高有效带宽。
    数据手册
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      ¥32.9
    • 10+

      ¥28.31
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      ¥20.96
  • 订货
  • 特性:电源电压:编程、擦除和读取时,VCC = 2.7V 至 3.6V。快速编程时(可选),VPP = 12V。访问时间:70ns、90ns。编程时间:每字节/字典型值为 10μs
    数据手册
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  • MT29F4G08ABAFAWP-IT-F 是一种 4Gb x8 多路复用 NAND Flash 存储器,具有 64 页/块,每页 2,112 字节(2,048 + 64 字节)。支持 300μs 的页编程时间和 2ms 的块擦除时间,数据保留时间为 10 年。
    数据手册
    • 单价:

      ¥36.612 / 个
    • 1+

      ¥34.23
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      ¥24.44
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    • 1+

      ¥34.27
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      ¥29.33
    • 30+

      ¥26.39
    • 100+

      ¥23.42
    • 500+

      ¥22.05
    • 1000+

      ¥21.43
  • 订货
    • 1+

      ¥35.72
    • 10+

      ¥30.73
    • 30+

      ¥27.76
    • 100+

      ¥24.77
    • 500+

      ¥23.38
    • 1000+

      ¥22.76
  • 订货
    • 1+

      ¥36.76
    • 10+

      ¥31.83
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    • 100+

      ¥25.94
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      ¥24.57
    • 1000+

      ¥23.96
  • 订货
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    • 10+

      ¥31.85
    • 30+

      ¥28.78
    • 100+

      ¥25.67
    • 500+

      ¥24.24
    • 1500+

      ¥23.59
  • 订货
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      ¥37.4
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      ¥38.68
    • 10+

      ¥33.46
    • 30+

      ¥30.29
    • 100+

      ¥27.62
  • 订货
    • 1+

      ¥39.18
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      ¥33.71
    • 30+

      ¥30.37
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      ¥27.57
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    • 1+

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    • 10+

      ¥35.44
    • 30+

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    • 100+

      ¥28.98
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  • 特性:符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8:2176字节 (2048 + 128字节)。块大小:64页 (128K + 8K字节)。平面大小:1个平面,每个平面1024个块。设备大小:1Gb,1024个块
    • 1+

      ¥41.28
    • 10+

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      ¥29.05
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  • 128Mb SDRAM,4兆 x 32位,4个bank,支持PC100标准,完全同步,所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作,可编程突发长度为1、2、4、8或全页,支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级(0°C至70°C)、工业级(-40°C至85°C)和汽车级(-40°C至105°C)。
    数据手册
    • 1+

      ¥42.94
    • 10+

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    • 10+

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    • 100+

      ¥32.05
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  • 128Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器,内部配置为四bankDRAM,具有同步接口。每个x4的33,554,432位bank组织为4096行x2048列x4位。每个x8的33,554,432位bank组织为4096行x1024列x8位。每个x16的33,554,432位bank组织为4096行x512列x16位。
    • 1+

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      ¥33.09
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